[发明专利]晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置有效
申请号: | 201210126730.7 | 申请日: | 2012-04-26 |
公开(公告)号: | CN102683193A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 姜春生 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置,用于提高阵列基板的开口率,该方法包括:形成第一源极和漏极金属层;在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层;在绝缘层上形成栅极金属层;在栅极金属层上形成栅极绝缘层;在栅极绝缘层形成半导体层;在半导体层上形成的刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层;在第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。可见通过该方法制作的晶体管可提高阵列基板的开口率。 | ||
搜索关键词: | 晶体管 制作方法 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种晶体管的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在基板上形成第一源极和漏极金属层;在所述第一源极和漏极金属层上形成绝缘层;所述绝缘层包含第一绝缘区域和第二绝缘区域,所述第一绝缘区域和第二绝缘区域位于相对于第一源极和漏极金属层中心线相对设置且具有一空白区域;在所述绝缘层上形成栅极金属层;所述栅极金属层包含第一栅极区域和第二栅极区域,且所述第一栅极区域覆盖所述第一绝缘区域,所述第二栅极区域覆盖所述第二绝缘区域;在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成半导体层;所述半导体层的正投影区域覆盖所述第一源极和漏极金属层;在所述半导体层上形成刻蚀阻挡层;所述刻蚀阻挡层的正投影区域覆盖所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间的空白区域;在所述刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层;所述第二源极和漏极金属层包括源极区域和漏极区域的第二源极和漏极金属层;所述源极区域形成的正投影区域覆盖所述半导体层与所述第一栅极区域的重叠部分;所述漏极区域形成的正投影区域覆盖半导体层与第二栅极区域的重叠部分;在所述第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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