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[发明专利]低直流漂移薄膜及其制备方法-CN202310975076.5在审
发明人：梁龙跃;张秀全;胡文 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-08-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种低直流漂移薄膜及其制备方法，用于制备包括第二缓冲层的低直流漂移薄膜，第二缓冲层包括呈周期性间隔排布的第一缓冲部和第二缓冲部，且第一缓冲部的电阻率大于第二缓冲部的电阻率，或第一缓冲部的电阻率小于第二缓冲部的电阻率。第二缓冲层的电阻率在表面上以高阻率和低阻率相间的周期性形式分布，进而可以调节第二缓冲层在不同方向上的电阻率，从而可以减小第二缓冲层的纵向电阻，以引入有利的负直流漂移，能够部分抵消不利的正直流漂移，同时不会导致第二缓冲层的横向电阻发生明显下降，因此不会引入显著增加的直流漂移量，从而抑制直流漂移现象。
直流漂移薄膜及其制备方法

[发明专利]一种用于制作体声波器件的压电薄膜体及其制备方法-CN202010341765.7有效
发明人：张秀全;王金翠;朱厚彬;李真宇;李洋洋;刘桂银 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本申请公开一种用于制作体声波器件的压电薄膜体及其制备方法，用于制作体声波器件的压电薄膜体包括依次叠加的薄膜体衬底、第一强化层、压电薄膜层和第二强化层；其中，所述第一强化层和所述第二强化层的杨氏模量大于所述压电薄膜层的杨氏模量。可以解决压电薄膜与金属电极直接接触以及在背面刻蚀过程中易过刻和在制备器件的过程中易碎裂等问题；同时制备方法，可以解决现有压电薄膜成膜方法容易产生晶格失配、热失配以及界面缺陷的问题。
一种用于制作声波器件压电薄膜及其制备方法

[发明专利]微米级单晶薄膜-CN201810890775.9有效
发明人：张秀全;朱厚彬;胡文;罗具廷;胡卉;李洋洋 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种微米级单晶薄膜。所述微米级单晶薄膜包括：衬底层；以及微米单晶薄膜层，位于衬底层上，其中，在衬底层与微米单晶薄膜层之间可以包括过渡层，所述过渡层可以包括与衬底层相邻设置的第一过渡层以及与微米单晶薄膜层相邻设置的第二过渡层，其中，过渡层可以包括H以及在对衬底层和微米单晶薄膜层进行等离子体键合时使用的至少一种等离子体气体的元素。
微米级单晶薄膜

[发明专利]一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法-CN202310759385.9在审
发明人：贾斌;李真宇;张秀全;卢桂杰;薛海蛟;胡卉 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开一种X切铌酸锂晶圆正反面判定方法，将X切铌酸锂晶圆的Y轴沿着X切铌酸锂晶圆的Z轴轴心旋转α角度后夹在X切铌酸锂晶圆正反面判定装置的上测试探头和下测试探头之间；利用X切铌酸锂晶圆正反面判定装置中的电磁驱动器在X切铌酸锂晶圆上施加低频交变力，X切铌酸锂晶圆产生交变电荷，测量获得X切铌酸锂晶圆的被测输出电压；利用X切铌酸锂晶圆的被测输出电压，计算获得X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数；基于X切铌酸锂晶圆的纵向压电应变常数，判定X切铌酸锂晶圆的正反面状态，正反面状态为X切铌酸锂晶圆的+X面朝上或X切铌酸锂晶圆的‑X面朝上，本方法可以成功识别X切铌酸锂晶圆的正反面。
一种切铌酸锂晶圆正反面判定方法

[实用新型]晶片存放花篮-CN202320900637.0有效
发明人：闫青芝;杜科君;连坤;王金翠;胡文 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种晶片存放花篮，涉及半导体技术领域，包括活动设置在第一侧部或第二侧部上的晶片限位件。该晶片存放花篮能够根据晶片的尺寸更换对应尺寸的晶片限位件，从而能够将不同尺寸的晶片限位在容置空间中，保证该晶片存放花篮能够同时盛放不同尺寸的晶片，提高了其适用能力；同时，由于一种规格的晶片存放花篮能够存放或转运多种不同尺寸的晶片，进而可减少晶片存放花篮的数量，避免占用生产资源浪费。
晶片存放花篮

[发明专利]复合薄膜及其制备方法-CN202310759448.0在审
发明人：杨超;胡文;刘亚明;张秀全;李真宇 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括依次层叠设置的陶瓷基板、隔离层和有源层；其中，陶瓷基板的材质包括尖晶石、氧化铝、氧化镁、莫来石、堇青石、氧化钙、二氧化钛、氮化铝、二氧化硅、氮化硅和碳化硅中的至少一者。由于陶瓷基板中具有空位缺陷，能够捕获载流子，避免载流子移动至与隔离层接触的表面，进而避免复合薄膜发生表面寄生电导效应，解决了现有技术中具有硅材质的衬底层的复合薄膜易发生表面寄生电导效应的问题。另外，本申请的陶瓷基板的价格相较现有技术中的硅材质的衬底层价格低，即，在提高复合薄膜性能的同时，降低了复合薄膜的生产成本。
复合薄膜及其制备方法

[实用新型]晶片表面保护膜分离装置-CN202321213586.0有效
发明人：杜科君;薛海蛟;刘亚明;胡文 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种晶片表面保护膜分离装置，包括壳体，其中，壳体的内壁设有支撑件，支撑件的至少一侧具有分离空间，被晶片表面保护膜覆盖的晶片被放置在该分离空间中，晶片靠置在支撑件上，使晶片能够处于竖直状态，从而有利于晶片表面保护膜借助其重力自晶片上脱落，提高晶片表面保护膜自晶片上的分离效率。
晶片表面保护膜分离装置

[发明专利]一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625482.9在审
发明人：陈明珠;连坤;王金翠;张涛;董玉爽 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种含电荷阻隔层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过对衬底基板的工艺面进行界面热扩散掺杂或离子注入掺杂制得电荷阻隔层，然后在掺杂后的衬底基板上制备缺陷层，缺陷层采用在衬底基板上沉积制备或者采用腐蚀法腐蚀衬底基板或采用注入法注入衬底基板产生注入损伤，形成缺陷层；再在缺陷层上采用沉积法或氧化法制备隔离层，形成复合基底；将薄膜基体注入片与复合基底的隔离层进行键合形成键合体，并进行热处理形成复合薄膜。本发明的复合基底、复合薄膜增加了用于阻止缺陷层中的电荷下溢的电荷阻隔层，能够大幅度提高衬底层和缺陷层界面间的阻抗，防止影响其在电子元器件制备中的应用。
一种电荷阻隔复合基底薄膜及其制备方法

[实用新型]带电离子束的偏移控制装置及离子注入设备-CN202320691013.2有效
发明人：韩智勇;刘亚明;胡卉;胡文;张秀全;刘桂银;李真宇 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种带电离子束的偏移控制装置及离子注入设备，包括偏转单元。偏转单元包括第一偏转组件和第二偏转组件；其中，第一偏转组件中设置有极性相反的第一电极和第二电极，第一电极与第二电极位置相对且分列带电离子束的两侧。第二偏转组件中设置有极性相反的第三电极和第四电极，第三电极与第四电极位置相对且分列带电离子束的两侧。带电离子束依次经过第一偏转组件和第二偏转组件，在保证带电离子束的射出方向与射入方向相同的前提下，第一偏转组件和第二偏转组件对带电离子束的射出位置进行了调整，从而可在确保所有带电离子束在与晶圆夹角均相同的情况下，对晶圆表面的不同位置完成离子注入工作。
带电离子束偏移控制装置离子注入设备

[发明专利]复合薄膜及其制备方法-CN202310759478.1在审
发明人：杨超;胡文;刘亚明;张秀全;李真宇 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种复合薄膜及其制备方法，包括：依次层叠的衬底层、隔离层和有源层；其中，衬底层的材质为多晶材料，和/或非晶材料。首先，相较于现有技术的复合薄膜中硅材质的衬底层，本申请制备复合薄膜的过程中无需进行硅材质提纯、硅衬底多步清洗以及多晶硅生长工艺制作缺陷层等步骤，大大简化了复合薄膜的制备过程；其次，多晶材料或者非晶材料的衬底层中存在空位缺陷，其可以捕获载流子，从而能够避免复合薄膜中产生寄生导电效应，降低损耗；再者，多晶或者非晶材料的价格远低于硅材料的价格，约为其1/3；因此，具有多晶材料或非晶材料衬底层的复合薄膜，可以在保证性能的前提下，大大降低成本。
复合薄膜及其制备方法

[实用新型]一种晶圆清洗辅助装置-CN202320075294.9有效
发明人：闫青芝;连坤;王金翠;胡卉;胡文 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆清洗辅助装置，包括：承载组件包括载物台，所述载物台上具有用于放置晶圆片的置物空间；定位组件，设于所述载物台上，包括分散于所述置物空间周围的限位件，所述限位件与晶圆片抵接，将晶圆片与所述载物台保持相对静止本实用新型提供的晶圆清洗辅助装置，载物台提供的置物空间，为晶圆的定位提供了固定位置，置物空间周围的限位件可以将晶圆片固定在置物空间内，使得晶圆片和载物台保持静止，让两者在清洗过程中成为一体，避免利用镊子固定晶圆片的位置，从而可以有效减少清洗过程中镊子划伤晶圆表面的情况发生，对晶圆片提供了有效保护。
一种清洗辅助装置

[发明专利]一种热释电复合薄膜的制备方法-CN202310771788.5在审
发明人：韩智勇;张秀全;刘亚明;郑珊珊;刘桂银 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种热释电复合薄膜的制备方法，具体为向薄膜晶圆的一面依次注入剥离气体离子和导电金属离子，使薄膜晶圆中依次形成薄膜层、损伤层和余质层；使薄膜晶圆注入片的薄膜层与衬底晶圆的隔离层键合，得到键合体；对键合体进行热处理，损伤层中剥离离子形成气泡分离层将薄膜晶圆分离成两部分，带有薄膜层的衬底晶圆即为热释电复合薄膜。本发明通过先注入剥离离子、再向损伤层中注入导电金属离子形成薄膜层、损伤层和余质层，在离子注入和热处理的作用下，剥离离子在损伤层形成分离气泡层，使得薄膜晶圆断裂，导电金属离子使薄膜层两侧的正负电荷抵消，减小了热释电效益，减小了损伤层两侧的电荷积累程度，也减小了薄膜层材料极化的风险。
一种热释电复合薄膜制备方法

[发明专利]一种复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625369.0在审
发明人：连坤;陈明珠;王金翠;张涛;董玉爽 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。其复合基底依次包括：衬底层、缺陷层、电荷阻隔层和隔离层；其中电荷阻隔层是基于界面热扩散掺杂法或离子注入掺杂法对缺陷层的工艺面进行掺杂制得的，用于阻止缺陷层中的电荷上溢。复合基底以及复合于复合基底的隔离层上的薄膜层组成复合薄膜。本发明的复合基底和/或复合薄膜不仅具有富含载流子陷阱的缺陷层，用于捕获载流子，抑制PSC效应，而且还在缺陷层和隔离层之间增加了用于阻止缺陷层中电荷上溢的电荷阻隔层，能够大幅度增加缺陷层和隔离层之间界面的阻抗，防止缺陷层中的电荷外泄影响复合基底和/或复合薄膜在后续制备电子元器件中的应用。
一种复合基底薄膜及其制备方法

[发明专利]一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法-CN202310625387.9在审
发明人：王金翠;连坤;陈明珠;张涛;董玉爽 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本申请提供了一种含电荷捕获层的复合基底、复合薄膜及其制备方法，属于半导体元件制备领域。通过在衬底基板上制备缺陷层，对缺陷层进行离子注入掺杂或界面热扩散掺杂，然后对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后，掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为电荷捕获层，未掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为隔离层，形成复合基底；并基于离子注入法对薄膜基体的工艺面进行注入离子得到薄膜基体注入片，将薄膜基体注入片与复合基底的电荷捕获层进行键合形成键合体，对键合体进行热处理，使键合体的薄膜层转移至复合基底上形成复合薄膜。本发明的复合薄膜在隔离层和薄膜层之间增加了用于捕获界面电荷的电荷捕获层，可降低电荷对后续器件造成的影响。
一种电荷捕获复合基底薄膜及其制备方法

[实用新型]用于晶圆厚度测量的辅助装置-CN202320299202.5有效
发明人：杜科君;刘亚明;胡卉;胡文 -专利权人： 济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种用于晶圆厚度测量的辅助装置，包括托盘和定位件。其中，托盘用于上设置有容置空间，晶圆被放置在容置空间中。定位件用于在测量晶圆厚度时盖设在托盘上，并且定位件上设置有测量位。通过定位件上的测量位能够在多片相同的晶圆上定位到相同的测量位置，从而能够减小测量误差，保证晶圆厚度测量的准确性。
用于厚度测量辅助装置

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