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[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN200410099754.3有效
发明人：金勋;李基龙;徐晋旭 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-11-22 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括具有源极/漏极区域和沟道区域的有源层、栅极电极、具有暴露每个源极/漏极区域的一部分的接触孔的绝缘层、和暴露有源层的一部分的晶化诱导图案。源极/漏极电极通过接触孔连接到源极/漏极区域，而晶化诱导图案并不将源极/漏极区域连接到源极/漏极电极。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]TFT结构及其修复方法、GOA电路-CN201610018659.9在审
发明人：阙祥灯 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：该TFT结构及其修复方法设置源极(10)由多个独立U形源极分支(101)构成，漏极(20)由多个条状漏极分支(201)构成，每一独立U形源极分支(101)各通过一连接部(103)单独连接至第一金属线(30)，多个条状漏极分支(201)均电性连接至第二金属线(40)，各个独立U形源极分支(101)及与其对应的条状漏极分支(201)构成多个独立的源漏极导通通道；当检测出某个独立U形源极分支(101)及其对应的条状漏极分支(201)存在缺陷时，可通过断路存在缺陷的独立U形源极分支(101)、断路对应的条状漏极分支(201)的方法进行修复，其它源漏极导通通道则继续正常工作。
tft 结构及其修复方法 goa 电路

[发明专利]具有非晶态金属层的金属栅-CN201580051216.3在审
发明人： J·J·徐;Z·王;K·里姆;S·S·宋;C·F·叶 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种特定的半导体器件包括衬底、源极触点、漏极触点和金属栅极。所述衬底包括源极区、漏极区和沟道。所述源极触点耦合到所述源极区。所述漏极触点耦合到所述漏极区。所述金属栅极耦合到所述沟道。
具有晶态金属

[发明专利]形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法-CN202011436076.0有效
发明人：刘金彪;罗军;李俊峰;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成源/漏接触的方法及晶体管的制作方法。形成源/漏接触的方法：刻蚀出源极接触孔和漏极接触孔，所述源极接触孔底部为所述源极裸露的表面，所述漏极接触孔底部为所述漏极裸露的表面；在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内选择性外延生长高掺杂的SixGe1‑x层，所述高掺杂的类型与源极、漏极的掺杂类型相同，0≤x≤1；在所述源极和所述漏极裸露的表面形成激光吸收层，其余结构表面形成激光反射层；对所述激光吸收层进行激光退火，发生熔融；去除所述激光吸收层和所述激光反射层；之后在所述源极接触孔和所述漏极接触孔内分别沉积金属，形成源极接触和漏极接触。本发明能有效降低源漏接触电阻。
形成漏接方法晶体管制作方法

[发明专利]一种低功耗低电压温度传感电路-CN202010300303.0在审
发明人：张立强;徐建民;狄建兴;李国峰;胡锦龙;张勇;崔立志;郝建军;郑玉南;李永斌;杨铁生;宋学忠;齐敬伟;周志勇 -专利权人：唐山国芯晶源电子有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：一种低功耗低电压温度传感电路，包括六个PMOS晶体管和两个二极管串联电路，第一PMOS管和第五PMOS管的栅极和源极接电源，第一二极管串联电路的负端接地，正端接第一PMOS管漏极，第二PMOS管的源极接第一PMOS管漏极，栅极和漏极接第三PMOS管源极；第三PMOS管的源极接第二PMOS管漏极，栅极和漏极接第四PMOS管源极；第四PMOS管的源极接第三PMOS管漏极，栅极和漏极接第六PMOS管的源极和栅极；第一二极管串联电路的负端接第六PMOS管的源极和栅极，正端与第五PMOS管的漏极相连后作为输出端；第六PMOS管的漏极接地。
一种功耗电压温度传感电路

[实用新型]一种低功耗低电压温度传感电路-CN202020569493.1有效
发明人：张立强;徐建民;狄建兴;李国峰;胡锦龙;张勇;崔立志;郝建军;郑玉南;李永斌;杨铁生;宋学忠;齐敬伟;周志勇 -专利权人：唐山国芯晶源电子有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01K7/01 文献下载
摘要：一种低功耗低电压温度传感电路，包括六个PMOS晶体管和两个二极管串联电路，第一PMOS管和第五PMOS管的栅极和源极接电源，第一二极管串联电路的负端接地，正端接第一PMOS管漏极，第二PMOS管的源极接第一PMOS管漏极，栅极和漏极接第三PMOS管源极；第三PMOS管的源极接第二PMOS管漏极，栅极和漏极接第四PMOS管源极；第四PMOS管的源极接第三PMOS管漏极，栅极和漏极接第六PMOS管的源极和栅极；第一二极管串联电路的负端接第六PMOS管的源极和栅极，正端与第五PMOS管的漏极相连后作为输出端；第六PMOS管的漏极接地。
一种功耗电压温度传感电路

[发明专利]串叠开关装置-CN201410258461.9在审
发明人：杨长暻 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：高压晶体管包含第一漏极、第一源极以及第一栅极。低压晶体管包含第二漏极、第二源极以及第二栅极。低压晶体管与高压晶体管相串叠。串叠开关装置在第二源极以及第二漏极间的第二漏源极电容值、第二栅极以及第二漏极间的栅漏极电容值以及第一栅极及第一源极间的栅源极电容值的等效电容，相对第一源极及第一漏极间的第一漏源极电容值间的第一比值，由高压晶体管的漏极电压与低压晶体管的击穿电压间的第二比值决定
开关装置

[发明专利]具有异质接触件的集成电路-CN201810315561.9在审
发明人：金兑衡;都桢湖;文大英;白尚叶;林哉炫;崔在承;韩相信 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-10 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路，其包含：多个导电线，其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延伸，其中上部源极/漏极接触件放置在第一导电线下方，且栅极接触件放置在第二导电线下方。下部源极/漏极接触件的顶部表面可以大于上部源极/漏极接触件的底部表面。
导电线接触件源极/漏极底部表面漏极接触上部源栅极接触栅极线竖直集成电路源极/漏极区域彼此连接顶部表面延伸异质

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201911141072.7在审
发明人：游家权;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一个实施例中，一个根据本公开的半导体装置包含延伸自基板的鳍片、位于鳍片的通道区上的栅极结构、位于鳍片的源极/漏极区上的源极/漏极接触件、与栅极结构相邻的栅极切割部件、与源极/漏极接触件相邻的源极/漏极接触隔离部件、沿着栅极切割部件延伸的侧壁及栅极结构的侧壁延伸的间隔物、沿着源极/漏极接触隔离部件的侧壁及源极/漏极接触件的侧壁延伸的衬层、及被间隔物及衬层夹住的气隙。栅极切割部件及源极/漏极接触隔离部件被间隔物、气隙、及衬层分离。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910531278.4在审
发明人：林义雄;邱奕勋;张尚文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：方法包括形成层间介电层于第一外延的源极/漏极结构及一第二外延的源极/漏极结构上，其中第一外延的源极/漏极结构与第二外延的源极/漏极结构相邻；形成虚置接点结构于第一外延的源极/漏极结构上的层间介电层中；移除第二外延的源极/漏极结构上的层间介电层的一部分与虚置接点结构的一部分，以形成第一沟槽；移除虚置接点结构的保留部分，以形成第二沟槽；以及形成金属源极/漏极接点于第一沟槽与第二沟槽中。
源极/漏极接点结构层间介电层移除半导体结构金属源极漏极接点介电层保留

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110014896.9在审
发明人：王冠人;张云闵;黄玉莲;傅劲逢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括延伸到源极/漏极区域中，在源极/漏极区域的最顶表面下方的源极/漏极接触件。在一个实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底；第一沟道区域，在半导体衬底之上；第一栅极堆叠，在半导体衬底之上并且围绕第一沟道区域的四个侧；第一外延源极/漏极区域，与第一栅极堆叠和第一沟道区域相邻；以及第一源极/漏极接触件，耦合至第一外延源极/漏极区域，第一源极/漏极接触件的最底表面延伸到第一沟道区域的最顶表面下方。
半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN202010715381.7在审
发明人：李斗铉;申宪宗;郭玟灿;朴贤镐;郑圣宪;郑涌植;池祥源;黄寅灿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源区和第二有源区；第一源极/漏极图案，在第一有源区上；第二源极/漏极图案，在第二有源区上；分隔电介质图案，在第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间的衬底上；以及第一接触图案，在第一源极/漏极图案上，其中第一接触图案包括：第一金属图案；第一阻挡图案，在第一金属图案与第一源极/漏极图案之间；以及第二阻挡图案，在第一阻挡图案与第一源极/漏极图案之间，其中第一阻挡图案接触分隔电介质图案并且沿着第一金属图案的与分隔电介质图案相邻的侧壁延伸
半导体器件

[发明专利]静电放电保护装置-CN202210270967.6在审
发明人：卢冠佑;邱厚荏;赵美玲;唐天浩;苏冠丞 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种静电放电保护装置，其包括半导体基底、栅极结构、源极掺杂区、漏极掺杂区、多个源极硅化物图案以及多个漏极硅化物图案。栅极结构设置在半导体基底上。源极掺杂区与漏极掺杂区设置在半导体基底中且分别位于栅极结构在第一方向上的两相对侧。源极硅化物图案设置在源极掺杂区上，且多个源极硅化物图案沿第二方向上排列且彼此分离。漏极硅化物图案设置在漏极掺杂区上，且多个漏极硅化物图案沿第二方向上排列且彼此分离。多个源极硅化物图案与多个漏极硅化物图案在第一方向上彼此错位排列。
静电放电保护装置

[发明专利]作为光传感器的MOS晶体管结构-CN201410164042.9有效
发明人：鄂尔斯特·布莱施奈德 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：描述了一种用于登记光的结构，包括：MOS晶体管结构(101，201，401，501，601，701)，具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)、以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区域(107)，其中所述主体区域的掺杂类型不同于所述第一和第二源极/漏极区域的另一掺杂类型，其中在所述主体区域(107)中，根据照射在主体区域(107)的光(111)而产生电荷载流子，其中所产生的电荷载流子控制从第一源极/漏极区域(103)经过主体区域流的至少一部分向第二源极/漏极区域(105)的电流。
作为传感器 mos 晶体管结构

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200710182177.8有效
发明人：入江由季子 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该显示装置包括像素电极；像素开关元件，其具有第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域和栅极电极；保持电容元件，其具有形成为在其间夹置电介质膜的第一电极和第二电极，第二电极与第二源极/漏极区域相连；像素电极接续部，其由导电材料形成，像素电极和第二源极/漏极区域通过像素电极接续部彼此相连；和与第一源极/漏极区域连接的信号配线；当通过反转驱动保持像素电位时，信号配线和第二源极/漏极区域变为电位彼此不同，且像素电极接续部和第二源极/漏极区域变为电位彼此相等。
显示装置及其制造方法