“tft”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11767个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种光学显示系统的TFT组件机构-CN202120599725.2有效
发明人：卢睿;周紫军;黄曙光;王应君;羅敬凱 -专利权人：深圳市锐思华创技术有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B60R11/02 文献下载
摘要：一种光学显示系统的TFT组件机构，包括TFT光学模组、导光罩，所述TFT光学模组包括灯光板底壳、灯光板、光杯、扩散片、TFT下盖、TFT、TFT面盖；所述TFT下盖为一腔体结构，所述TFT面盖嵌设于TFT下盖腔体结构的右侧，所述TFT夹设于TFT下盖与TFT面盖之间，所述TFT下盖的腔体结构左侧依次嵌设扩散片、光杯、灯光板、灯光板底壳；所述灯光板底壳为散热性能良好的金属底壳，所述金属底壳的外端面为散热鳍片；所述TFT下盖与TFT之间以及TFT面盖与TFT之间还分别夹设有环状垫体。该TFT组件机构增设TFT防震结构和光源散热结构和导光罩，使得光源发光稳定且均匀，同时光源效率高。
一种光学显示系统 tft 组件机构

[发明专利]一种EPS系统TFT匹配方法-CN201010621542.2无效
发明人：周勃;陈扬;孔栋;李暾;万兵;夏军;陈俊华 -专利权人：重庆重邮信科通信技术有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H04L12/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种EPS系统TFT匹配方法，包括，PDN连接建立后，系统为PDN连接分配包括256个块内存的TFT_BUFFER；每个块内存固定对应一个TFT优先级；将PDN连接的TFT filter存储到TFT_BUFFER中，并将存储的TFT filter设置为有效状态；建立有效TFT filter索引保存各TFT filter存储位置；根据有效TFT filter索引顺序读取TFT filter与IP报文进行TFT匹配；根据TFT匹配结果将IP报文绑定在相应的EPS承载上发送。使用本发明的技术方案，当PDN连接的TFT filter发生变化时，无需对其他未发生变化的TFT filter进行修改，提高系统TFT匹配中TFT管理的效率。
一种 eps 系统 tft 匹配方法

[发明专利]TFT基板结构-CN201410814177.5有效
发明人：张合静;曾志远;苏智昱;李文辉;石龙强;吕晓文 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT基板结构，包括一开关TFT与一驱动TFT，所述开关TFT具有第一有源层，所述驱动TFT具有第二有源层，所述第一与第二有源层采用相同或不同的材料制备，所述开关TFT与驱动TFT的电性能不同本发明根据不同TFT所实现功能的不同，将开关TFT与驱动TFT采用不同的工作结构分别进行沉积和光刻，并对开关TFT与驱动TFT的有源层采用不同的材料，实现TFT基板中不同TFT的电性能差异化，从而以最低的成本实现
tft 板结

[实用新型]一种TFT基板及显示屏-CN202120171106.3有效
发明人：吴伊;谭桂财 -专利权人：深圳市柔宇科技股份有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种TFT基板及显示屏，其中，TFT基板包括第一TFT结构及第二TFT结构，第二TFT结构叠设于第一TFT结构，第一TFT结构与第二TFT结构间形成有重叠区域和非重叠区域。本实用新型将第二TFT结构叠设于第一TFT结构，此时，第一TFT结构与第二TFT结构间形成有重叠区域和非重叠区域，以此来减小像素点的布局面积，从而提升了TFT基板的像素密度，使得TFT基板能够适用于窄边界的显示屏
一种 tft 显示屏

[发明专利]有机电激发光像素电路-CN200510105641.4无效
发明人：佐佐木昭史;松本昭一郎 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：本发明的有机电激发光像素电路是使选择TFT(20)及控制TFT(30)关断，使短路TFT(28)及重设控制TFT(26)导通，而重设驱动TFT(24)的栅极电压。其次，在控制TFT(30)为关断的状态下，使选择TFT(20)导通，且使短路TFT(28)及重设控制TFT(26)关断，而将数据信号施加于驱动TFT(24)的栅极。之后，在选择TFT(20)导通的期间中，使控制TFT(30)导通之后使选择TFT(20)关断，由此，可在控制TFT(30)导通之际，防止驱动TFT(24)的栅极电压下降。
机电激发像素电路

[发明专利]具有多种类型的薄膜晶体管的显示器背板-CN201580069527.2有效
发明人：权会容;金炯洙;李美凜 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种TFT背板，所述TFT背板包括具有氧化物有源层的至少一个TFT和具有多晶硅有源层的至少一个TFT。在本发明的实施方式中，用于实现有源区域中的像素电路的TFT中的至少一个TFT是氧化物TFT(即，具有氧化物半导体的TFT)，而用于实现与有源区域相邻的驱动电路的TFT中的至少一个TFT是LTPS TFT(即，具有多晶硅半导体的TFT)。
具有多种类型薄膜晶体管显示器背板

[实用新型]一种TFT贴合产品的FPC折弯贴合治具-CN202021143443.3有效
发明人：曾小军 -专利权人：江西合力泰科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：一种TFT贴合产品的FPC折弯贴合治具，包括安装底座，安装底座为四棱台装结构，安装底座的一侧斜面上固定安装有一个TFT产品固定板，TFT产品固定板开设有一个TFT产品固定槽，TFT产品固定槽内固定安装TFT产品，TFT产品包括TFT、CTP、TFT‑FPC及CTP‑FPC，CTP贴合于TFT的上端面上，TFT‑FPC安装于TFT的一侧，CTP‑FPC安装于CTP的一侧，安装底座的顶面上固定安装有一个FPC贴合板，FPC贴合板上开设有一个与TFT‑FPC匹配的FPC放置槽，FPC放置槽内开设有数个定位柱，TFT‑FPC及CTP‑FPC均开设有数个与定位柱匹配的定位孔。本实用新型结构简单，使用方便，仅需将TFT贴合产品固定于TFT产品固定槽内，再将TFT‑FPC及CTP‑FPC对齐FPC放置槽内的定位柱在FPC放置槽内完成贴合即可。
一种 tft 贴合产品 fpc 折弯

[发明专利]一种基于MCU的双TFT屏显示系统及其显示方法-CN201810275739.1在审
发明人：郑远;林蓓 -专利权人：温州长江汽车电子有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及图像显示技术领域，公开了一种基于MCU的双TFT屏显示系统，包括MCU，TFT背光驱动以及TFT1和TFT2；MCU通过TFT背光驱动分别提供TFT1以及TFT2的背光；MCU通过TFT1_RESET引脚和CS1引脚与TFT1电信号连接；MCU通过TFT2_RESET引脚和CS2引脚与TFT2电信号连接；MCU通过RGB接口或8080接口或SPI接口同时与TFT1和TFT2连接。该基于MCU的双TFT屏显示系统增强整车的档次感和人机界面的友好性，同时降低成本，提升稳定性。
显示系统电信号连接背光驱动引脚人机界面背光图像显示技术整车

[发明专利]一种AM-OLED显示器的像素补偿结构及其驱动方法-CN201410784337.6在审
发明人：焦峰 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开一种AM-OLED显示器的像素补偿结构，包括：开关TFT、控制TFT、驱动TFT、存储电容以及OLED单元构成；其中，驱动TFT的漏极通过OLED单元连接至背板的负电平，驱动TFT的源极连接控制TFT的漏极，驱动TFT的源极和控制TFT的漏极连接至背板的正电平，存储电容的一端连接在驱动TFT的源极和控制TFT漏极之间，电容的另一端连接在驱动TFT的栅极和开关TFT漏极之间，开关TFT的漏极与控制TFT的源极连接，开关TFT的源极连接至数据线，开关TFT的栅极连接至扫描信号线，控制信号提供至控制TFT的栅极。通过本发明的像素结构，有效地解决了因多个像素电路中TFT的阈值电压特性存在差异，而导致各OLED像素电路发光亮度不同，影像OLED亮度均一性与亮度恒定性的问题。
一种 am oled 显示器像素补偿结构及其驱动方法

[发明专利]电平转移电路-CN200610073800.1有效
发明人：纳光明;柳井宏美 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-04-19 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明的技术方案的要点在于；使p沟道型TFT、n沟道型TFT或p沟道型TFT、n沟道型TFT不同时开通地来控制p沟道型TFT，以便防止在转换输入的信号的电平时贯穿电流流过。在高电平信号输入于n沟道型TFT的栅极且n沟道型TFT开通的瞬时，使p沟道型TFT关断。同样地，在n沟道型TFT开通的瞬时，使p沟道型TFT关断。通过不同时使p沟道型TFT、n沟道型TFT或p沟道型TFT、n沟道型TFT开通，来遮断贯穿电流流过的通路。
电平转移电路

[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法-CN201210171440.4有效
发明人：洪孟逸 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2012-05-29 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光二极管显示器，包括：基板主体；信号线，位于基板主体上；电流供应线，位于基板主体上；第一TFT，第一TFT包括第一TFT氧化物半导体层、第一TFT源极、第一TFT漏极、第一TFT栅极；第二TFT，第二TFT包括第二TFT氧化物半导体层、第二TFT源极、第二TFT漏极、第二TFT栅极；共通电极，位于第一TFT与第二TFT之间；有机发光层，位于共通电极之上；透明电极，位于有机发光层之上、且透明电极连接到第二TFT的漏极。
有机发光二极管显示器及其制造方法

[实用新型]一种TFT感光结构、TFT以及手机-CN202122256076.9有效
发明人：魏玲枫 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TFT感光结构、TFT以及手机，属于TFT技术领域，所述感光结构包括TFT以及感光器件，所述感光器件位于TFT的AA区之外，且位于TFT的VA区内。本实用新型将感光器件制作做在TFT的AA区外，充分利用了TFT资源，感光器件采用直接制作方式或者绑定方式集成在TFT的TFT基板上，节省了在主板上做感光器件的成本，减少了整机组装工序。
一种 tft 感光结构以及手机

[发明专利]一种更新传输流模板的方法和装置-CN201510678999.X在审
发明人：石原 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2015-10-19 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H04W28/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种更新传输流模板(TFT)的方法，比较第一TFT规则和第二TFT规则的规则信息内容；根据比较结果依照TFT更新策略更新第二TFT规则中的TFT。本发明还同时公开了一种更新TFT的装置，本发明的方法及装置能减少非必要的TFT更新，提高TFT更新成功率，减小核心网的处理负担。
一种更新传输模板方法装置

[发明专利]显示器底板及其制造方法-CN201580001899.1有效
发明人：金兑桓;赵南旭;金炯洙;李在冕 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：所述有机发光显示器包括多类型薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管。所述多类型TFT具有低温多晶硅(LTPS)TFT和设置在所述LTPS TFT上的氧化物半导体TFT(氧化物TFT)。所述有机发光二极管电连接至所述多类型TFT。所述LTPS TFT和所述氧化物TFT连接至同一栅极线。
显示器底板及其制造方法

[发明专利]半导体装置、TFT背板、显示器及其制造方法-CN201580056201.6有效
发明人：权会容;金炯洙;金东润 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供了一种TFT背板，该TFT背板包括具有氧化物有源层的至少一个TFT和具有多晶硅有源层的至少一个TFT。在本公开的实施方式中，实现有效区域中的像素电路的TFT中的至少一个是氧化物TFT(即，具有氧化物半导体的TFT)，而实现有效区域附近的驱动电路的TFT中的至少一个是LTPS TFT(即，具有多晶硅半导体的TFT)。
半导体装置 tft 背板显示器及其制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 11767 条