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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202110972491.6在审
发明人：李元赫;朴钟撤;朴商德;申洪湜;李道行 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，在有源图案上且彼此分隔开；第一源极/漏极接触件，在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜；第二源极/漏极接触件，在第二源极/漏极图案上；以及栅极结构，在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间在有源图案上且包括栅电极，其中，第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低，并且从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710017972.5有效
发明人：金辅淳;金炫知;李正允;朴起宽;朴商德;吴怜默;李庸硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201610943366.1有效
发明人：李庸硕;李正允;朴起宽;慎居明;金炫知;朴商德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。
半导体装置

[发明专利]测试装置-CN201680007209.8有效
发明人： 朴商德 -专利权人：李诺工业股份有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于测试物件的电性质的测试装置。测试装置包含：物件支撑单元，被设置以用于支撑物件；罩盖单元，包含耦接至物件支撑单元的罩盖主体，以及由罩盖主体支撑以便朝向与远离物件移动的推动器；以及压力调整器，包含：在接触推动器的同时可旋转地设置于罩盖主体中且具有多级接触按压部分的多级调整凸轮，多级接触按压部分的接触半径取决于旋转角而变化，使得推动器可处于后移位置中且被定位成与罩盖主体相隔多种按压距离；以及操作多级调整凸轮的操作单元。
测试装置

[发明专利]测试插座-CN201580044606.8有效
发明人： 朴商德 -专利权人：李诺工业股份有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于检验讲究性质的电子器件的测试插座。用于检验对象的电性性质的测试插座包括：多个探针，被配置以用于在检验方向上缩回；探针支撑体，被配置以用于支撑多个探针，以使多个探针的第一端突出以接触对象的目标接触点；以及印刷电路板(PCB)，被配置成放置于探针支撑体下方，安装有电子部件，形成有供多个探针的第二端穿过的孔，并包括多个探针的至少一个第二端接触的至少一个第一焊垫及形成于与第一焊垫相对的侧上的至少一个第二焊垫，并且形成有自第一焊垫及第二焊垫延伸并连接至所安装电子部件的电气路径。
测试插座

[发明专利]测试装置用的接触探针-CN201580049865.X在审
发明人： 朴商德;全哉映 -专利权人：李诺工业股份有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G01R1/067 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于高电流的接触探针，其电连接待测物件的接点与测试电路的接点。接触探针包含经设置以与待测物件的接点接触的第一杵棒；经设置以与测试电路的接点接触的第二杵棒；经设置以支撑第一杵棒与第二杵棒中的至少一者在其中滑动的桶身；以及安置在桶身内且介于第一杵棒与第二杵棒之间的弹簧，其中第一杵棒与第二杵棒之中的一者含有容纳弹簧一端的开孔，第一杵棒与第二杵棒之中的另一者包含将被开孔所容纳的主干，且在弹簧因完成测试而回复原状后，主干的自由端至少配置在开孔内。
测试装置接触探针

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201410095174.0在审
发明人：金柱然;李哲雄;金泰善;朴商德;尹范濬;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/441 文献下载
摘要：本发明提供了制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在第二导电层上形成掩模图案，该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层（BARC）；以及利用掩模图案除去第一导电层。
制造半导体器件方法

[发明专利]用于核反应堆堆芯压力容器的间隙结构-CN96180447.5无效
发明人：黄一淳;徐钧烈;郑光珍;朴商德;林东澈 -专利权人：黄一淳;徐钧烈;郑光珍;朴商德;林东澈
申请日： 1996-09-25 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： G21C9/016 文献下载
摘要：一种间隙的形成结构(3)，该结构用于在水冷核反应堆发生反应堆堆芯(1)事故的情况下，防止该反应堆堆芯压力容器下端(2)壳体过热及最终失效。因为在该间隙结构(3)的冷却效果有利于容纳该熔化堆芯(1)碎块。单层或多层该间隙结构也能够利用焊接或固定结构安装在该反应堆堆芯压力容器下端(2)的内部或外部，或在该反应堆堆芯压力容器下端的内部固定检测/控制导管。在该间隙结构(3)中的水冷能力，能够防止该反应堆堆芯压力容器下端(2)壳体过热及最终失效。从而通过防止该下端(2)壳体的破坏来预防严重事故的发生。
用于核反应堆堆压力容器间隙结构

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