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[发明专利]铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法-CN201910242772.9有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。
掺杂红外光电探测器及其形成方法

[发明专利]一种硅基单片红外像素传感器的制造方法-CN201811110509.6有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请提供一种硅基单片红外像素传感器及其制造方法，该硅基单片红外像素传感器包括：硅基衬底11；位于硅基衬底11上的缓冲层12；以及位于缓冲层12上的红外探测器13和晶体管14，其中，红外探测器13和晶体管14均采用锗锡(GeSn)材料。根据本申请，红外探测器和晶体管都采用锗锡(GeSn)材料制备，因此，能够结合锗锡(GeSn)材料在红外波段的高响应特性和锗锡(GeSn)材料晶体管的高迁移率特性，并且，能够在标准CMOS工艺下，将光电探测器和晶体管集成在一个硅衬底中以形成单片红外像素传感器。
一种单片红外像素传感器制造方法

[发明专利]突发帧、突发帧传输方法及装置、设备及存储介质-CN202310557898.1在审
发明人： 涂芝娟;张俊文;黄新刚 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H04L7/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种突发帧、突发帧传输方法及装置、设备及存储介质，其中，突发帧包括前导码及净荷；前导码采用第一调制格式调制得到；净荷采用第二调制格式调制得到。突发帧的前导码和净荷采用不同的调制格式，这样的话，一方面可以使得净荷采用高码率的调制格式进行调整，另一方面突发帧的前导码可以沿用原来码率较低的调制格式，从而可以利用原来的系统实现时钟同步，故与接收端内进行时钟同步的旧装置具有很好的兼容性。
突发传输方法装置设备存储介质

[发明专利]相移器及硅基电光调制器-CN201811134136.6有效
发明人： 涂芝娟;汪巍;方青;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明提供一种相移器及硅基电光调制器，相移器包括：第一掺杂类型半导体层；第二掺杂类型半导体层，与第一掺杂类型半导体层间隔排布；第一介质层，位于第一掺杂类型半导体与第二掺杂类型半导体层之间；第二介质层，位于第一介质层与第二掺杂类型半导体层之间；插入材料层，位于第一介质层与第二介质层之间，插入材料层在外部驱动电压的作用下产生负电容效应。本发明的相移器通过增设在外部驱动电压的作用下可以产生负电容效应的插入材料层，负电容效应可使得相移器内部电压得到放大，当相移器用于硅基电光调制器时，可以减小硅基电光调制器正常工作所需的外部驱动电压，大大提高硅基电光调制器的调制效率，降低硅基电光调制器的功耗。
相移电光调制器

[发明专利]偏振分束器及其形成方法-CN201910328570.6有效
发明人：汪大伟;汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明涉及光学技术领域，尤其涉及一种偏振分束器及其形成方法。所述偏振分束器包括：衬底；位于所述衬底表面且均沿第一方向延伸的第一波导、狭缝波导和第二波导；所述第一波导、所述狭缝波导与所述第二波导在沿与所述第一方向垂直的第二方向上平行排列，且所述狭缝波导位于所述第一波导与所述第二波导之间；所述第一方向为光线的传播方向，所述第一方向与所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；所述光线中的横磁偏振光能够自所述第一波导经所述狭缝波导耦合至所述第二波导。本发明实现了对光线中TM偏振模式与TE偏振模式的分离，在未来的偏振复用以及传感等方面有着诸多潜在的应用。
偏振分束器及其形成方法

[发明专利]一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法-CN201910273253.9有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于离子注入与退火方法的选区锗铅合金的制备方法。包括如下步骤：在衬底表面沉积基底介质层；在基底介质层中刻蚀开孔，露出所述衬底表面的外延生长区域；在所述外延生长区域内外延生长锗单晶层；采用离子注入方法在所述锗单晶层中注入铅离子；以及对注入有铅离子的锗单晶层进行退火，形成锗铅合金。根据本申请，在Ge外延层中注入Pb离子，可以有效调整Pd的含量，这为硅基光源的实现提供了新的材料选择；此外，所述GePb合金的制备方法是采用与CMOS完全兼容的离子注入方法引入Pb元素，结合退火，实现特定区域的GePb合金的制备，不仅工艺简单，而且与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
一种基于离子注入退火方法选区铅合金制备

[发明专利]基于激光刻蚀工艺的器件结构的制备方法-CN202111530777.5在审
发明人：王白银;余明斌;汪巍;涂芝娟;杜晓阳;陈旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明提供一种基于激光刻蚀工艺的器件结构的制备方法，包括：1)将多束激光母光束各自聚焦后等分处理成多个激光子光束，并将多个激光子光束进行等距排列；2)提供一控制模块，控制模块可独立控制各激光子光束；3)通过激光标记对位方法获取激光子光束的实际位置，以在控制模块建立与各激光子光束的实际位置一一对应的坐标图层；4)基于坐标图层，通过控制模块控制各子激光对目标基底进行激光刻蚀，以形成所需的器件结构。本发明能够通过控制多激光束达到无掩膜状态下进行不同位置、不同形状光波导精准刻蚀的目的，可极大降低成本，提高刻蚀速率；通过改变激光种类及能量，可实现不同深度光波导的精准刻蚀。
基于激光刻蚀工艺器件结构制备方法

[发明专利]波导型光电探测器的制备方法-CN202111485476.5在审
发明人： 涂芝娟;汪巍;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明提供一种波导型光电探测器的制备方法，包括：1)提供一衬底，对衬底进行刻蚀，形成探测器区域；2)对探测器区域的进行N型轻掺杂形成N型掺杂区，再对局部区域进行N型重掺杂形成N型重掺杂区；3)于N型掺杂区上形成第一锗光吸收层，于第一锗光吸收层上形成P型重掺杂的锗材料层；4)于P型重掺杂的锗材料层上形成第二锗光吸收层以及位于第二锗光吸收层上的N型重掺杂的锗材料层。本发明通过采用双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。
波导光电探测器制备方法

[发明专利]波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构-CN202111485465.7在审
发明人： 涂芝娟;汪巍;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供一种波导型光电探测器及双边输入波导型光电探测器结构，波导型光电探测器包括：衬底，衬底上形成有探测器区域，探测器区域包括N型掺杂区以及位于N型掺杂区局部区域的N型重掺杂形成N型重掺杂区；第一锗光吸收层，位于N型掺杂区上；P型重掺杂的锗材料层，位于第一锗光吸收层上；第二锗光吸收层，位于P型重掺杂的锗材料层上；N型重掺杂的锗材料层，位于第二锗光吸收层上。本发明通过双端输入的光电探测器和背对背的PN结结构，可以明显减小空间电荷效应的影响，实现高饱和输出功率的光电探测器。
波导光电探测器双边输入结构

[发明专利]基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法-CN202111483805.2在审
发明人：杜晓阳;余明斌;汪巍;涂芝娟;王白银;陈旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SOI晶圆的氮化硅波导的制备方法，包括步骤：1)于SOI晶圆的第一主面沉积隔离介质层；2)采用低压化学气相沉积工艺于沉积隔离介质层上和SOI晶圆的第二主面分别形成第一氮化硅层和第二氮化硅层；3)刻蚀第二氮化硅层，以至少去除第二氮化硅层的部分厚度；4)采用等离子体增强化学气相沉积工艺于SOI晶圆的第二主面沉积高应力氮化硅层；5)刻蚀第一氮化硅层，以形成氮化硅波导，高应力氮化硅层用于在形成氮化硅波导时使氮化硅波导达到应力平衡。本发明不仅解决了氮化硅波导应力不平衡的问题而且还保护了晶圆正面的器件，可广泛应用于硅光子技术中。
基于 soi 氮化波导制备方法

[发明专利]突发时钟同步、突发帧传输方法及装置、设备及存储介质-CN201811594792.4有效
发明人： 涂芝娟;张俊文;黄新刚 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H04J3/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种突发时钟同步方法及装置、突发帧传输方法及装置、通信设备及计算机存储介质。所述突发时钟同步方法，包括：接收突发帧；对所述突发帧进行采样获得采样信号；从所述采样信号中提取同步头；对所述同步头进行数字信号处理DSP获得相位误差；基于所述相位误差进行时钟同步。
突发时钟同步传输方法装置设备存储介质

[发明专利]无源光网络系统，数据传输方法、装置-CN202211508695.5在审
发明人：张伟良;袁立权;郭勇;耿丹;张俊文;魏君珊;涂芝娟;黄新刚 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H04Q11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种无源光网络系统，数据传输方法、装置；其中，数据传输方法，包括：在无源光网络系统的下行链路上以时分复用TDM方式在第一指定波长上传输OLT发送的不同速率的下行数据或由多个OLT发送的下行数据；在无源光网络系统的上行链路上以TDM方式在第二指定波长上传输由ONU向OLT发送的不同速率的上行数据或者由ONU向多个OLT发送的上行数据。通过本发明，解决了如何在节省波长资源的基础上实现PON系统共存的问题。
无源网络系统数据传输方法装置

[发明专利]台阶金属结构及硅光子器件结构的制备方法-CN202111404497.X在审
发明人：陈东石;涂芝娟;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种台阶金属结构及硅光子器件的制备方法，包括：1)在基底上形成台阶结构；2)于台阶结构上沉积隔离介质层；3)沉积金属层，顶面金属的厚度大于侧壁金属的厚度；4)于金属层上形成图形阻挡层；5)干法刻蚀显露的顶面金属的第二部分，使顶面金属的第二部分与侧壁金属的第二部分的厚度概呈相等；6)采用各项同性刻蚀工艺去除显露的顶面金属的第二部分和侧壁金属的第二部分。本发明采用金属干法刻蚀和各向同性刻蚀工艺技术组合，通过进一步调整金属干法刻蚀和各向同性刻蚀的刻蚀厚度比例，可以使台阶结构顶面的断面位置的金属层横向腐蚀更小，金属层的横向腐蚀尺寸更可控。
台阶金属结构光子器件结构制备方法

[发明专利]非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法-CN202111392291.X在审
发明人：陈东石;涂芝娟;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法及半导体器件的制备方法，包括：1)于硅基底中刻蚀出非对称深沟槽；2)形成硬掩膜层，进行第一热氧化工艺，生成第一氧化硅层；3)形成多晶硅层，多晶硅层在非对称深沟槽开口上方形成第一封口；4)刻蚀多晶硅层，形开口；5)进行第二热氧化工艺，在多晶硅层氧化形成第二氧化硅层的过程中，基于体积变化将开口封闭形成第二封口，从而控制第二氧化硅层所包围的孔隙的封口高度。本发明仅需采用传统的多晶硅沉积工艺结合多晶硅热氧化工艺便可有效对非对称大深宽比沟槽填充并控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。
对称大深宽沟槽填充方法半导体器件制备

[发明专利]非对称大深宽比沟槽的填充方法-CN202111392254.9在审
发明人：陈东石;涂芝娟;蔡艳;汪巍;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种非对称大深宽比沟槽的填充方法，包括：1)于基底形成非对称深沟槽；2)第一次沉积第一隔离介质层，随着第一隔离介质层的生长，非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第一封口；3)腐蚀第一隔离介质层，直至将第一封口打开，形成具有一宽度的开口；4)第二次沉积第二隔离介质层，第二隔离介质层在非对称深沟槽开口上方逐渐封闭形成第二封口，第二封口的高度低于第一封口的高度；5)重复进行步骤3)和步骤4)，以将最终的封口高度降低至目标高度。本发明仅需采用传统的隔离介质层沉积和腐蚀工艺技术便可有效控制孔隙的顶部封口位置，解决了用更先进设备也无法解决的非对称大深宽比硅沟槽填充问题，同时大大降低了填充成本。
对称大深宽沟槽填充方法

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