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[发明专利]蚀刻液组合物及蚀刻方法-CN201780039260.1在审
发明人：河野良;大和田拓央 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻液组合物，其能够同时蚀刻钨膜和氮化钛膜；以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。根据本发明的蚀刻液组合物，含有硝酸和水，用于同时蚀刻钨膜和氮化钛膜。
蚀刻液组合物蚀刻氮化钛膜蚀刻钨膜硝酸

[发明专利]一种多彩外观装饰膜层及其制备方法-CN202211480543.9在审
发明人：陈升阳;傅相林;李鹏;杨晓锋 -专利权人：嘉兴敏惠汽车零部件有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于汽车外饰件技术领域，具体涉及一种多彩外观装饰膜层及其制备方法。所述多彩外观装饰膜层，包括氮化钛层、金属铟层和金属钛层，制备方法包括以下步骤：(1)使用中性清洗剂和超声波清洗基材；(2)依次溅射氮化钛层、金属铟层和金属钛层；(3)喷涂UV漆层并进行固化烘烤。利用磁控溅射制备纳米涂层，结合氮化钛层、金属铟层和金属钛层，所得膜层与基材结合力较好，附着力更优，可以制备出金色、蓝色、玫瑰金、绿色等多种外观颜色的装饰膜层，满足汽车外光膜层的多样化要求。
一种多彩外观装饰及其制备方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN98800407.0有效
发明人：藤川绅介 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 1998-03-27 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在液晶显示装置等显示装置内，为了使电极及配线等低电阻连接，在由多晶硅膜形成的漏区(5)和铝膜形成的漏电极(9)之间设置为防止硅扩散用的六方晶系的第1氮化钛膜(14)。在由ITO膜形成的透明显示电极(12)和由铝膜形成的漏电极(9)之间，为了使它们欧姆连接而设置六方晶系的第2氮化钛膜(15)，它能由与钛膜(13)或第1钛膜(14)相同的靶溅射形成。因为第2氮化钛膜(15)对用于氧化硅膜的蚀刻液和对用于ITO膜蚀刻液有抗蚀性，所以在对它们蚀刻时能够保护漏电极(9)。
显示装置及其制造方法

[实用新型]用于航空涡喷发动机压气机叶片的防冲蚀梯度膜-CN201621162693.5有效
发明人：刘战合;赵辉;田秋丽 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于航空涡喷发动机压气机叶片的防冲蚀梯度膜，本实用新型的一种用于航空涡喷发动机压气机叶片的防冲蚀梯度膜由内向外依次为叶片基底、过渡层、高硬度梯度膜层和润滑梯度膜层。所述过渡层为金属钛层或金属铬层，所述高硬度梯度膜层由内向外依次为氮化钛层、氮化锆钛层，所述润滑梯度膜层由内向外依次为氮化铬锆钛层、氮化铬锆铝钛层。本实用新型实现膜层各元素的梯度连续化分布，提高航空涡喷发动机压气机叶片使用寿命。
用于航空喷发动机压气叶片冲蚀梯度

[发明专利]一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法-CN202011251161.X在审
发明人：林爱梅 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种防止侧墙变形的自对准二次成型工艺方法，在通孔层上从下至上依次生长第一氮化硅层、第一氧化硅层、氮化钛层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、多晶硅层；将多晶硅层作为硬掩膜定义图形并刻蚀第二氮化硅层至第二氧化硅层上表面，将第二氮化硅层形成为多个氮化硅图形结构；在多个氮化硅图形结构的侧壁形成侧墙；去除侧墙内的所述氮化硅图形结构；以侧墙为硬掩膜刻蚀第二氧化硅层和氮化钛层；形成氮化钛图形结构；以氮化钛图形结构为硬掩膜刻蚀第一氧化硅层和第一氮化硅层，将第一氧化硅层和第一氮化硅层图形化。本发明通过对复合膜层整合，高温下各膜层间的应力得以匹配，彻底解决侧墙倾斜，实现二次成型的图形定义。
一种防止变形对准二次成型工艺方法

[发明专利]中高温太阳能选择性吸收镀层的膜系结构及其制备方法-CN201310157863.5有效
发明人：夏建业;杨纪忠;刘建超 -专利权人：江苏夏博士节能工程股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： F24J2/50 文献下载
摘要：本发明所公开的是一种中高温太阳能选择性吸收镀层的膜系结构及其制备方法，所述膜系结构，以其在基底一表面依次有离子刻蚀层，铝红外反射膜层，氮化钛热扩散阻挡膜层，高金属含量的氮氧化钛吸收膜层，低金属含量的氮氧化钛吸收膜层，四氮化三硅减反射膜层和二氧化硅减反射膜层为主要特征；而其制备方法，以其首先是金属铜基底的表面刻蚀处理，和依次镀制铝红外反射膜层、氮化钛热扩散阻挡膜层、高金属含量的氮氧化钛吸收膜层、低金属含量的氮氧化钛吸收膜层、四氮化三硅减反射膜层和二氧化硅减反射膜层为主要特征；制成铝具有结构合理，吸收率较高，发射率较低，不易开裂脱离，适合长期在300℃温度下工作等特点，制备方法具有简单易控，制品质量好，适宜大工业化生产等特点
高温太阳能选择性吸收镀层结构及其制备方法

[实用新型]一种氮化钛复合膜-CN201821485195.3有效
发明人：杨杰平 -专利权人：杨杰平
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种氮化钛复合膜，包括由基材表面向外依次形成的金属底层、支撑层及氮化钛层。底层采用阴极电弧技术制备，支撑层采用磁控溅射技术制备，氮化钛层是采用磁控溅射和阴极电弧两种技术同时工作形成的两种不同结构膜层交错堆叠的混合物层，所述淡化钛层的厚度在1～5μm之间。本实用新型设计精巧，结构简单，氮化钛层采用两种不同结构膜层交替堆叠的结构。充分发挥磁控溅射膜层的高致密性、缺陷少的优点，阴极电弧制备膜层的高硬度、良好的结合力的优点，实现膜层内部结构致密，又可以保证涂层的硬度高，最终形成具有良好的结合力、高硬度、结构致密的硬质涂层。
氮化钛层膜层制备本实用新型磁控溅射结构膜层阴极电弧氮化钛复合膜高硬度结合力支撑层致密磁控溅射技术阴极电弧技术高致密性混合物层基材表面交错堆叠交替堆叠结构致密金属底层硬质涂层钛层淡化保证

[发明专利]用于调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法-CN202180057994.9在审
发明人：李昇勋;李昇炫;金胜焕;陈昇吾 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。所述蚀刻用组合物包括无机酸、氧化剂、由化学式1表示的添加剂、及余量的水，其表现出以下显著效果：根据半导体制造工艺的各种湿式蚀刻工艺，能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，与此同时，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为
用于调节氮化蚀刻选择组合利用方法

[发明专利]蚀刻处理方法以及蚀刻处理装置-CN202210953083.0在审
发明人：三好信哉;尼克·皮卡;阿部高广 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：蚀刻处理方法中，将形成有氮化钛膜(1)的晶片(8)载置到真空容器(11)内部的处理室(7)内的晶片载台(9)上，具有如下工序：对晶片供给氯自由基，从而在氮化钛膜的表面形成改性层(6)；和加热晶片，使改性层脱离除去，通过重复进行形成改性层的工序和使改性层脱离除去的工序，来蚀刻氮化钛膜。
蚀刻处理方法以及装置

[发明专利]一种生物质高介电纳米复合膜的制备方法-CN202110041501.4在审
发明人：杨全岭;栗雪倩;王锦玉;石竹群;杨智博;包江锴;熊传溪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C08L5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物质高介电纳米复合膜的制备方法，将尿素、氢氧化钾、去离子水按比例混合，配制尿素/氢氧化钾水溶液；加入氮化硼，将所得混合液分散，制得氮化硼剥离分散液；加入钛酸铜钙，将所得混合液分散，制得氮化硼/钛酸铜钙混合分散液；将所得氮化硼/钛酸铜钙混合分散液降温至‑35℃以下，加入甲壳素快速搅拌溶解，离心除气泡，得到甲壳素/氮化硼/钛酸铜钙复合溶液；所得甲壳素/氮化硼/钛酸铜钙复合溶液在凝固浴中制膜得到复合膜并且，复合膜还具有良好的光学性能和机械强度，并且厚度可调，在光电储能材料等领域具有广泛的应用前景。
一种生物质高介电纳米复合制备方法

[发明专利]固体电解电容器-CN200380103655.1有效
发明人：藤本和雅;吉满聪;吉田泰;斋藤弘 -专利权人：三洋电机株式会社;佐贺三洋工业株式会社;日本蓄电器工业株式会社
申请日： 2003-11-17 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：在阴极萡(5)上，形成由包含钛的复合金属化合物的氮化物构成的被膜。复合金属化合物的氮化物是氮化铝钛、氮化铬钛、氮化锆钛、碳氮化钛。
固体电解电容器

[发明专利]半导体器件的刻蚀方法-CN201110341447.1有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的刻蚀方法：在半导体衬底上自下而上依次形成有低介电常数绝缘材料层、顶层氧化物层和氮化钛硬掩膜层；在氮化钛硬掩膜层的表面涂布光阻胶层，曝光显影所述光阻胶层，形成图案化的光阻胶层，以定义沟槽和连接孔的位置；以图案化的光阻胶层为掩膜，刻蚀所述氮化钛硬掩膜层和顶层氧化物层，显露出低介电常数绝缘材料层；在显露出的低介电常数绝缘材料层的表面离子注入碳元素或者氮元素；采用氢氟酸对顶层氧化物层进行清洗，扩大经过刻蚀的顶层氧化物层的开口；以经过刻蚀的氮化钛硬掩膜层为掩膜，对低介电常数绝缘材料层进行刻蚀形成沟槽和连接孔；去除氮化钛硬掩膜层。
半导体器件刻蚀方法

[发明专利]表面具有金属抗菌复合膜的金属制品及其制造方法-CN202110820488.2在审
发明人：吴慧钏 -专利权人：吴慧钏
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种表面具有金属抗菌复合膜的金属制品，包括金属制品基体，其特征在于：所述金属制品基体的表面上包覆有内氮化金属膜层，内氮化金属膜层上包覆有中间氮化金属膜层，中间氮化金属膜层上包覆有外氮化金属膜层；内氮化金属膜层所含的金属材料为铬、钛、锆、银、铜和锡中的一种或其中多种的组合；中间氮化金属膜层所含的金属材料为银、铜、锡、铬、钛和锆中的一种或其中多种的组合；外氮化金属膜层所含的金属材料为铬、钛和锆中的一种或其中多种的组合。本发明还提供上述表面具有金属抗菌复合膜的金属制品的一种制造方法。本发明的金属制品表面上具有金属抗菌复合膜，该金属抗菌复合膜使金属制品具有优异的抗菌性能，以及优良的耐磨性和耐腐蚀性。
表面具有金属抗菌复合金属制品及其制造方法

[发明专利]磁变电阻效应型磁头及其制造方法-CN95104052.9无效
发明人：田所茂;渡边克朗;今川尊雄;田岛康成 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-03-08 - 公布日： 1996-02-21 - 主分类号： G11B5/31 文献下载
摘要：磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜14、使电流流到前述磁变电阻膜的一对电极17和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜16，其特征是前述软磁性膜16含有铁、钴和镍之中至少一种材料和氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅和稀土类氮化物中的至少一种化合物。由于添加化合物，使软磁性膜的电阻上升，由磁变电阻效应膜分流到软磁性膜的电流减少，从而提高了磁变电阻效应型磁头的重放电压。
电阻效应磁头及其制造方法

[发明专利]用于航空涡喷发动机压气机叶片的防冲蚀梯度膜及其制备方法-CN201610938932.X有效
发明人：刘战合;赵辉;田秋丽 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于航空涡喷发动机压气机叶片的防冲蚀梯度膜及其制备方法，本发明的一种用于航空涡喷发动机压气机叶片的防冲蚀梯度膜由内向外依次为叶片基底、过渡层、高硬度梯度膜层和润滑梯度膜层；所述用于航空涡喷发动机压气机叶片的防冲蚀梯度膜自叶片基底由内向外依次沉积所述过渡层为金属钛层或金属铬层，所述高硬度梯度膜层由内向外依次为氮化钛层、氮化锆钛层，所述润滑梯度膜层由内向外依次为氮化铬锆钛层、氮化铬锆铝钛层。本发明实现膜层各元素的梯度连续化分布，提高航空涡喷发动机压气机叶片使用寿命。
用于航空喷发动机压气叶片冲蚀梯度及其制备方法