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[发明专利]一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器-CN202310961327.4在审
发明人：胡聪;潘静茹;万春霆;李越 -专利权人：桂林电子科技大学;南宁桂电电子科技研究院有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开一种用于光片上网络的混合表面等离子体定向耦合器，包括二氧化硅衬底和两个平行邻近的混合表面等离子体波导。其中波导结构模型由矩形有机聚合物纳米线、二氧化硅层、和银层自上而下叠加而成，其中矩形有机聚合物纳米线材料由IPC‑E和聚砜(Polysulfone)制备的主客掺杂型电光聚合物(25％IPC‑E+Polysulfone)(折射率为1.67)。本发明具有尺寸小，优异的传输特性和耦合特性。在一定程度上解决了传统表面等离子体定向耦合器传输损耗偏大、弱耦合条件与实际制作加工难度、难以同时实现较强的场局域性与良好的传输特性的问题，对相关微纳光子器件的研究有借鉴意义，在未来的光片上网络领域将有很好的应用前景。
一种用于光片上网络混合表面等离子体定向耦合器

[发明专利]一种基于MEMS的片上连续非易失调节结构-CN202310718125.7在审
发明人：李欢;胡寅鹏;戴道锌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS的片上连续非易失调节结构。包括基底、调节器和制动器；调节器包括传动杆、固定岛弹簧结构和单向静电梳驱动器；传动杆为十字形结构，制动器包括制动杆、两对固定岛弹簧结构、一组双向静电梳驱动器和机械停止结构，制动杆为长条形结构，制动杆的制动端用于与传动杆的制动端接触连接通过范德华力对传动杆制动。本发明实现了大范围连续非易失调节的功能，能降低网络的功耗，具有功耗低、调节范围大、制作工艺简单、灵活性强和不会引入额外损耗等显著优势。
一种基于 mems 连续失调结构

[发明专利]具有多厚度波导芯的波导和边缘耦合器-CN202310304997.9在审
发明人：卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开涉及具有多厚度波导芯的波导和边缘耦合器。用于波导或边缘耦合器的光子学结构和制造用于波导或边缘耦合器的光子学结构的方法。该光子学结构包括波导芯，波导芯具有第一部分、与第一部分纵向相邻的第二部分、从第一部分沿竖直方向突出的第一多个段、以及从第二部分沿竖直方向突出的第二多个段。波导芯的第一部分具有第一厚度，以及波导芯的第二部分具有大于第一厚度的第二厚度。
具有厚度波导边缘耦合器

[发明专利]用于放大光信号的光子集成电路-CN202180062682.7在审
发明人：安迪•派珀;罗德厚;汉源•艾伦•沈;许龙城;陈润全;蓝而来 -专利权人：实光半导体私人有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了光子集成电路(PIC)，其包括各种模场适配器(MFA)、波导和各种接触垫。所有MFA都在所述PIC的同一面上。所述PIC的一个MFA输出第一光信号，所述第一光信号是第二光信号的放大版本。所述波导被分为两个波导臂和连接所述两个波导臂的弯曲部分。所述波导在MFA之间延伸，使得所述第二光信号通过所述波导传播。此外，每个波导臂形成在所述接触垫之间。经由所述波导传播的第二光信号基于经由所述接触垫注入所述PIC中的电流被放大。
用于放大信号光子集成电路

[发明专利]一种机械补偿式无热阵列波导光栅及其制备工艺-CN202310959266.8在审
发明人：黄剑美;刘飞荣 -专利权人：深圳市飞宇光纤股份有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种波分复用系统技术，具体是一种机械补偿式无热阵列波导光栅及其制备工艺,该波导光栅包括输入光纤阵列、输出光纤阵列、芯片、补偿基座；输入光纤阵列与芯片的输入波导连接；输出光纤阵列与芯片的输出波导连接；芯片固定于补偿基座上端，并与输入光纤阵列及输出光纤阵列连接；补偿基座作为芯片的支撑底层；补偿基座上设置机械补偿结构。将无热阵列波导光栅的芯片分割为两部分，设置机械补偿结构使分割后的两个部分在温度变化时产生相对移动，从而补偿无热阵列波导光栅的芯片波长由温度引起的偏移。补偿后的无热阵列波导光栅输出中心波长随温度变化规律，为非线性关系。通过机械方式进行补偿，波导光栅能够在工作温度范围内正常工作，实现其中心波长能够稳定于合理范围内。
一种机械补偿式无热阵列波导光栅及其制备工艺

[发明专利]一种光波导-CN202310959242.2在审
发明人：毕哲宇;王文峰;徐丽敏;高彦棚;赵江;彭旷;张军 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种光波导，包括弯曲波导段，弯曲波导段的一端与第一直线波导段相连，另一端与第二直线波导段相连，弯曲波导段的弯曲外侧或弯曲波导段的弯曲内外两侧设有第一金属条，第一金属条与弯曲波导段芯层之间设有第一间隙，第一直线波导段的外侧或内外两侧设有第二金属条，第二金属条与第一直线波导段芯层之间设有第二间隙；第二直线波导段的外侧或内外两侧设有第三金属条，第三金属条与第二直线波导段芯层之间设有第三间隙。第一金属条的一端与第二金属条相连，另一端与第三金属条相连，金属条的高度大于光波导芯层横截面的高度，并且小于或等于4倍的光波导芯层横截面的高度。本发明可以有效降低波导弯曲损耗，同时实施工艺难度较低。
一种波导

[发明专利]具有光扩展耦合器的光学系统-CN202311132614.0在审
发明人： J·B·菲佛;F·艾塔;吴世百;F·施洛托;A·C·乌尔讷斯 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本公开涉及具有光扩展耦合器的光学系统。一种电子设备可包括为光学系统产生光的显示器，该光学系统将光朝向眼箱重定向。该光学系统可包括波导、非衍射输入耦合器、交叉耦合器和输出耦合器。该交叉耦合器可在第一方向上扩展光。该交叉耦合器可对光执行偶数次衍射，并且可以以适于全内反射的角度将光耦合回到波导中。该输出耦合器可在第二方向上扩展光，同时将光耦合出波导。该交叉耦合器可包括嵌入在波导内或形成在单独基板中的表面起伏光栅或全息光栅。该光学系统可在没有色散的情况下并且在支持扩展视场和光学带宽的同时将光朝向眼箱引导。
有光扩展耦合器光学系统

[发明专利]平面电介质结构中的多维光学波导-CN201910481231.1有效
发明人： N·D·海勒 -专利权人：波音公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及平面电介质结构中的多维光学波导。本公开的各方面公开了在x方向、y方向和z方向中的至少一个方向上从光子电路结构的一层向所述光子电路结构的另一层提供电磁波的设备、系统和方法。为此，本公开的各方面能够制造和使用多维光子电路结构，并因此改进通过这种多维光子电路结构实现的电路的容量、功率、重量、大小和/或成本。
平面电介质结构中的多维光学波导

[实用新型]光学器件-CN202320368708.7有效
发明人：刘泰翔;林弘毅;杨文杰 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光学器件，该光学器件包括：第一光集成电路和第二光集成电路，通过一光学元件传输光信号；其中，第一波长的光信号经由所述光学元件传输给所述第一光集成电路，并且第二波长的光信号经由所述光学元件传输给所述第二光集成电路，所述第一波长与所述第二波长不同。上述技术方案，通过一光学元件分别向不同的第一光集成电路和第二光集成电路传输不同波长的光信号，借此来进行光信号导向，至少可以改善先前须多次感测和判定导致的延迟问题。
光学器件

[发明专利]光学器件-CN202210330416.4在审
发明人：长瀬健司;田家裕;A·R·M·宾拉奥;王进武 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种光学器件，其具备：基板；光波导，其设置于所述基板上的规定区域并由电光材料膜形成；保护层，其邻接于所述光波导而形成；以及未透光的光波导，其设置于所述规定区域外，所述未透光的光波导的表面粗糙度为RMS0.5nm以上。根据本发明的光学器件，能够抑制在光波导上产生微裂纹，从而减小光的传输损耗。
光学器件

[发明专利]一种光栅端面耦合器及其设计方法-CN202210353554.4在审
发明人：谢臻达;张弛;田晓慧;祝世宁;许志城 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本申请提供一种光栅端面耦合器及其设计方法，所述光栅端面耦合器包括：埋氧层、铌酸锂层、光栅层和外包层，其中：所述埋氧层上键合设置所述铌酸锂层；所述铌酸锂层上沉积设置所述光栅层，所述铌酸锂层包括铌酸锂波导层和铌酸锂衬底层；所述光栅层包括光栅波导和输出波导；所述铌酸锂层和所述光栅层外侧镀有外包层。如此，仅需对光栅层的材料做大线宽长周期刻蚀，工艺成熟简单，可用于解决现有亚波长光栅倒锥型端面耦合器工艺复杂，导致生产成本过高的技术问题。
一种光栅端面耦合器及其设计方法

[发明专利]转接板、光芯片封装、计算加速器及其制造方法-CN202210369385.3在审
发明人：达迪.塞蒂亚迪;苏湛;吴建华;孙可烨;苏森德兰.贾亚钱德兰;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：南京光智元科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种转接板、光芯片封装、计算加速器及其制造方法。该转接板包括：玻璃基板，其包括一个或多个导电通孔，导电通孔包括贯穿玻璃基板的通孔以及通孔内填充的导电材料；以及光波导结构，布置在玻璃基板的第一表面上，其中，光波导结构包括一层或多层光波导以及包覆一层或多层光波导的包覆层，一层或多层光波导用于对封装在转接板上的多个光芯片进行光互连，并且一层或多层光波导的折射率大于包覆层以及玻璃基板的折射率，并且光波导结构还包括贯穿光波导结构的一个或多个第一导电结构，其与一个或多个导电通孔分别电连接。
转接芯片封装计算加速器及其制造方法

[发明专利]封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片-CN202210338343.3在审
发明人：达迪·塞蒂亚迪;邹静慧;苏湛;柏艳飞;孟怀宇;沈亦晨 -专利权人：上海曦智科技有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供封装结构及其制造方法、光子集成电路芯片。其中，所述制造方法包括提供光子集成结构，所述光子集成结构包括：光栅耦合器，以及反射层，其中，所述反射层与所述光栅耦合器对应；提供第一衬底；以及将所述光子集成结构与所述第一衬底键合，在所述键合之后，所述反射层位于所述光栅耦合器与所述第一衬底之间。本发明可以优化反射层的制造以及封装结构、相关芯片的制造及结构，避免对光子集成结构中光子器件层及其它结构产生不良影，降低了制造成本。
封装结构及其制造方法光子集成电路芯片

[发明专利]三角形端面的铌酸锂薄膜波导、制备方法及模斑变换器-CN202310845015.7在审
发明人：杨作运;宝剑锋;邱晨 -专利权人：苏州康冠光电科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种三角形端面的铌酸锂薄膜波导、制备方法及模斑变换器，包括衬底，设于所述衬底上的二氧化硅层，所述二氧化硅层上设有铌酸锂薄膜波导部，所述铌酸锂薄膜波导部端面为三角形。提出了多次刻蚀、控制刻蚀速率的方法来实现窄线宽模斑变换器的制备，刻蚀共包含三个过程，分别为LN脊刻蚀、Cr膜低深宽比刻蚀、LN三角形脊刻蚀。经实验验证，该方法能实现模斑变换器部位窄线宽三角形端面的薄膜铌酸锂波导制备；可以实现波导和光纤模斑的匹配，从而减小波导和光纤耦合的插入损耗，解决了铌酸锂薄膜光波导和光纤的模式适配问题；采用紫外光刻的工艺，使得效率更高且成本更低。
三角形端面铌酸锂薄膜波导制备方法变换器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202310766982.4有效
发明人：夏初晴;郑凯;苏悦阳;周亦康 -专利权人：北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括若干器件区和包围每个器件区的切割道区，所述SOI衬底上还包括第一介质层；位于所述第一介质层表面的第二介质层以及位于所述第二介质层中的第一波导结构，部分第一波导结构位于所述切割道区，任意相邻器件区的光路通过所述切割道区的第一波导结构连通。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，通过设置于切割道区的第一波导结构实现全片光互连并且降低器件延迟和功耗。
半导体结构及其形成方法

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