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[发明专利]形成源极/漏极上包括导电接触件的半导体器件的方法-CN201610210080.2有效
发明人：乔治·A·吉尔;咖尼时·海德;沃克·森古皮塔;伯纳·J·欧博阿多威;马克·S·荣德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。
形成漏极上包括导电接触半导体器件方法

[发明专利]多端子氮化镓功率晶体管-CN202180089113.1在审
发明人：吉尔伯托·库拉托拉 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化镓(Gallium Nitride，GaN)功率晶体管(100、300、500、600)，包括：源极焊盘(S)；漏极焊盘(D)；第一栅极焊盘(G1)和第二栅极焊盘(GN)；多个单元块(101)，每个单元块包括源极区(120)、漏极区(130)和栅极区(110)；源极金属化层，所述源极金属化层使所述多个单元块(101)的所述源极区(120)与所述源极焊盘(S)接触；漏极金属化层(115)，所述漏极金属化层(115)使所述多个单元块(101)的所述漏极区(130)与所述漏极焊盘(D)接触；第一栅极金属化层，所述第一栅极金属化层使所述单元块(101)的第一部分的所述栅极区(110)与所述第一栅极焊盘(G1)接触；第二栅极金属化层，所述第二栅极金属化层使所述单元块(101)的第二部分的所述栅极区(110
多端氮化功率晶体管

[发明专利]GaN器件及制备方法-CN202110269231.2有效
发明人：马飞;邹鹏辉;王文博;邱士起;周康 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN器件及制备方法，通过AlGaN势垒层自金属栅极向金属漏极方向厚度渐变的结构，来逐渐改变GaN沟道内自金属栅极向金属漏极的二维电子气浓度，从而缓解GaN器件的电场峰值，提高GaN器件的耐压性能；进一步的，位于第一凹槽倾斜侧壁的金属漏极可同时作为漏端的场板，以调节电场强度，提高耐压；进一步的，当金属漏极填充第一凹槽及第二凹槽时，可制作双栅GaN器件，且金属漏极一方面可作为场板以调节电场，同时还可作为金属散热柱
gan 器件制备方法

[发明专利]TFT基板、具备TFT基板的扫描天线以及TFT基板的制造方法-CN201780066430.5有效
发明人：美崎克纪 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：TFT基板(105)具有：栅极金属层(3)，其包含TFT(10)的栅极电极(3G)和贴片电极(3PE)；栅极绝缘层(4)，其形成于栅极金属层上，具有到达贴片电极的第1开口部(4a)；源极金属层(7)，其形成于栅极绝缘层上，包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极(7D)以及从漏极电极延伸设置的漏极延设部(7de)；层间绝缘层(11)，其形成于源极金属层上，具有在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠的第2开口部(11a)和到达漏极延设部的第3开口部(11b)；以及导电层(19)，其形成于层间绝缘层上，包含贴片漏极连接部(19a)。贴片漏极连接部在第1开口部内与贴片电极接触，在第3开口部内与漏极延设部接触。
tft 基板具备扫描天线以及制造方法

[发明专利]一种双极型场效应晶体管及其制备方法-CN202110293406.3在审
发明人：蔡文必;何湘阳;魏鸿基;郭佳衢 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/8248 文献下载
摘要：本发明提供一种双极型场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：通过发射极接触光罩形成发射极金属、源极金属和漏极金属；通过凹槽蚀刻光罩以在源极金属和漏极金属之间露出肖特基层；通过发射极台阶层光罩以在发射极金属两侧露出发射极层；通过基极接触光罩以分别形成基极金属和栅极金属。通过EC光罩同步制作发射极金属、源极金属和漏极金属，通过BC光罩在制作HBT中的基极金属时，同步制作FET中的栅极金属，如此，可以避免额外使用单独的光罩制作FET中的栅极金属，有效的简化了工艺步骤，提高了制作效率
一种双极型场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]金属氧化物半导体晶体管-CN201110206147.2有效
发明人：蔡娟娟;冉晓雯;孟心飞;叶隽正 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2011-07-22 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属氧化物半导体晶体管，该金属氧化物半导体晶体管包括栅极、金属氧化物主动层、栅极绝缘层、第一源/漏极及第二源/漏极。金属氧化物主动层具有位于其相对两侧的第一表面与第二表面，且第一表面与栅极相对。栅极绝缘层位于栅极与金属氧化物主动层之间。第一源/漏极与第二源/漏极分别连接于金属氧化物主动层。金属氧化物主动层的第二表面包括位于第一源/漏极与第二源/漏极之间的迁移率增强区域。金属氧化物主动层位于迁移率增强区域的含氧量小于位于迁移率增强区域之外的含氧量。本发明金属氧化物半导体晶体管具有较高的载子迁移率。
金属氧化物半导体晶体管

[发明专利]晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置-CN201210126730.7有效
发明人：姜春生 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置，用于提高阵列基板的开口率，该方法包括：形成第一源极和漏极金属层；在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层；在绝缘层上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层形成半导体层；在半导体层上形成的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层；在第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。
晶体管制作方法阵列以及显示装置

[发明专利]一种探测基板的制作方法、探测基板及X射线探测器-CN201710509175.9有效
发明人：孙建明;黄睿;吴慧利;李东升;任庆荣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：通过在衬底上通过构图工艺依次形成栅电极层、栅绝缘层、有源层，通过构图工艺形成源极和漏极，所述源极和所述漏极均部分覆盖所述有源层，所述源极和所述漏极均为金属层与金属氧化物层的复合层，所述金属层靠近所述有源层，依次形成第一钝化层、遮光层以及PIN光电二极管的I型层和P型层，所述I型层覆盖所述源极与所述漏极间的有源层。金属层与金属氧化物层的复合层作为薄膜晶体管的源极和漏极，金属氧化物层既可以作为金属层的保护层，同时可代替PIN光电二极管的重掺杂N型层，减少制作过程中的工艺流程，提高生产效率，降低生产成本。
一种探测制作方法射线探测器

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010475964.7在审
发明人：江国诚;潘冠廷;林志昌;朱熙甯;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种具有金属栅极的半导体结构的形成方法。半导体结构是先于半导体基板之上制造鳍片，再形成源极与漏极凹口。接着，可于源极与漏极凹口之中沉积源极与漏极区。栅极结构可沉积于鳍片之间的区域之中。栅极结构包括介电与金属层。在鳍片之间的区域中，绝缘层隔离了栅极结构以及源极与漏极区。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构-CN200810080434.1有效
发明人：柯志欣;陈宏玮;葛崇祜;官大明;李文钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，包括：半导体基底；栅介电层，位于半导体基底上；栅极，位于栅介电层上；深源极/漏极区，邻近栅极；硅化物区，位于深源极/漏极区上；以及，增高式金属化源极/漏极区，介于硅化物区与栅极之间其中，增高式金属化源极/漏极区邻接硅化物区。本发明可增加MOS元件的驱动电流与降低漏电流。
半导体结构

[发明专利]半导体器件及制造方法-CN201610178150.0在审
发明人：刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及制造方法，包括衬底、位于衬底上的氮化镓GaN层、位于GaN层上的氮化镓铝AlGaN层、开设有栅极接触孔、源极接触孔和漏极接触孔的介质层、栅极、源极、以及漏极；介质层位于AlGaN层的表面上，栅极接触孔位于源极接触孔和漏极接触孔之间；栅极包括自下向上依次填充栅极接触孔的氧化铝Al2O3层和金属层，源极包括填充源极接触孔的金属层，漏极包括填充漏极接触孔的金属层。
半导体器件制造方法

[发明专利]具有凹洞板互联的半导体封装-CN200880001385.6有效
发明人：孙明;石磊;刘凯 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：此封装包含有引线框架、半导体芯片、图案化源极连接、半导体芯片漏极区域与封装材料，引线框架具有漏极引脚、源极引脚和栅极引脚，半导体芯片耦合到引线框架上，并具有若干金属化源极区域和一个金属化栅极区域，图案化源极连接上形成有若干个凹洞，并用以使栅极引脚至半导体芯片的金属化栅极区域连接，半导体芯片漏极区域耦接于漏极引脚，而封装材料覆盖于至少一部分的半导体芯片、漏极引脚、源极引脚与栅极引脚。
具有凹洞板互联半导体封装

[发明专利]P型差分式电场微传感器-CN200510040658.6无效
发明人：黄庆安;王立峰;秦明;茅盘松 -专利权人：东南大学
申请日： 2005-06-22 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：N型差分式电场微传感器，由p沟道电场传感器、p沟道耗尽型金属氧化物半导体管、N型金属氧化物半导体管电流镜及P型金属氧化物半导体管组成，N型金属氧化物半导体管电流镜由2个N型金属氧化物半导体管组成，2个N型金属氧化物半导体管的源极相连并接地，其栅极互连并与一个N型金属氧化物半导体管的漏极连接且与p沟道电场传感器的漏极连接，另一N型金属氧化物半导体管的漏极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的漏极连接且该节点作为输出端，p沟道电场传感器的源极与p沟道耗尽型金属氧化物半导体管的源极连接并与P型金属氧化物半导体管的漏极连接，P型金属氧化物半导体管的源极与电源相连，P型金属氧化物半导体管的栅极接偏置电压。
分式电场传感器

[发明专利]具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺-CN202110829213.5在审
发明人：张龙;袁帅;马杰;崔永久;王肖娜;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺，器件包括：P型硅衬底上设有氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层上设有铝镓氮势垒层，再上设有金属源极、金属漏极和P型氮化镓层及金属栅极；在P型硅衬底内设有N型区域，所述金属漏极延伸穿过铝镓氮势垒层和氮化镓缓冲层并连接于N型区域，在金属漏极与氮化镓缓冲层之间设有氮化物钝化层并用于隔离金属漏极与氮化镓缓冲层。制备工艺包括：一，在P型硅衬底中形成N型区域；二，在P型硅衬底上生长氮化镓缓冲层；三，在氮化镓缓冲层上生长铝镓氮势垒层；四，在铝镓氮势垒层上形成P型氮化镓层；五，形成氮化物钝化层；六，分别淀积金属以形成金属源极、金属漏极和金属栅极。
具有雪崩能力氮化功率器件及其制备工艺

[发明专利]T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法-CN200810043723.4有效
发明人：陈福成;朱骏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-08-21 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种T型金属栅极的MOS晶体管制作工艺方法，包括如下步骤：第1步，淀积一多晶硅层；第2步，刻蚀出T型多晶硅栅极；第3步，在T型多晶硅栅极四周形成氧化硅层；第4步，光刻形成源区、漏区，对源区、漏区进行轻掺杂漏注入；第5步，形成侧墙，在源区、漏区进行源/漏注入形成源极和漏极；第6步，在源极和漏极之上制作一金属硅化物层；第7步，淀积一金属前电介质层；第8步，化学机械研磨金属前电介质层；第9步，刻蚀形成T型孔洞；第10步，向T型孔洞中填充金属形成T型金属栅极。本发明制作的T型金属栅极，缩小了栅极底部线宽尺寸，减小了源极和漏极之间的实际沟道长度，满足了MOS晶体管日益提高的开启速度需求。
金属栅极 mos 晶体管制作工艺方法