“氮化钛膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1086421个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种超高可见光透过率的镀膜玻璃及其制备方法-CN201510419727.8有效
发明人：樊义平;周厚祥 -专利权人：青岛锦绣前程节能玻璃有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高可见光透过率的镀膜玻璃及其制备方法，属于镀膜玻璃技术领域，包括玻璃基体，由玻璃基体向外依次包括：第一氮化硅膜层、第一氧化铌膜层、氧化锌铝膜层、银膜层、氧化镍铬膜层、氧化锌锡锑膜层、第二氧化铌膜层、第二氮化硅膜层、氧化钛膜层，本发明的镀膜玻璃辐射率低，同时具有超高可见光透过率。
一种超高可见光透过镀膜玻璃及其制备方法

[发明专利]耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法-CN201210275576.X无效
发明人：陈奇;沈励;许沭华;迟晓晖 -专利权人：芜湖长信科技股份有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐温耐压电容触摸屏面板的制造方法，包括以下步骤：一）对玻璃基板进行清洗和干燥；二）形成可去除的局部遮挡层；三）真空镀一层黑色碳化钛薄膜或黑色碳氮化钛薄膜；四）在碳化钛薄膜或碳氮化钛薄膜表面真空镀一层二氧化硅薄膜；五）去除局部遮挡层及其上的薄膜，得到带有金属薄膜导线黑膜遮蔽边框和透明可视区的玻璃基板；六）在玻璃基板的背面，透明可视区上形成透明ITO导电膜，在黑膜遮蔽边框上形成与透明ITO导电膜相连的金属薄膜导线
耐温耐压电容触摸屏面板制造方法

[发明专利]蚀刻组合物和通过使用其制造半导体器件的方法-CN201711203216.8有效
发明人：李孝善;金澔永;裵相元;金珉久;林廷训;崔容在 -专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式公社
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：所述蚀刻组合物从包括氮化钛(TiN)膜和氮化钽(TaN)膜的堆叠的导电膜结构选择性地除去氮化钛膜。配置用于蚀刻氮化钛(TiN)的所述蚀刻组合物包括相对于所述蚀刻组合物的总重量的5重量％‑30重量％的过氧化氢、15重量％‑50重量％的酸化合物、和0.001重量％‑5重量％的腐蚀抑制剂，其中所述酸化合物包括如下的至少一种
蚀刻组合通过使用制造半导体器件方法

[发明专利]保护膜形成用化学溶液-CN201611028598.0有效
发明人：斋藤真规;荒田忍;斋尾崇;公文创一;七井秀寿;赤松佳则 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及保护膜形成用化学溶液。本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。
保护膜形成化学溶液

[发明专利]半导体器件制造方法-CN99103425.2无效
发明人：井上显 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-03-30 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：在硅衬底1的杂质扩散层9、10的表面上形成了一层钴膜12和一层作为防氧气的阻挡膜的氮化钛膜13之后,在低于400℃的温度下进行第一热处理,形成一层Co2Si膜31。利用硫酸和过氧化氢的混合溶液将该氮化钛膜和未发生反应的钴膜清除掉,随后在700～900℃的温度范围内的一个温度下进行另一次热处理,形成一层CoSi2膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]形成铝掺杂碳氮化物栅电极的方法-CN200980133509.0有效
发明人：长谷川利夫;格利特·J·莱乌辛克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-08-22 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/337 文献下载
摘要：本申请描述了一种用于形成用于半导体器件的铝掺杂金属(钽或者钛)氮化碳栅电极的方法。该方法包括提供其上包含电介质层的衬底，并且在没有等离子体的情况下在电介质层上形成栅电极。通过沉积金属氮化碳膜并且将铝前驱物的原子层吸附在金属氮化碳膜上来形成栅极。沉积和吸附的步骤可以重复期望的次数，直到铝掺杂金属氮化碳栅电极具有期望的厚度。
形成掺杂氮化物电极方法

[发明专利]一种水电解制氢系统的双极板及其制备方法和应用-CN202110601222.9在审
发明人：饶文涛;魏炜;罗坚;蔡方伟;李文武;谭轶童;吴亦伟;封羽涛 -专利权人：宝武清洁能源有限公司;上海毅镤新能源科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C25B11/031 文献下载
摘要：本发明公开了一种水电解制氢系统的双极板及其制备方法和应用，包括多孔钛基板和沉积在所述多孔钛基板上的氮化铌薄膜，其中，所述氮化铌薄膜具有立方晶体结构和六方晶体结构。该双极板的制备方法包括以流延成型的方法制备多孔钛基板，并将氮化铌薄膜通过磁控溅射的方式在控制多孔钛基板温度400～500℃和成膜时间60～120min的条件下制备水电解制氢槽体的双极板，使双极板耐蚀性能得到提升
一种水电解制氢系统极板及其制备方法应用

[发明专利]一种基于GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的方法-CN201910571587.4在审
发明人：赵显伟;毕新儒 -专利权人：陕西航天时代导航设备有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GT35球碗零件内表面制备TiN厚膜的方法，将零件置于真空炉内抽真空并加热，随后向真空炉内通入氩气对球碗内表面进行氩离子刻蚀，完成氩离子刻蚀后开启钛靶在刻蚀后的球碗内表面镀打底层，打底层将球碗零件内表面全覆盖后钛靶继续工作，并开始通入非饱和量的氮气沉积过渡层，氮气通入量随沉积时间阶梯增加，形成钛和氮化钛共存的过渡层，沉积时间随氮气通入量的增加而延长，当过渡层厚度大于等于10μm后开始持续通入饱和量的氮气沉积形成氮化钛层，该氮化钛层大于等于6μm后即可冷却出炉。
一种基于 gt35 零件表面制备 tin 方法

[发明专利]一种应用于植入医疗器械的医用涂层及其制备方法-CN202010591251.7有效
发明人：石培国;姜培齐;宋国安 -专利权人：北京华钽生物科技开发有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： A61L31/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于植入医疗器械的医用涂层，包括钛‑钇涂层、氮化钛‑钇的合金层、钽‑钇涂层、钽‑锌‑银涂层四层，钛‑钇涂层涂覆在植入医疗器械基材的外层，氮化钛‑钇的合金层涂覆在钛‑钇涂层的外层，钽‑钇涂层涂覆在氮化钛本发明的医用涂层的银元素可以有效抑制细菌生物膜和炎症的产生，锌和镁元素可以有效促进创伤愈合和骨组织生长，钇和钽元素可以有效提高金属材料的抗疲劳强度，钽元素可以有效增强X光机显影性能；对有害金属离子进行包埋
一种应用于植入医疗器械医用涂层及其制备方法

[发明专利]电容器、其制作方法及电子设备-CN202011036209.5在审
发明人：田范焕;梁时元;贺晓彬;李亭亭;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：所述方法包括：在衬底上制备圆台型氧化物层，所述圆台型氧化物层的顶部直径大于底部直径；在所述圆台型氧化物层的上表面、侧面及衬底上沉积形成第一氮化钛层，并通过回刻去除所述圆台型氧化物层上表面的第一氮化钛层；去除所述圆台型氧化物层，并在所述第一氮化钛层上沉积形成ZAZ介电膜；在ZAZ介电膜上沉积第二氮化钛层。
电容器制作方法电子设备

[发明专利]氮化钛涂层的制备方法、基材及应用-CN202011161747.7有效
发明人：范秀娟;宋琛;邓春明;刘敏;邓畅光;玛丽·皮埃尔·普朗什;杰弗里·达鲁特;廖汉林 -专利权人：广东省科学院新材料研究所
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化钛涂层的制备方法、基材及应用，该氮化钛涂层的制备方法包括：对基体的表面进行第一次低压等离子喷涂，以在基体表面形成含钛涂层，含钛涂层为钛涂层或氮化钛涂层；对含钛涂层进行第二次低压等离子喷涂氮气，以对所述钛涂层进行氮化处理。通过改变现有的直接采用低压等离子喷涂氮化钛涂层的方式，先低压等离子喷涂含钛涂层，再低压等离子喷涂氮化，低压环境下长且宽的等离子焰流具有高反应性激发态(N2*)，自由基(N*)和气体分子(N2)可分别与处于高温状态的含钛涂层发生氮化反应，形成氮化钛涂层比低压等离子喷涂直接制备氮化钛涂层具有更高的氮化率，氮化率得到大幅度提高
氮化涂层制备方法基材应用

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202010851431.4在审
发明人：江涛 -专利权人：中芯南方集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成氮化钛材料层；采用还原气体对所述氮化钛材料层进行还原处理；图案化所述氮化钛材料层，以去除部分所述氮化钛材料层，形成氮化钛层。本发明实施例提供的半导体器件的形成方法，可以还原被氧化后的氮化钛，得到稳定的氮化钛层，有利于提高半导体器件的性能。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202210998250.3在审
发明人：符云飞;刘宇恒 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件的制备方法，其包括：提供衬底，所述衬底内具有浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构中形成字线沟槽，所述字线沟槽侧壁设置有栅极绝缘层；形成氮化钛阻挡层，所述氮化钛阻挡层覆盖所述栅极绝缘层表面；沉积金属钼栅极，所述金属钼栅极选择性地沉积在所述氮化钛阻挡层上。所述制备方法利用所述金属钼栅极选择性沉积的性质，使得所述金属钼栅极仅沉积在所述氮化钛阻挡层上，而并不沉积在其他结构上，进而无需再采用额外的回刻蚀步骤，简化了制备工艺，降低了工艺难度，且金属钼栅极的电阻率比TIN/W膜的电阻率低，有利于降低栅极电阻，提高半导体器件的性能。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化铬铝钛复合涂层、沉积有该涂层的刀具及制备方法-CN201010596751.6有效
发明人：田灿鑫;杨兵;闫少健;付德君 -专利权人：武汉新铬涂层设备有限公司
申请日： 2010-12-20 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铬铝钛复合涂层、沉积有该涂层的刀具及制备方法。在刀具基体上依次沉积Cr粘结层、CrN支撑层和主耐磨层，其中，主耐磨层是由纳米晶结构的TiAlN层与超晶格结构的CrTiAlN层交替构成的多层复合涂层，即得到上述具有氮化铬铝钛复合涂层的刀具。本发明提供的氮化铬铝钛复合涂层结合了超晶格结构和纳米晶结构的优点，硬度高、摩擦系数低、附着力强、抗氧化温度高，所得刀具具有高的表面硬度、较强的膜-基附着力、良好的耐磨性能和耐高温性能。
氮化铬铝钛复合涂层沉积刀具制备方法

[发明专利]一种氮氧钛铝/氮化钛铝/钛铝复合膜的制备方法-CN201410124720.9有效
发明人：张钧;蔡佳婧;田红花;张正贵;丁龙先;张业民;刘世民 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种氮氧钛铝/氮化钛铝/钛铝复合膜的制备方法，其制备方法依次包括：1、沉积技术及靶材成分的确定；2、基体工件的选择与前处理；3、基体工件悬挂方位的确定；4、真空加热处理；5、预轰击工艺的确定；6、沉积工艺的确定本发明提高了膜层与基体之间的附着力，同时提高了膜层硬度，并具有良好的稳定性和可重复性。
一种氮氧钛铝氮化复合制备方法