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[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置-CN201710309534.6有效
发明人：王国英;宋振 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括第一有源层、源极、漏极、栅极和第二有源层，其中，源极、漏极和栅极间隔设置在第一有源层上，栅极位于源极和漏极之间，第二有源层设置在栅极、源极和漏极上，源极和漏极均与第一有源层和第二有源层连接，栅极分别与第一有源层、第二有源层、源极和漏极绝缘，在栅极上施加电压时，源极和漏极可以通过第一有源层导通，源极和漏极还可以通过第二有源层导通，由于源极和漏极在薄膜晶体管导通时，可以同时通过第一有源层和第二有源层导通，因此源极和漏极之间可以流通更大的电流，从而可以增大薄膜晶体管的开态电流。
一种薄膜晶体管及其制造方法显示装置

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110782913.3在审
发明人：游力蓁;苏焕杰;黄麟淯;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：方法包括形成鳍状结构于基板的第一侧上，形成源极/漏极区以与鳍状结构相邻，形成第一源极/漏极接点结构于基板的第一侧上以接触源极/漏极区，并形成盖结构于第一源极/漏极接点结构上。方法还包括经由盖结构移除第一源极/漏极接点结构的一部分以形成气隙，并形成第二源极/漏极接点结构于基板的第二侧上以接触源极/漏极区。第二侧与第一侧相对。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210430533.8在审
发明人：饶孟桓;黄麟淯;王圣璁;苏焕杰;庄正吉;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：此装置包括邻接栅极结构的源极/漏极区和源极/漏极区上方的源极/漏极接触件。此装置包括蚀刻停止层，横向位于源极/漏极接触件与栅极结构之间，并具有与源极/漏极接触件接触的第一侧壁及相反于第一侧壁的第二侧壁。此装置包括源极/漏极接触隔离结构，埋设于源极/漏极接触件，并具有与蚀刻停止层的第二侧壁大抵共平面的第三侧壁。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310300337.3在审
发明人：李宗霖;林大文;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在半导体装置的制造方法中，形成鳍结构，鳍结构具有交替堆叠于基底上方的第一半导体层及第二半导体层；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻鳍结构未被牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区，进而形成源极/漏极空间；在源极/漏极空间的底部处形成隔离区；在源极/漏极空间中的隔离区上方形成源极/漏极外延层，以及在源极/漏极外延层与基底之间的隔离区中产生空隙区，使得源极/漏极区和基底之间产生电性隔离。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有抬高的源极/漏极结构的MOS晶体管及其制造方法-CN200410043316.5有效
发明人：李承换;朴文汉;李化成;李浩;柳载润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在使用选择性外延生长(SEG)工艺的具有抬高的源极/漏极结构的金属氧化物半导体(MOS)晶体管中，以及在制造具有抬高的源极/漏极结构的MOS晶体管的方法中，在形成外延层后形成源极/漏极扩展结，由此防止源极/漏极结区的恶化。此外，由于采用SEG工艺形成两个栅极隔离物和两个抬高的源极/漏极层，所以源极/漏极扩展结被栅极层的下部部分地覆盖。这缓解了短沟道效应并减小了源极/漏极层中和栅极层中的表面电阻。
具有抬高结构 mos 晶体管及其制造方法

[发明专利]具有源极/漏极缓冲区的应力沟道FET-CN201280004994.3有效
发明人： J·B·约翰逊;R·穆拉丽达;P·J·欧尔迪吉斯;V·C·昂塔路斯;修凯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-01-16 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/782 文献下载
摘要：一种用于形成具有源极/漏极缓冲区（501）的应力沟道场效应晶体管（FET）的方法包括：在位于所述衬底（201）上的栅极叠层（202/203）两侧在所述衬底中蚀刻腔（301）；在所述腔中沉积源极/漏极缓冲材料（401）；蚀刻所述源极/漏极缓冲材料以形成与所述FET的沟道区（502）相邻的垂直源极/漏极缓冲区；以及在所述腔中与所述垂直源极/漏极缓冲区相邻地以及在所述垂直源极/漏极缓冲区上方沉积源极/漏极应力源材料
有源缓冲区应力沟道 fet

[实用新型]一种共面结构的TFT器件-CN202320664858.2有效
发明人：余光棋;董欣;王欢;王新志;马亮 -专利权人：信利（仁寿）高端显示科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种共面结构的TFT器件，其包括：透明衬底；形成在所述透明衬底上的栅极；形成在所述栅极和透明衬底上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的源极和漏极，所述源极和漏极分别对应位于所述栅极的两侧；形成在所述源极和漏极上的半导体层；其中，位于所述源极和漏极正下方的所述栅极内凹以减少半导体层之外栅极与源极、漏极的交叠面积。本实用新型通过调整栅极金属和源漏极金属(源漏极包括源极和漏极)的形状、大小和相对位置来实现减少寄生电容，增大沟道电流。
一种结构 tft 器件

[发明专利]一个晶体管的DRAM单元结构及其形成方法-CN200780038309.8有效
发明人： J·D·伯纳特;B·A·温斯蒂亚德 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种一个晶体管的动态随机存取存储器(DRAM)单元，包括：晶体管(10)，具有第一源极/漏极区(26)、第二源极/漏极区(24)、在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的体区(36)、以及在体区之上的栅极所述第一源极/漏极区包括与体区的肖特基二极管结，并且所述第二源极/漏极区包括与体区的n-p二极管结。
一个晶体管 dram 单元结构及其形成方法

[发明专利]一种闪存-CN201010123688.4无效
发明人：张博 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存，包括：衬底和衬底内的第一漏极区、源极区和第二漏极区，源极区位于第一漏极区和第二漏极区之间；引出的第一漏极、源极和第二漏极；控制栅位于第一漏极区和第二漏极区之间；浮栅，位于所述所述源极区之上，所述浮栅包括第一浮栅和第二浮栅，所述第一浮栅和所述第二浮栅之间用所述控制栅隔离；第一选择栅，位于第一漏极和源极之间；第二选择栅，位于源极和第二漏极之间。
一种闪存

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202011414019.2在审
发明人：蔡仲恩;鍾嘉哲;刘致为;吕芳谅;黄郁翔;叶泓佑;杜建德;刘亦浚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法，制造半导体元件的方法包括形成具有交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠的鳍片结构于基板上；形成虚设栅极结构横跨于鳍片结构上；蚀刻鳍片结构的多个部分以暴露基板的多个部分；形成源极/漏极应力源于基板的暴露的多个部分上；在形成源极/漏极应力源之后，去除虚设栅极结构；在去除虚设栅极结构之后，去除第一半导体层，使得第二半导体层悬浮在源极/漏极应力源之间；以及形成栅极结构以包围每个悬浮的第二半导体层每个源极/漏极应力源均包括第一源极/漏极层和在第一源极/漏极层上方的第二源极/漏极层。第二源极/漏极层中的IV族元素或V族元素的原子浓度大于第一源极/漏极层中的IV族元素或V族元素的原子浓度。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件-CN201710886543.1在审
发明人：郭大荣;朴起丙;吕京奂;李承宰;田炅烨;河承锡;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。
衬底包括器件隔离半导体器件

[发明专利]双掺杂源极/漏极区域及其形成方法-CN202010894439.9在审
发明人：林育樟;张添舜;聂俊峰;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及双掺杂源极/漏极区域及其形成方法。一种方法包括：在半导体鳍中形成源极/漏极区域；在形成所述源极/漏极区域之后，将第一杂质注入所述源极/漏极区域；以及在注入所述第一杂质之后，将第二杂质注入所述源极/漏极区域。所述方法还包括：在注入所述第二杂质之后，对所述源极/漏极区域进行退火。
掺杂区域及其形成方法

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110004234.3在审
发明人：黄玉莲;王冠人;傅劲逢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在实施例中，一种结构包括：衬底之上的接触蚀刻停止层(CESL)；延伸穿过CESL的鳍；鳍中的外延源极/漏极区域，外延源极/漏极区域延伸穿过CESL；接触外延源极/漏极区域的上刻面的硅化物；接触硅化物、外延源极/漏极区域的下刻面以及CESL的第一表面的源极/漏极接触件；以及围绕源极/漏极接触件的层间电介质(ILD)层，该ILD层接触CESL的第一表面。
半导体器件方法

[发明专利]半导体装置-CN202110733956.2在审
发明人：林大钧;叶冠麟;林俊仁;潘国华;江木吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：第一源极/漏极部件成长于第一有源区之上。第二源极/漏极部件成长于第二有源区之上。层间电介质(ILD)布设于第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件周围。隔离结构垂直延伸穿越ILD。隔离结构分离第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件。
半导体装置

[发明专利]晶体管及形成晶体管的方法-CN202080055910.3在审
发明人： M·纳哈尔;V·N·安东诺夫;K·M·考尔道;M·米奇;刘鸿威;J·B·赫尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体管，其包括顶部源极/漏极区域、底部源极/漏极区域、垂直位于所述顶部源极/漏极区域与所述底部源极/漏极区域之间的沟道区域，及以操作方式横向邻近所述沟道区域的栅极。所述沟道区域是结晶的且包括多个垂直伸长晶粒，所述垂直伸长晶粒个别地直接抵靠所述顶部源极/漏极区域及所述底部源极/漏极区域中的两个。本发明公开其它实施例，包含方法。
晶体管形成方法