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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进-CN201811098848.7有效
发明人： 张云闵;陈建安;王冠人;王鹏;陈煌明;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上方形成层间电介质。第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别是n型和p型。蚀刻层间电介质以形成第一接触开口和第二接触开口，其中，第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别暴露于第一接触开口和第二接触开口。使用工艺气体来同时回蚀刻第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，并且第一源极/漏极区域的第一蚀刻速率高于第二源极/漏极区域的第二蚀刻速率。在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域上分别形成第一硅化物区域和第二硅化物区域。本发明的实施例还涉及NFET/PFET的源极/漏极区域的选择性凹进。
nfet pfet 区域选择性凹进

[发明专利]半导体器件和方法-CN202011375976.9在审
发明人：傅劲逢;王冠人;张云闵;黄玉莲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。提供了一种半导体器件及其制造方法，其有助于在移除材料以形成气隙时支撑接触件。在实施例中，接触件被形成有扩大的基部以辅助支撑接触件的上覆部分。在其他实施例中，也可以在形成气隙之前放置支架材料以便提供附加支撑。
半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110014896.9在审
发明人：王冠人;张云闵;黄玉莲;傅劲逢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了半导体器件及方法。公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括延伸到源极/漏极区域中，在源极/漏极区域的最顶表面下方的源极/漏极接触件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，在半导体衬底之上；第一栅极堆叠，在半导体衬底之上并且围绕第一沟道区域的四个侧；第一外延源极/漏极区域，与第一栅极堆叠和第一沟道区域相邻；以及第一源极/漏极接触件，耦合至第一外延源极/漏极区域，第一源极/漏极接触件的最底表面延伸到第一沟道区域的最顶表面下方。
半导体器件方法

[发明专利]具有包括凹入轮廓的接触部插塞的鳍式场效应晶体管器件-CN202011336019.5在审
发明人：黄玉莲;王冠人;傅劲逢;张云闵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及具有包括凹入轮廓的接触部插塞的鳍式场效应晶体管器件。一种形成半导体器件的方法包括：在突出于衬底上方的鳍之上形成栅极结构；在所述栅极结构的相反侧，在所述鳍之上形成源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域之上依次形成第一电介质层和第二电介质层；执行第一蚀刻工艺以在所述第一电介质层和所述第二电介质层中形成开口，其中，所述开口暴露下方导电特征；在执行所述第一蚀刻工艺之后，执行第二蚀刻工艺以扩大所述开口的接近所述衬底的下部；以及在所述第二蚀刻工艺之后在所述开口中形成接触部插塞。
具有包括轮廓接触部插塞场效应晶体管器件

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