[发明专利]形成源极/漏极上包括导电接触件的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610210080.2 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106571304B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 乔治·A·吉尔;咖尼时·海德;沃克·森古皮塔;伯纳·J·欧博阿多威;马克·S·荣德 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 曾世骁;张川绪 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了形成半导体器件的方法。所述方法可以包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极。源极/漏极可以横跨所述多个鳍形沟道并可以电连接到所述多个鳍形沟道。所述方法还可以包括：在源极/漏极的上表面上形成金属层以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件。导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度可以比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 漏极上 包括 导电 接触 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在基底上形成多个鳍形沟道；形成横跨所述多个鳍形沟道的栅极结构；形成与栅极结构的一侧相邻的源极/漏极，源极/漏极横跨所述多个鳍形沟道并电连接到所述多个鳍形沟道；在源极/漏极的上表面上形成金属层；以及在金属层上与源极/漏极相对地形成导电接触件，导电接触件在金属层的纵向方向上的第一长度比金属层在金属层的纵向方向上的第二长度小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
