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[发明专利]一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块及其制作方法-CN202210485645.3有效
发明人： 蔡文必;陈宁利 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有聚合物过渡结构的混合光传输模块的制作方法，是在硅基基板上涂覆高折射率透明光刻胶，对透明光刻胶采用曝光、显影工艺形成过渡结构和固定结构，将激光器通过固定结构黏附固定于硅基基板上，并使其出光端口与过渡结构的端口对准，然后对透明光刻胶进行固化。本发明采用聚合物材料作为过渡器件，可以将激光器和硅基光传输模块的设计相互独立，且在起到形成光传输结构的同时又可以依靠其黏性起到固定激光器位置的作用，拓展了激光器和硅基光传输模块的应用范围，降低了工艺成本。
一种具有聚合物过渡结构混合传输模块及其制作方法

[发明专利]碳化硅晶体生长装置-CN202210336011.1有效
发明人：柯金煌;蔡文必;袁文博 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及材料制备领域。本申请提供的碳化硅晶体生长装置包括坩埚和设置于坩埚内的支架组件以及第一滤网。支架组件包括支撑座和设置于支撑座的支撑板，坩埚腔体中部具有第一通道，第一通道与支架组件通过第一滤网隔开。在使用碳化硅晶体生长装置时，可以将碳化硅原料放置在坩埚底部以及支撑板上，令原料不会堆积过厚，相对分散，使得各个位置的原料能够良好地受热，提高原料的利用率。并且，第一通道形成于坩埚的中部，在第一滤网的阻拦作用下，仅供支撑板上的原料气化后进入。第一通道处于坩埚中部，热量相对来说难以到达，减少固态原料在此处的分布，也可以提高原料的利用率。
碳化硅晶体生长装置

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202310696044.1在审
发明人：房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]功率器件-CN202310823581.8在审
发明人：陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；金属电极层具有背离宽带隙漂移层的顶面和面向终端区的第一侧壁；设置于金属电极层的第一侧壁上的第一材料层；以及，覆盖第一材料层的钝化层，第一材料层将金属电极层与钝化层完全隔开。该功率器件能够提高器件可靠性。
功率器件

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310447173.7在审
发明人： 蔡文必;陈柏翰;王文平 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，包括衬底、N型掺杂层、本征层、P型掺杂层、N电极和P电极，N电极设置在N型掺杂层上，P电极设置在P型掺杂层上；自下而上N型掺杂层、本征层、P型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与P型掺杂层交界处具有至少一个P型离子注入区，P型离子注入区向本征层延伸，P电极形成入射光窗口，P型离子注入区位于入射光窗口下方；或者，自下而上P型掺杂层、本征层、N型掺杂层依次设在衬底上，在本征层与N型掺杂层交界处具有至少一个N型离子注入区，N型离子注入区向本征层延伸，N电极形成入射光窗口，N型离子注入区位于入射光窗口下方。本发明可以同时兼顾低电容，高吸收效率以及高响应速度。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种外延结构及其制备方法-CN202110719527.X有效
发明人：房育涛;蔡文必;叶念慈;张富钦 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了一种外延结构及其制备方法，所述外延结构包括：硅衬底，所述硅衬底具有第一表面；外延层，所述外延层设置在所述第一表面；所述外延层包括若干子外延层和网格状裂纹，所述若干子外延层被配置为由所述网格状裂纹隔开，所述外延层的材料为III‑V族材料。本公开的外延结构及其制备方法，能够利用该网格状裂纹释放热失配张应力，从而获得更厚更高质量的外延材料，减小高温外延生长时硅衬底翘曲。
一种外延结构及其制备方法

[发明专利]一种场效应管及其制备方法-CN202210132173.3在审
发明人：何志强;蔡文必;陶永洪;张中华;李立均;吴怡清 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种场效应管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，方法包括：第一器件结构包括衬底和设置在衬底上的外延层，先后形成第一介质层、多晶硅层和第二介质层；去除部分多晶硅层和第二介质层，在掺杂区上方界定出第一窗口，第一窗口的底部露出第一介质层；保留第一窗口侧壁的第三介质层，界定出第二窗口，第二窗口底部露出外延层；在第二窗口底部的表面形成欧姆金属层，形成第四器件结构；在第四器件结构远离衬底的表面形成正面金属层。
一种场效应及其制备方法

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN202110725060.X有效
发明人：陶永洪;蔡文必;徐少东 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的终端区和有源区，有源区位于终端区之间；设置于有源区上的金属电极层，金属电极层与有源区之间为肖特基接触；设置于金属电极层上的第一材料层；以及，全部或部分覆盖第一材料层并向终端区延伸的钝化层，第一材料层将钝化层与金属电极层完全或部分的隔开；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc。该功率器件能够提高器件可靠性。
功率器件及其制备方法

[发明专利]氮化物器件及其制备方法-CN202110984217.0有效
发明人： 蔡文必;刘胜厚;请求不公布姓名;卢益锋;孙希国;谷鹏 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种氮化物器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：提供外延结构；通过离子注入在外延结构上形成第一有源区、第二有源区和无源区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出外延结构的介质层的第一窗口；通过第一窗口离子注入以在第二有源区内形成N型区；通过光刻工艺在第二有源区形成露出介质层的第二窗口；通过第二窗口在N型区内形成P型区，P型区和N型区串联形成PN结二极管结构；在第一有源区形成源极、栅极和漏极，在无源区形成源极焊盘、栅极焊盘和漏极焊盘；其中，PN结二极管结构的阳极与源极焊盘接触连接、阴极与栅极焊盘接触连接。该制备方法能够提高器件的栅极和源极之间的反向电压的耐受等级。
氮化物器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质-CN202011472354.8有效
发明人：张永明;蔡文必;魏鸿基;林义书 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：一种氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质，涉及半导体器件仿真技术领域。该氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法包括：获取待仿真的输入电压；将输入电压输入氮化镓基高电子迁移率晶体管模型，获取模型运行后输出的输出电流，其中，模型包括：原始ASM模型，在原始ASM模型的栅极和源极之间设有电性关系，以及在原始ASM模型的栅极和漏极之间设有电性关系；且模型的公式包含栅极与源极之间的反向电流的计算公式、栅极与漏极之间的反向电流的计算公式。该氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法能够解决先进高电子迁移率场效应管集约模型在描述器件栅极反向电流上的缺失，从而提高晶体管的仿真精确度。
氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法装置存储介质

[发明专利]碳化硅功率器件及其制作方法-CN202110865617.X有效
发明人：胡洪兴;蔡文必;郭飞;郭锦鹏;周永田;王勇;陶永洪 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件及其制作方法，碳化硅功率器件包括碳化硅衬底、碳化硅外延层、介质层、金属层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，金属层覆盖在介质层的边缘上方，并具有高于介质层的金属台阶；金属层远离碳化硅外延层的表面具有凹槽和位于凹槽边缘的第一端面，第一端面连接金属台阶朝向介质层的侧壁和凹槽，凹槽内设置有金属层窗口；第一钝化层设置在所述金属台阶的侧壁上，并从金属台阶的侧壁向介质层延伸；第二钝化层设置在凹槽内，覆盖金属层窗口以外的区域，因此可以有效减小钝化层与金属层之间的应力，避免因封装工艺对器件施加的压力导致钝化层产生裂纹，从而增强器件阻隔水汽侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。
碳化硅功率器件及其制作方法

[发明专利]一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法-CN202011328758.X有效
发明人： 蔡文必;徐宁;刘成;林育赐;赵杰;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种设置组合钝化介质的氮化物HEMT器件及制备方法，通过不同应力的组合钝化介质，在栅极区域采用压应力介质，抵消势垒层的张应力，从而减小压电极化，异质结界面极化电荷密度减少，减小2DEG浓度，提高器件阈值；在漏极区域采用张应力介质，使得势垒层压电极化增强，异质结界面极化电荷密度增加，从而增加2DEG浓度，减小器件的导通电阻。同时，栅极区域2DEG浓度小，耗尽区展宽大，可以有效减小栅极区域的峰值电场，抑制电流崩塌效应。制备压应力介质层或张应力介质层时，先沉积整面的张应力介质层或压应力介质层，再通过高温退火使张应力介质层或压应力介质层转换为压应力介质层或张应力介质层，克服常规工序繁琐、工艺窗口小等缺陷。
一种设置组合钝化介质氮化物 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种HBT器件的金属连线方法-CN202110983574.5有效
发明人： 蔡文必;何湘阳;魏鸿基;郭佳衢 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种HBT器件的金属连线方法，通过改变基极台阶对应的第一光罩的形状结构以及连线金属层对应的第二光罩的形状结构，通过曝光、显影后在已完成部分器件制程的晶圆结构上形成与第一光罩图形对应的遮蔽层，然后进行湿法刻蚀以形成基极台阶，再采用第二光罩曝光、显影后形成与第二光罩图形对应的显开窗口，在显开窗口上进行金属蒸发以形成与基极台阶连接的连线金属层。本发明制作得到的基极台阶和连线金属层可以在不改变制程条件的情况下，使HBT器件在不同的方向进行放置，并且可以避免连线金属层在基极台阶边缘产生裂纹或断裂。
一种 hbt 器件金属连线方法

[发明专利]一种基于传输线件和开路件的去嵌方法及系统-CN202111166274.4有效
发明人：张永明;蔡文必;林义书;魏鸿基 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于传输线件和开路件的去嵌方法及系统，包括：分别获取待测件、传输线件和开路件的S散射参数；分别将所述待测件、传输线件和开路件的S散射参数转换成Y导纳参数；将待测件的Y导纳参数扣除开路件的Y导纳参数后，转换成去嵌后的待测件Z阻抗参数；将传输线件的Y导纳参数扣除开路件的Y导纳参数后，转换成去嵌后的传输线件Z阻抗参数；计算传输线件中的传输线阻抗参数；将去嵌后的传输线件Z阻抗参数去除传输线阻抗参数，获得去嵌用的Z阻抗参数；将去嵌后的待测件Z阻抗参数扣除去嵌用的Z阻抗参数，获得去嵌后的Z阻抗参数后，转换成去嵌后的S散射参数。本发明能够改善在片测试的去嵌效果，准确扣除焊盘带来的寄生效应。
一种基于传输线开路方法系统

[发明专利]功率器件及其制备方法-CN202110724386.0有效
发明人：郭锦鹏;蔡文必;郭飞;周永田;胡洪兴;陶永洪;王勇 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种功率器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该功率器件包括：宽带隙衬底；设置于宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；设置于宽带隙漂移层中的有源区和边缘终端区；设置于宽带隙漂移层上，且被配置为从有源区边缘开始覆盖边缘终端区表面的第一钝化层；设置于有源区上且与有源区之间为肖特基接触的金属电极层；金属电极层具有高出第一钝化层的台阶，台阶具有朝向第一钝化层且与第一钝化层相接的第一侧面，在相接处形成有朝向边缘终端区的第一夹角a2；填充第一夹角a2的第一材料层；设置于第一材料层上的第二钝化层；第一材料层的材料的膨胀系数为a，金属电极层的材料的膨胀系数为b，第二钝化层的材料的膨胀系数为c，其中，abc。
功率器件及其制备方法

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