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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]降低射频开关中的寄生损耗的串联分流偏置方法-CN202180031964.0在审
发明人： R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;A·阿里亚加达;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：射频(RF)开关包括串联耦合的开关晶体管。RF开关包括与开关晶体管的栅极电极耦合的分布式栅极偏置网络。RF开关还包括与开关晶体管的体电极耦合的分布式体偏置网络。
降低射频开关中的寄生损耗串联分流偏置方法

[发明专利]双侧接触开关中的电容平衡-CN201980083891.2在审
发明人：梁晴晴;R·P·K·维杜拉;G·P·埃姆图尔恩;C·N·布里恩德勒;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种双侧接触开关具有多栅极有源器件的第一独立漏极/源极区域(372)。该双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第一共享漏极/源极区域(374)。双侧接触开关具有多栅极有源器件的第二独立漏极/源极区域(376)，该第二独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域相邻。双侧接触开关还具有多栅极有源器件的第二共享漏极/源极区域，该第二共享漏极/源极区域与第一独立漏极/源极区域相邻。双侧接触开关在第一独立漏极/源极区域与第一共享漏极/源极区域之间以及在第二独立漏极/源极区域与第二共享漏极/源极区域之间具有栅极区域(356)。
接触开关中的电容平衡

[发明专利]绝缘体上半导体(SOI)技术中的高压(HV)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)-CN201980042695.0在审
发明人：梁晴晴;R·P·K·维杜拉;S·库玛拉萨米;G·P·埃姆图尔恩;S·格科特佩里 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：描述了一种集成电路。该集成电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。MOSFET位于集成电路的绝缘体层的第一表面上。该MOSFET包括源极区、漏极区和前栅极。MOSFET还包括延伸漏极区，其位于漏极区与靠近前栅极的阱之间。该集成电路还包括背栅极，其位于绝缘体层的第二表面上，该第二表面与第一表面相对。背栅极与延伸漏极区重叠。
绝缘体上半导体 soi 技术中的高压 hv 金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]利用背侧硅化的基于体层转印的开关-CN201980036010.1在审
发明人： S·格科特佩里;G·P·埃姆图尔恩;R·P·K·维杜拉;P·克拉克 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-05-02 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：一种射频集成电路开关包括半导体管芯，该半导体管芯具有在半导体管芯的第一侧(例如，前侧)上具有栅极的晶体管。半导体管芯可以包括体半导体衬底或晶片(例如，硅衬底或晶片)。半导体管芯还可以包括第一深沟槽隔离(DTI)区域，该第一深沟槽隔离(DTI)区域从半导体管芯的前侧延伸到与该前侧相对的背侧。射频集成电路开关还包括本体接触层，该本体接触层位于半导体管芯的背侧上。本体接触层耦合到晶体管的本体的背侧。晶体管的本体可以具有第一P型区域(例如，P+区域)。
利用背侧硅化基于体层转印开关

[发明专利]体电流旁路电阻器-CN201880064207.1在审
发明人： R·P·K·维杜拉;S·格科特佩里;J·穆尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：描述了射频集成电路(RFIC)。该RFIC包括开关场效应晶体管(FET)，该FET包括源极区、漏极区、体区和栅极。该RFIC还包括耦合在栅极与体区之间的体旁路电阻器(Rb)。该RFIC还包括耦合在栅极与体区之间的栅极隔离电阻器(Rg)。该RFIC还包括耦合在体旁路电阻器与栅极隔离电阻器之间的二极管。
电流旁路电阻器

[发明专利]用于改善谐波性能的晶体管布局-CN201880064673.X在审
发明人： R·P·K·维杜拉;S·格科特佩里;G·P·埃姆图尔恩 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种射频集成电路(RFIC)，包括多个多指晶体管，多个多指晶体管包括离散扩散区域并且在重新配置的形状因数内被互连为单个开关晶体管。RFIC还包括源极总线，源极总线具有耦合到多指晶体管的每个源极区域的第一多个源极指，并且具有正交地耦合到第一多个源极指的第二多个源极指。第二多个源极指将离散扩散区域并联耦合。RFIC还包括漏极总线，漏极总线具有耦合到多指晶体管的每个漏极区域的第一多个漏极指，并且具有正交地耦合到第一多个漏极指的第二多个漏极指。第二多个漏极指将离散扩散区域并联电耦合。RFIC还包括多个互连的主体接触，以偏置多指晶体管中的每个多指晶体管的主体。
用于改善谐波性能晶体管布局

[发明专利]环绕式栅极结构和形成环绕式栅极结构的方法-CN201880011916.3在审
发明人： R·P·K·维杜拉;S·A·法内利;F·阿扎齐 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体器件包括沟道结构，该沟道结构包括第一氧化物层、第二氧化物层和在第一氧化物层与第二氧化物层之间的沟道区域。该半导体器件包括在沟道结构的至少三个侧面附近的第一栅极结构。该半导体器件包括在沟道结构的至少第四侧面附近的第二栅极结构。
沟道结构氧化物层栅极结构半导体器件环绕式沟道区域侧面

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