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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN202310587484.3在审
发明人：陈建汉;张世郁;邱建智;陈煌明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置结构的形成方法。在具有形成于其中的导体部件的半导体结构上形成第一与第二蚀刻停止层。在第二蚀刻停止层上形成介电层，在介电层上形成包括钨基材料的硬掩模并将其图形化。在图形化的硬掩模的上方形成阻剂层。使用图形化的阻剂层作为掩模而施行第一蚀刻工艺，以形成延伸而局部穿透介电层的导孔开口。使用图形化的硬掩模作为蚀刻掩模而施行第二蚀刻工艺(例如，干式蚀刻工艺)，以将导孔开口延伸而穿透第二蚀刻停止层，施行第三蚀刻工艺(例如，湿式蚀刻工艺)，以将导孔开口延伸而穿透第一蚀刻停止层而到达导体部件。
半导体装置结构形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202310081524.7在审
发明人：黄玉莲;苏怡年;陈煌明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，制造半导体装置的方法包括：在半导体鳍片上形成源极/漏极区。源极/漏极区与假性栅极相邻。此方法进一步包括：在源极/漏极区及假性栅极上方形成第一介电层。第一介电层具有3.5或更小的介电常数。第一介电层可包括具有Si‑CH3键的氮化硼或二氧化硅。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]晶体管结构及其形成方法-CN202210669456.1在审
发明人：陈建汉;张世郁;邱建智;陈煌明;谢志宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了晶体管结构及其形成方法。该方法包括：形成包括源极/漏极区和栅电极的晶体管；形成位于源极/漏极区上方并且电连接到源极/漏极区的源极/漏极接触插塞；在源极/漏极接触插塞上方形成第一层间电介质；在第一层间电介质上方形成蚀刻停止层；蚀刻蚀刻停止层以形成第一通孔开口；在第一层间电介质上方形成第二层间电介质；执行刻蚀工艺，使得第二层间电介质被刻蚀以形成沟槽，并且刻蚀停止层中的第一通孔开口延伸到第一层间电介质中以露出源极/漏极接触插塞；以及在共同的工艺中填充沟槽和第一通孔开口以分别形成金属线和通孔。
晶体管结构及其形成方法

[发明专利]NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进-CN201811098848.7有效
发明人：张云闵;陈建安;王冠人;王鹏;陈煌明;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上方形成层间电介质。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别是n型和p型。蚀刻层间电介质以形成第一接触开口和第二接触开口，其中，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别暴露于第一接触开口和第二接触开口。使用工艺气体来同时回蚀刻第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，并且第一源极/漏极区域的第一蚀刻速率高于第二源极/漏极区域的第二蚀刻速率。在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上分别形成第一硅化物区域和第二硅化物区域。本发明的实施例还涉及NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进。
nfet pfet 区域选择性凹进

[实用新型]一种LED灯的散热结构和LED灯-CN202021948152.1有效
发明人：张凤;陈煌明 -专利权人：厦门阳光恩耐照明有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED灯的散热结构，包括：LED光源组件、驱动电路板和驱动底座；所述驱动底座设置在LED光源组件背向发光面的一侧，并且所述驱动电路板与驱动底座之间的间距不相等，以在所述驱动电路板与驱动底座之间形成一供空气流动的通道，并且所述通道的高度沿着空气流动的方向逐渐增加。上述的LED灯的散热结构，改善驱动板底部的温度堆积。
一种 led 散热结构

[实用新型]一种镜前灯的照明灯体及包含其的镜前灯-CN202022677001.3有效
发明人：汪超;陈煌明 -专利权人：厦门阳光恩耐照明有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： F21S8/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种镜前灯的照明灯体及包含其的镜前灯，包括塑挤管、光源板、铝挤主体、两内端盖和两外端盖，光源板安装于塑挤管内，两内端盖分别密封地固定连接于塑挤管的两端，塑挤管安装于铝挤主体中，两外端盖分别固定连接于铝挤主体的两端，同一端上的内端盖和外端盖对应设置并相互配合形成有能防止外界的水渍滴溅到照明灯体内部的防水结构。本实用新型的光源板是装配在塑挤管内的，且塑挤管的两端各密封地连接有一个内端盖，有利地保证了塑挤管内部的密封性，同时，塑挤管能安装到铝挤主体中，铝挤主体的两端各连接有一个外端盖，且同一端上的内端盖和外端盖被配置为对应设置并相互配合形成有防水结构，大大地提高了其防水性能。
一种前灯照明灯包含

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201811247487.8有效
发明人：黄玉莲;李再春;林焕哲;陈煌明;吴泱澄;杨政桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了用于控制半导体器件的端至端距离的方法。本发明的实施例可以用于图案化5nm节点或超出5nm节点制造的层以实现小于35nm的端至端距离。与现有技术相比，本发明的实施例将周期时间和生产成本从三个光刻工艺和四个蚀刻工艺减少至一个光刻工艺和三个蚀刻工艺。
用于制造半导体器件方法

[实用新型]一种防拉接线盒-CN202021234533.3有效
发明人：汪超;陈煌明 -专利权人：厦门阳光恩耐照明有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H02G3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防拉接线盒，它包括盒体、上盖、接线端子和压线板，上盖与盒体一体成型且二者能开合地连接，接线端子放置在盒体内且其具有接线口，所述盒体设有与接线口相对应的第一穿线槽，所述压线板通过连接绳与盒体相连接，该压线板正反两面均可压抵在线材上以对线材进行固定。由于压线板通过连接绳与盒体相连接使得压线板可相对盒体任意转动以使压线板正面或背面均可压抵线材，该连接绳可采用绑缚的方式与压线板和盒体连接，或者该连接绳也可采用塑料材质，通过一体成型的方式与盒体和压线板相连接，可防止压线板丢失。同时，上盖与盒体也采用一体成型的方式进行连接。
一种接线

[发明专利]用于将碳导入半导体结构的方法及由此形成的结构-CN201310044204.0有效
发明人：苏玉珍;陈煌明;聂俊峰;苏培钊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：实施例是一种包括通过衬底的表面扩散碳、通过衬底的表面注入碳以及在通过衬底表面扩散碳和注入碳之后对衬底进行退火的方法。衬底包括第一栅极、栅极间隔件、蚀刻停止层以及层间介电层。第一栅极位于半导体衬底上方。栅极间隔件沿着第一栅极的侧壁。蚀刻停止层位于栅极间隔件的表面上以及半导体衬底的表面上方。层间介电层位于蚀刻停止层的上方。衬底的表面包括层间介电层的表面。本发明还提供了用于将碳导入半导体结构的方法及由此形成的结构。
用于导入半导体结构方法由此形成

[发明专利]具有阻挡层的铜接触插塞-CN201210390173.X有效
发明人：苏莉玲;谢静华;陈煌明;曹学文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了具有阻挡层的铜接触插塞，其中，一种器件包括导电层，导电层包括底部以及位于底部上方的侧壁部分，其中侧壁部分连接至底部的端部。含铝层与导电层的底部重叠，其中含铝层的顶面与导电层的侧壁部分的顶部边缘基本平齐。氧化铝层覆盖在含铝层之上。含铜区域位于氧化铝层上方并通过氧化铝层与含铝层隔开。含铜区域通过导电层的侧壁部分的顶部边缘电连接至含铝层。
具有阻挡接触

[实用新型]一种电源控制盒-CN201520875936.9有效
发明人：曾纪杭;陈煌明;徐文生;赖征伟;江建卫 -专利权人：厦门马恒达汽车零部件有限公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01H9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电源控制盒，其包括底盒、设置在底盒上端的好上盖、设置在底盒下端的端盖以及设置在底盒与上盖之间的主电源控制开关；主电源控制开关包括底座、固定安装在底座上的旋钮以及固定安装在底座下端的触点插柱；底座固定安装在底盒上端，触点插柱穿过底盒位于底盒端盖之间；在维修本实用新型的电源控制盒时，电源控制盒的主电源控制开关显而易见，方便切断电源，节约了维护人员为维修电源控制盒而寻找主电源控制开关的位置，同时保障维护人员的安全。
一种电源控制

[实用新型]一种纯电动汽车高压配电盒-CN201520688864.7有效
发明人：徐文生;陈煌明;曾纪杭;赖征伟;江建卫;林俊伟 -专利权人：厦门马恒达汽车零部件有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： B60L3/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力电子技术领域，具体涉及一种纯电动汽车高压配电盒，其特征在于：包括箱体，箱体中设置有主电路和高压控制器，所述主电路包括用于连接动力电池组的电池输入正端和电池输入负端，所述电池输入端正端通过主接触器连接熔断器，熔断器接主电机的输出端正端，电池输入端的负端通过分流器后输出至各输出端负端，主接触器一端连接各电附件接触器的一端，经接触器流过熔断器，再从熔断器另一端输出各附件输出正端，本实用新型的电动车高压配电箱能够为纯电动客车的充电，为主电机控制器、电附件负载提供电流分配及电压检测，为整车高压系统容性负载提供预充电路，并起保护功能，大大提高了电动车供电系统的安全稳定性。
一种电动汽车高压配电

[实用新型]一种高压配电柜-CN201520690059.8有效
发明人：徐文生;陈煌明;曾纪杭;赖征伟;江建卫 -专利权人：厦门马恒达汽车零部件有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H02B1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压配电柜，其包括柜体、设置在柜体上的柜盖、固定安装在柜体内的底板上的一个以上的U型支架、固定安装在U型支架顶端的钢板、固定安装在钢板上的电木板以及通过螺栓固定安装在电木板和钢板上的继电器和分流器；在柜体口沿外侧设置下耳板，在柜盖边缘外侧设置上耳板盖；本实用新型柜盖与柜体盖合时凸缘与柜紧密配合，且下耳板和上耳板上对应设置通孔，用螺栓配合螺母设置在通孔上，使柜盖与柜体固定后密封严密，防水防尘，达到IP56以上，下耳板和上耳板造价低，降低了生产成本，提高了经济效益。
一种高压配电柜

[实用新型]一种电动汽车高压配电柜-CN201520690571.2有效
发明人：徐文生;陈煌明;曾纪杭;赖征伟;江建卫 -专利权人：厦门马恒达汽车零部件有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H02B1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电动汽车高压配电柜，其包括柜体、设置在柜体上的柜盖、设置在柜体上部一侧的控制板外壳、固定安装在柜体内的底板上的一个以上的U型支架、固定安装在U型支架顶端的金属固定板以及固定安装在金属固定板上的电木板，在所述电木板上通过螺栓固定安装继电器或分流器，在所述金属固定板下端固定安装螺母，所述螺栓穿过电木板和固定板与螺母螺纹连接，本实用新型可将螺母铆接固定在钢板上，这样汽车在行使时，螺母不易松动且符合高压柜电气绝缘的要求，便于更换和维护继电器或分流器，提高了工作效率，减少了维护成本。
一种电动汽车高压配电柜

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201210048831.7有效
发明人：蔡雯琪;赖加瀚;陈永君;王美匀;吴启明;陈方正;陈煌明;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。
半导体器件及其形成方法

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