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[发明专利]具有减小的寄生电容的垂直FET-CN201880024368.8有效
发明人：苗欣;程慷果;张辰;许文豫;P.J.奥迪格斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于降低半导体结构的寄生电容的方法，包括在衬底上形成鳍片结构，在鳍片结构和衬底之间形成第一源极/漏极区，在鳍片结构附近形成第一间隔物，在第一源极/漏极区附近形成第二间隔物和使暴露区域中的第一源极/漏极区凹陷该方法还包括在凹陷的第一源极/漏极区的暴露区域内形成浅沟槽隔离(STI)区，在STI区域上方沉积底部间隔物，在底部间隔物上方形成金属棚极堆叠，在金属栅极堆叠上沉积顶部间隔物，切割金属栅极堆叠，在鳍片结构上形成第二源极/漏极区；和形成触点，使得STI区在金属栅极堆叠和第一源极/漏极区之间延伸一段长度。
具有减小寄生电容垂直 fet

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711164077.2有效
发明人：崔孝锡;金哲性;李在恩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板；形成在基板中的第一凹陷；填充第一凹陷的第一源极/漏极；在第一源极/漏极上的垂直金属电阻器；以及使金属电阻器与第一源极/漏极分隔开的绝缘衬垫，该垂直金属电阻器在两个栅电极之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有静电自防护能力的基板及其制造方法-CN201310384921.8有效
发明人：陈曦;冯玉春;袁剑峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有静电自防护能力的基板及其制造方法，所述基板包括：面板区域；第一栅极金属层和源/漏极金属层，位于所述面板区域的至少一侧外，所述第一栅极金属层与所述源/漏极金属层在其长度方向上平行设置且相互邻近，并且从所述第一栅极金属层向所述源/漏极金属层延伸出至少一个尖端，和/或从所述源/漏极金属层向所述第一栅极金属层延伸出至少一个尖端。
具有静电防护能力及其制造方法

[发明专利]用于静电放电保护应用的横向扩散金属氧化物半导体装置-CN202110811656.1在审
发明人： P·马哈詹;E·X·M·刘;黄庆真 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及用于静电放电保护应用的横向扩散金属氧化物半导体装置，提供用于横向扩散的金属氧化物半导体装置的结构和形成用于横向扩散的金属氧化物半导体装置的结构的方法。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域形成于基板中，栅极电极形成于基板上方，互连结构形成于基板上方，并且掺杂区域设置在第一源极/漏极区域下方的基板中。栅极电极横向位于第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，并且互连结构包括连接至第一源极/漏极区域的接触件。掺杂区域具有与接触件横向间隔一距离的侧边。
用于静电放电保护应用横向扩散金属氧化物半导体装置

[发明专利]包括交替的源极和漏极区域以及相应的源极和漏极金属带的半导体器件-CN201310616727.8有效
发明人： A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 -专利权人：英力股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及形成半导体器件的方法，在一个实施例中，半导体器件包括衬底1105和在衬底1105上被形成为交替图案的多个源极“s”区域和漏极“d”区域。半导体器件还包括多个栅极1150，在多个源极区域和漏极区域中的源极区域和漏极区域之间并且与其平行地形成于衬底1105之上。半导体器件还包括第一多个交替的源极金属带和漏极金属带1111、1121，形成于在衬底1105上方的第一金属层中，并且与多个源极区域和漏极区域中的相应源极区域和漏极区域平行并且形成电接触。
包括交替区域以及相应金属半导体器件

[发明专利]具有改进的源极/漏极接触的金属氧化物TFT-CN201280028314.1有效
发明人：谢泉隆;俞钢;法特·弗恩格 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：一种在金属氧化物半导体薄膜晶体管中形成欧姆源极/漏极接触的方法，包括在薄膜晶体管构造中提供栅极、栅极电介质、具有带隙的高载流子浓度金属氧化物半导体有源层和隔开的源极/漏极金属接触。隔开的源极/漏极金属接触在有源层中限定沟道区。相邻于沟道区提供氧化氛围，并且在氧化氛围中加热沟道区，以降低沟道区域中的载流子浓度。可替换地或者另外地，每个源极/漏极接触都包括位于金属氧化物半导体有源层上的低功函数金属的超薄层和位于低功函数金属上的高功函数金属的势垒层。
具有改进接触金属氧化物 tft

[发明专利]一种晶体管及其制备方法-CN201910405081.6在审
发明人：陈道坤;曾丹;史波;陈兆同;刘勇强 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底；形成于衬底一侧的缓冲层、沟道层、势垒层、第一漏极电极、第一栅极电极、第一源极电极、第一漏极金属引线区、第一栅极金属引线区和第一源极金属引线区；形成于衬底另一侧的第一介质层和位于第一介质层内的第二漏极电极、第二栅极电极、第二源极电极、第二漏极金属引线区、第二栅极金属引线区和第二源极金属引线区；第一源极金属引线区与第二漏极金属引线区通过贯穿于衬底的第一过孔电连接；第一栅极金属引线区与第二源极金属引线区通过贯穿于衬底的第二过孔电连接。
一种晶体管及其制备方法

[发明专利]一种改善MIS‑HEMT耐压特性的工艺方法及MIS‑HEMT-CN201710650844.4在审
发明人：孙辉;刘美华;林信南;陈东敏 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种改善MIS‑HEMT耐压特性的工艺方法及MIS‑HEMT，所述工艺方法包括以下步骤对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；制备栅极窗口；沉积栅介质层和栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域；在器件表面制备场板隔离介质层；在场板隔离介质层表面制备场板；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。本发明通过在栅极和漏极之间引入场板，改道沟道中电场分布，降低栅极和漏极之间的峰值电场，从而达到改善和提升MIS‑HEMT耐压的目的。
一种改善 mis hemt 耐压特性工艺方法

[发明专利]MOFET的掩模层级减少-CN201080050111.3有效
发明人：谢泉隆;黄鸿发;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在该栅极上方形成栅极电介质，并且在该栅极电介质上沉积半导体金属氧化物。在叠盖栅极的半导体金属氧化物上构图沟道保护层，以限定沟道区并暴露剩余的半导体金属氧化物。在该结构上沉积源极/漏极金属层，并蚀刻穿过到达栅极上方的沟道保护层，以将源极/漏极金属层分开为源极端子和漏极端子，并且在外围蚀刻贯穿源极/漏极金属层和半导体金属氧化物以隔绝该晶体管。在该晶体管和周边的源极/漏极金属层的部分上，构图非导电间隔物。
mofet 层级减少

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN202111318428.7在审
发明人：叶治东 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括III‑V族化合物半导体层与源极/漏极结构。源极/漏极结构设置在III‑V族化合物半导体层上。源极/漏极结构包括金属层与多个金属硅化物图案。金属层设置在金属硅化物图案上，且金属层的一部分设置在相邻的金属硅化物图案之间。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]一种场效应管、其制备方法及电子电路-CN202111001372.2在审
发明人：易洪昇;杨钢宜;黄惠东;王汉星 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请提供了一种场效应管、其制备方法及电子电路，场效应管包括：在衬底上依次层叠的沟道层、控制栅极、钝化层、栅金属层、层间介质层、源漏金属层；其中，栅金属层包括间隔设置的金属栅极和台阶，源漏金属层包括源极、漏极以及与源极电连接的场板，场板从源极向漏极一侧延伸且与漏极断开设置，场板具体包括在衬底上的正投影位于金属栅极与漏极之间的一阶场板和二阶场板，二阶场板为覆盖台阶的部分，一阶场板为除了二阶场板之外的部分通过在栅金属层中形成金属栅极图案的同时增加形成台阶的图案，使源漏金属层覆盖台阶的部分被垫高形成二阶场板，这样整个场板的加工只需要通过一次构图工艺，减少了场板制备工艺的复杂度和工业成本。
一种场效应制备方法电子电路

[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置-CN201810579157.2在审
发明人：徐攀;林奕呈;盖翠丽;王玲;李永谦 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种薄膜晶体管及制作方法、显示装置，涉及薄膜晶体管领域，能够解决现有技术的薄膜晶体管中因膜层多、工艺复杂等带来的弊端；该薄膜晶体管包括设置于衬底基板上的金属导电图案层，以及依次设置于金属导电图案层上的层间绝缘层、金属氧化物层、栅极绝缘层、栅极；金属导电图案层包括：遮光图案、源极信号线和/或漏极信号线；金属氧化物层包括：源极、漏极，以及位于源极和漏极之间、且与源极和漏极直接接触的有源层；有源层在衬底基板上的投影与遮光图案在衬底基板上的投影具有重叠区域；源极贯穿层间绝缘层与源极信号线连接，和/或，漏极贯穿层间绝缘层与漏极信号线连接。
薄膜晶体管漏极源极层间绝缘层导电图案层衬底基板金属氧化物层漏极信号线源极信号线显示装置遮光图案金属源层投影栅极绝缘层依次设置重叠区域贯穿膜层制作

[发明专利]减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法-CN201610659008.8在审
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法，其包括：在晶圆表面旋涂光刻胶形成光刻胶层；采用光刻工艺在光刻胶层上刻蚀出源极区域和漏极区域，其中，源极区域和漏极区域露出晶圆表面；向源极区域和漏极区域中的晶圆表面溅射氩离子，以使氩离子轰击晶圆表面；向源极区域和漏极区域中的晶圆表面溅射金属形成源极金属电极和漏极金属电极；剥离光刻胶层，并采用高温快速热退火工艺使源极金属电极和漏极金属电极形成欧姆接触。
减小氮化电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率方法

[发明专利]一种GaN HEMT器件的制备方法-CN202010393703.0在审
发明人：蒋洋;于洪宇;汪青;范梦雅;何佳琦 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括提供外延基底，外延基底包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的沟道层以及势垒层；采用氧化刻蚀工艺图形化势垒层，形成源极欧姆接触凹槽和漏极欧姆接触凹槽；在源极欧姆接触凹槽内形成源极欧姆接触电极，同时在漏极欧姆接触凹槽内形成漏极欧姆接触电极；在势垒层、源极欧姆接触电极以及漏极欧姆接触电极背离衬底一侧形成图形化的钝化层，在钝化层背离外延基底的一侧形成源极、漏极、栅极开孔并沉积金属电极，金属电极包括源极金属电极、漏极金属电极和栅极金属电极。
一种 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]阵列基板和阵列基板的制备方法-CN202210272069.4在审
发明人：房健威 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请提供一种阵列基板及其制备方法，阵列基板中第一源漏极层形成在衬底一侧，包括相互独立的第一源极和第一漏极，金属氧化物半导体层形成在衬底一侧，包括有源层，有源层形成在第一源极和第一漏极之间，且分别与第一源极和第一漏极连接，有源层覆盖第一源极和/或第一漏极的部分顶面，第一绝缘层形成在金属氧化物半导体层和第一源漏极层远离衬底的一侧，包括第一过孔和第二过孔，第二源漏极层形成在第一绝缘层远离金属氧化物半导体层的一侧，第二源漏极层包括第二源极和第二漏极，第二源极通过第一过孔与第一源极连接，第二漏极通过第二过孔与第一漏极连接。本申请刻蚀第一源极和第一漏极时不会损伤有源层沟道区，因此提升了器件稳定性。
阵列制备方法

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