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[发明专利]柔性衬底硅基薄膜太阳电池-CN200810052621.9有效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-04-07 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧、非晶硅、非晶硅碳或非晶硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。
柔性衬底薄膜太阳电池

[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、电池和终端-CN202310015238.0在审
发明人：雷丹;沙玉静;邓耀明;夏圣安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅基负极材料，包括低硅氧比硅基基体，以及分散在所述低硅氧比硅基基体中的高硅氧比硅基颗粒，所述低硅氧比硅基基体的硅氧比为1∶1，其中，11≤2，所述高硅氧比硅基颗粒的硅氧比为1∶1，其中，0≤1≤1，所述低硅氧比硅基基体为二氧化硅，或者所述低硅氧比硅基基体包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子，所述高硅氧比硅基颗粒为硅颗粒，或者所述高硅氧比硅基颗粒包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子该硅基负极材料兼具较高容量和较低膨胀性能。本发明实施例还提供了该硅基负极材料的制备方法、以及包含该硅基负极材料的电池和终端。
负极材料及其制备方法电池终端

[发明专利]硅基负极材料及其制备方法、电池和终端-CN201911425863.2有效
发明人：雷丹;沙玉静;邓耀明;夏圣安 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅基负极材料，包括低硅氧比硅基基体，以及分散在所述低硅氧比硅基基体中的高硅氧比硅基颗粒，所述低硅氧比硅基基体的硅氧比为1∶x，其中，1x≤2，所述高硅氧比硅基颗粒的硅氧比为1∶y，其中，0≤y≤1，所述低硅氧比硅基基体为二氧化硅，或者所述低硅氧比硅基基体包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子，所述高硅氧比硅基颗粒为硅颗粒，或者所述高硅氧比硅基颗粒包括二氧化硅和分散在所述二氧化硅中的含硅晶体粒子该硅基负极材料兼具较高容量和较低膨胀性能。本发明实施例还提供了该硅基负极材料的制备方法、以及包含该硅基负极材料的电池和终端。
负极材料及其制备方法电池终端

[发明专利]基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法-CN201410212952.X在审
发明人：曾建平;熊永忠;唐海林;刘超;李一虎;邓小东 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于图形化高能离子注入的低衬底损耗硅基集成电路及其制作方法，主要解决了现有技术中存在的硅基集成电路存在严重的衬底损耗，导致器件的工作频率降低的问题。其包括图形化的硅基衬底及按照硅基工艺制作在该硅基衬底上的硅基集成电路，所述硅基衬底包括低阻硅基衬底和完成硅基集成电路制作后利用图形化的高能离子从低阻硅基衬底底部注入实现高阻改性的高阻硅基衬底，所述低阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基有源器件下方，所述高阻硅基衬底位于硅基集成电路中硅基无源器件下方。
基于图形高能离子注入衬底损耗集成电路及其制作方法

[发明专利]提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法-CN200910069034.5有效
发明人：张晓丹;孙福和;赵颖;许盛之;王光红;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
提高沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率制备方法

[发明专利]一种功率型LED封装用的有机硅材料及其合成方法-CN200910041036.3无效
发明人：柯松 -专利权人：茂名市信翼化工有限公司;柯松
申请日： 2009-07-10 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率型LED封装用的有机硅材料及其合成方法，该有机硅材料由乙烯基硅高聚物、固化催化剂、含氢基硅高聚物、抑制剂组成，所述的乙烯基硅高聚物由乙烯基硅树脂和含乙烯基的聚硅氧烷组成或只由乙烯基的聚硅氧烷或只由乙烯基硅树脂组成，所述的含乙烯基的聚硅氧烷为乙烯基封端聚硅氧烷，所述的含氢基硅高聚物由聚氢基硅氧烷和乙烯基硅树脂组成或由聚氢基硅氧烷和乙烯基氢基硅树脂或只由聚氢基硅氧烷组成。该有机硅材料具有较高的折光率，高透明度、优良的耐紫外老化和热老化能力等特点，是功率型LED的理想封装材料。
一种功率 led 封装有机硅材料及其合成方法

[发明专利]硅基光探测器阵列结构-CN201710207630.X在审
发明人：李文刚 -专利权人：江苏尚飞光电科技有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光探测器阵列结构，所述硅基光探测器阵列结构包括：多个硅基光探测器，多个所述硅基光探测器呈阵列分布，且各所述硅基光探测器之间相隔一定的间距；深槽，位于相邻所述硅基光探测器之间，以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径本发明通过在相邻所述硅基光探测器之间形成深槽，可以切断相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基光探测器阵列结构边缘的所述硅基光探测器的光电流和位于所述硅基光探测器阵列结构中心的所述硅基光探测器的光电流相接近
硅基光探测器光探测器阵列光电流串扰深槽结构边缘结构中心阵列分布减小相隔

[实用新型]硅基OLED显示模组-CN202223545071.9有效
发明人：徐超;曹云岭;周文斌;孙剑;高裕弟 -专利权人：昆山梦显电子科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10K50/87 文献下载
摘要：本实用新型涉及OLED显示模组技术领域，具体公开了一种硅基OLED显示模组，该硅基OLED显示模组包括电路板、硅基OLED和连接件，其中，电路板设有至少一个开口；硅基OLED贴设于电路板，且至少部分硅基OLED的背面位于开口处，硅基OLED与电路板电连接；连接件将硅基OLED固定于电路板。该硅基OLED显示模组通过硅基OLED的背面电路板上的开口处的结构，使得在使用过程中，硅基OLED的表面产生的热量可以通过开口向外散发，避免聚集在硅基OLED上无法散出，有效降低了硅基OLED在使用过程的温度，避免出现显示异常或者烧屏的问题，提高了硅基OLED显示模组使用的安全系数。
硅基 oled 显示模组

[发明专利]硅基柔性自支撑电极、其制备方法、锂离子电池及装置-CN202111073214.8在审
发明人：马晴岩;赵玉珍;官英杰;温严;黄起森 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅基柔性自支撑电极、其制备方法、锂离子电池、电池模组、电池包及用电装置。该硅基柔性自支撑电极包括层叠设置的导电纤维层和硅基复合颗粒层，其中，硅基复合颗粒层包括硅基颗粒和导电剂，且硅基柔性自支撑电极的底层为导电纤维层。本申请提供的自支撑电极具有良好的柔韧性和较高的能量密度；硅基复合颗粒层的设计使得自支撑电极中具有较高的硅含量；而且在硅基复合颗粒层中，导电剂包覆在硅基颗粒的表面，既提高了硅基颗粒间的导电性，又降低了电解液与硅基颗粒的直接接触，减少副反应；同时，导电纤维层可以容纳循环过程中硅基颗粒的体积膨胀，交替层叠的结构可以缓解硅基颗粒膨胀时导致的活性材料脱落的问题。
柔性支撑电极制备方法锂离子电池装置

[实用新型]硅基麦克风装置及电子设备-CN202021105391.0有效
发明人：王云龙;吴广华;蓝星烁 -专利权人：通用微（深圳）科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H04R19/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种硅基麦克风装置及电子设备。该硅基麦克风装置包括：电路板、屏蔽外壳以及至少一个硅基麦克风单元组，电路板上开设有至少一个进声孔；硅基麦克风单元组位于声腔内，每一硅基麦克风单元组包括电连接的第一硅基麦克风单元和第二硅基麦克风单元，第一硅基麦克风单元与进声孔对应设置，第一硅基麦克风单元的第一背腔与对应的进声孔连通；第二硅基麦克风单元的第二背腔与电路板相接；全部的硅基麦克风单元组中，所有的第一硅基麦克风单元并联连接，所有的第二硅基麦克风单元并联连接。第一硅基麦克风单元形成的声音信号和振动信号，与第二硅基麦克风单元形成的振动信号经差分处理，从而消除通过屏蔽外壳或者电路板传导的振动信号。
麦克风装置电子设备

[发明专利]硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组-CN201810123726.2在审
发明人：吴疆 -专利权人：上海瀚莅电子科技有限公司
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基OLED的制备方法，包括以下步骤：S1、制备若干带有蒸镀像素图形的硅基掩膜版；S2、选取具有相应像素图形的硅基掩膜版；S3、将所述硅基掩膜版与晶圆的对位贴合，并蒸镀对应的OLED功能层膜；S4、OLED功能层膜蒸镀结束后，采用分离技术分离所述硅基掩膜版与所述晶圆；S5、重复步骤S2～S4将制备硅基OLED的其余功能层膜分别蒸镀在所述晶圆上，制得硅基OLED基体；S6、对所述步骤S5中的硅基OLED基体进行封装，硅基OLED的制备结束。本发明的硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组，减少了CF层的使用及白光OLED的单独制备，使得硅基OLED显示模组的亮度提高了4倍，同时提高了硅基OLED的PPI并简化了硅基OLED的制备工艺。
硅基制备掩膜版蒸镀功能层晶圆模组像素图形对位贴合分离技术制备工艺制备硅基白光封装重复

[发明专利]一种基于硅基三维集成技术的超宽带共面波导传输线-CN202011427877.0在审
发明人：张皓;蔡传涛;张硕;赵磊;周潇潇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基三维集成技术的超宽带共面波导传输线，包括第一层硅基转接板、硅基转接板表面传输线、设置于第一层硅基转接板内部的TSV通孔、位于第一层硅基转接板上方的第二层硅基基板、位于第二层硅基基板上方的第三层硅基基板，设置于第二层硅基基板和第三层硅基基板内部的TSV光孔，第一层硅基转接板与第二层硅基基板之间设置第一键合层，第二层硅基基板与第三层硅基基板之间设置第二键合层。
一种基于三维集成技术宽带波导传输线

[发明专利]一种硅基芯片调节装置、耦合装置及耦合方法-CN202011444859.3有效
发明人：严杰;傅焰峰 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅基芯片调节装置，用以对硅基芯片与光器件进行耦合，包括调整机构、夹持机构、过渡PCB板以及吸取机构。调整机构具有可调节的配合台；夹持机构安装在配合台上，形成有固定部和夹持部，夹持部对硅基芯片形成夹紧状态或松开状态；过渡PCB板设置在固定部上，与硅基芯片电连接；吸取机构可调节地设置在配合台上，调整吸取机构位置以靠近硅基芯片，使吸取机构吸取硅基芯片；通过调整机构调整配合台的位置，进而调整硅基芯片的位置，使硅基芯片与光器件进行耦合。同时还提供了一种硅基芯片耦合装置及耦合方法，在硅基芯片与光器件耦合时可以调整硅基芯片以及光器件的位置，提高了硅基芯片和光器件的耦合效率以及器件性能。
一种芯片调节装置耦合方法

[发明专利]硅基复合负极材料的制备方法-CN202010604043.6有效
发明人：张健;赵前进;徐斌 -专利权人：瑞声科技（南京）有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基复合负极材料的制备方法，该方法包括：将硅基原材料处理，得到纳米硅基颗粒；将所述纳米硅基颗粒进行导电化处理，得到导电性纳米硅基颗粒；以所述导电性纳米硅基颗粒为内核，以高分子材料为外壳，搭建使得所述导电性纳米硅基颗粒可在所述外壳内进行体积变化的构壳结构，所述构壳结构即为所述硅基复合负极材料。本发明的硅基复合负极材料依次通过纳米化处理、导电化处理以及构壳结构搭建，可以实现导电性纳米硅基颗粒在外壳的内部空间中进行体积变化，从而改善其循环性能，使得该硅基复合材料具有良好的倍率性能和循环稳定性。
复合负极材料制备方法

[发明专利]处理硅基晶圆的方法与系统及封装半导体元件的方法-CN200910130333.5有效
发明人：李建勋;陈承先;李明机;郭祖宽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明是有关于一种处理硅基晶圆的方法与系统及封装半导体元件的方法。该硅基晶圆具有第一表面及第二表面，一玻璃载体利用紫外线照射胶布设置在硅基晶圆的第二表面，该处理硅基晶圆的方法包括：利用真空夹持器夹持硅基晶圆，其中真空夹持器作用在硅基晶圆的第一表面；通过玻璃载体以紫外线束照射紫外线照射胶布，释放紫外线照射胶布，由硅基晶圆上移除玻璃载体；翻转硅基晶圆；置放硅基晶圆于真空基板上；利用真空作用将硅基晶圆稳固于真空基板上；及自硅基晶圆移除真空夹持器。本发明还提供了一种封装半导体元件的方法，及一种处理硅基晶圆的系统。藉此，利用真空基板提供玻璃载体移除后硅基晶圆所需的刚性，以减少穿透硅介层窗中介层的毁损。
处理硅基晶圆方法系统封装半导体元件

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