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[发明专利]半导体芯片钛层与氮化钛层分层显示液及其制备和应用-CN200910242989.6无效
发明人：董志刚 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C23F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片钛层与氮化钛层分层显示液及其制备和应用。本发明提供的半导体芯片钛层与氮化钛层分层显示液为含有0.049-18.00％体积的醋酸和0.047-3.66％体积的氢氟酸的水溶液。本发明还提供上述显示液的制备方法及其在半导体芯片钛层与氮化钛层分层显示中的应用。本发明所提供的半导体芯片钛层与氮化钛层分层显示液进行SEM样品制备，可操作时间跨度大，制备后，Ti层与TiN层的分界线清晰明显，SEM下观察效果好，并可对Ti层与TiN层膜厚进行有效量测。
半导体芯片氮化分层显示及其制备应用

[发明专利]碳化钛和/或氮化钛膜层的退除液及退除方法-CN201010150010.5无效
发明人：黄巍;宫红丽 -专利权人：深圳富泰宏精密工业有限公司
申请日： 2010-04-19 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化钛和/或氮化钛膜层的退除液，该退除液为含有酸及加速剂、促进剂和缓蚀剂的水溶液，其中所述酸为有机酸或无机酸，该酸的浓度为90～1000g/L；该加速剂为含氟离子的酸或者盐，该加速剂的浓度为本发明还提供一种碳化钛和/或氮化钛膜层的退除方法，该方法包括将碳化钛和/或氮化钛膜层与退除液接触，其中该退除液为本发明提供的上述退除液。
碳化氮化钛膜层方法

[发明专利]耐高温太阳能选择性吸收镀层及其制备方法-CN201310151298.1有效
发明人：夏建业;杨纪忠;杨沐晖 -专利权人：江苏夏博士节能工程股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： F24J2/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温太阳能选择性吸收镀层及其制备方法，所述镀层（膜系结构），是在成型基材表面，由内至外依次布置有金属底层（1）、钛-氮化钛第一防扩散层（2），氮铝化钛高填充因子吸收层（3），氮铝化钛低填充因子吸收层（4），钛-氮化钛第二防扩散层（5）和氮化铝减反射层（6），而所述制备方法，是以真空磁控溅射镀膜机为加工设备，以金属/玻璃成型材料基为载体，按照膜系结构由内至外依次分别连续镀膜的，具有所述镀层高温工作稳定
耐高温太阳能选择性吸收镀层及其制备方法

[实用新型]耐温耐压电容触摸屏面板-CN201220383801.7有效
发明人：陈奇;沈励;许沭华;迟晓晖 -专利权人：芜湖长信科技股份有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐温耐压电容触摸屏面板，包括玻璃基板，在所述玻璃基板的背面形成有金属薄膜导线黑膜遮蔽边框，所述黑膜遮蔽边框包括沉积在所述玻璃基板上的黑色碳化钛薄膜或黑色碳氮化钛薄膜以及沉积在其上的二氧化硅薄膜本实用新型利用碳化钛（TiN）或碳氮化钛（TiCN）薄膜具有高吸收率的特点，将真空镀黑色碳化钛（TiC）或碳氮化钛（TiCN）薄膜作为遮蔽金属薄膜导线的涂层，能够有效地抵抗高温高压，提高了触摸屏面板和柔性线路板
耐温耐压电容触摸屏面板

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN99107230.8无效
发明人：日高宪一;筑地优 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-05-13 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：在如闪速存储器件的半导体存储器件中，在由掩埋扩散层形成的导体或布线上形成如氮化钛等具有高耐熔性的金属或金属化合物的导体层以减小其电阻。在本发明中，这种导体层是用少量工艺步骤形成的而没有用光刻工艺。在用每个浮置栅和虚拟栅作掩模，离子注入形成用于源区和漏区的掩埋扩散层之后，在整个衬底表面上淀积氮化钛。然后制造在浮置栅和虚拟栅之间留下的氮化钛层上的氧化膜层。随后使用该留下的氧化膜层作掩模，去掉浮置栅上和虚拟栅上的氮化钛层。
半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]表面被覆切削工具-CN201180042912.X有效
发明人：阿侬萨克·帕索斯;伊藤实;冈田吉生;金冈秀明;铃木智惠 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：该表面被覆切削工具的特征在于：包括基材和形成于基材上的覆膜，该覆膜包括至少一层碳氮化钛层；其特征还在于：在碳氮化钛层的织构系数TC（hkl）中，取向指数TC（220）具有最大值，当标准硬度块的压痕硬度为Hs，并且碳氮化钛层的压痕硬度为Ht时，多次测量的相对硬度Ht/Hs的平均值大于或等于3，并且碳氮化钛层的相对硬度的最大值Htmax/Hs和最小值Htmin/Hs之间的差值与相对硬度Ht/Hs的比值小于或等于
表面被覆切削工具

[发明专利]生产单晶氧氮化铌膜的方法和在单晶氧氮化铌膜上产生氢气的方法-CN201580002747.3在审
发明人：菊地谅介;野村幸生;羽藤一仁;田村聪;藏渕孝浩 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种生产适合用于氢气发生装置的单晶氧氮化铌膜的方法。本发明提供一种生产单晶氧氮化铌膜的方法，所述单晶氧氮化铌膜是由化学式NbON表示的氧氮化铌形成的；此方法包括：(a)在选自经氧化钇稳定的氧化锆基材、氧化钛基材和钇‑铝复合氧化物基材的一种基材上外延生长单晶氧氮化铌膜
生产单晶氧氮化方法铌膜上产生氢气

[发明专利]表面被覆的金属陶瓷构件及其制造方法-CN200980133402.6无效
发明人：小林隆;内田清;平本公寿 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：本发明提供一种维持钛系烧结体的优异性能并且可以提高耐氧化性的表面被覆的金属陶瓷构件。本发明的对象是在由以碳化钛、氮化钛和碳氮化钛中的至少1种以上的钛化合物为硬质相的主成分的烧结体构成的金属陶瓷基材(11)上形成有耐氧化膜(12)的表面被覆的金属陶瓷构件。在本发明的表面被覆的金属陶瓷构件中，耐氧化膜(12)由含有钛的复合氧化物构成。
表面被覆金属陶瓷构件及其制造方法

[发明专利]叠层透明导电膜及其制备方法和器件-CN202210724161.X在审
发明人：刘伟峰;牛娟妮;臧美秀;侯丽新;张丽;邢爱 -专利权人：中国乐凯集团有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供了叠层透明导电膜及其制备方法和器件。该叠层透明导电膜包括：依次自下而上层叠的透明基膜、第一透明电介质层、第一过渡层、合金层以及第二透明电介质层，所述第一过渡层为氮化钛层或氮化钛掺杂层，所述氮化钛掺杂层的掺杂元素为铝、镍、锆、硅和钇中的至少一种由此，该叠层透明导电膜具有优异的透过率、导电性和稳定性，有效解决金属氧化物类过渡层表面粗糙，不利于合金层沉积，且稳定性差的问题。
透明导电及其制备方法器件

[发明专利]白光LED显示屏用滤蓝光护眼镀膜玻璃的制备方法-CN201610956114.2在审
发明人：张振华;吕皓;陈峰;赵会峰;潘国治;符有杰;王琦;黄小叶 -专利权人：海南中航特玻科技有限公司;海南中航特玻材料有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：提出的一种白光LED显示屏用滤蓝光护眼镀膜玻璃的制备方法采用在线常压化学气相沉积法在基板玻璃表面形成氮化钛薄膜；氮化钛薄膜利用氨气、四氯化钛为原料，惰性气体作为载气与保护气；其中，氨气占混合气体总体积的0.5~1.6%，惰性气体占混合气体总体积的98.0~99.4%；四氯化钛为液态；氮化钛薄膜呈现浅黄绿色光泽；四氯化钛蒸气占混合气体总体积的0.1~0.3%。本发明使膜层材料与玻璃基体在高温下牢固结合在一起，耐候性及硬度远高于贴膜；所镀制的氮化钛薄膜呈现浅黄绿色光泽，具有较高的可见光平均透过率。
白光 led 显示屏用滤蓝光护眼镀膜玻璃制备方法

[发明专利]氮化钛掺杂PVDF-HFP共聚物复合隔膜及其制备方法和应用-CN202311153857.2在审
发明人：吕金辉;曹文卓;闫昭;李婷 -专利权人：湖州南木纳米科技有限公司
申请日： 2023-09-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M50/403 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种氮化钛掺杂聚偏氟乙烯‑六氟丙烯PVDF‑HFP共聚物复合隔膜及其制备方法和应用。制备方法包括：将氮化钛颗粒加入N，N‑二甲基甲酰胺DMF和丙酮的混合溶剂中，超声震荡0.5h‑1h，使氮化钛均匀分布在溶剂中，形成氮化钛溶液；将PVDF‑HFP共聚物粉末加入所述氮化钛溶液中，转移至60‑70℃的恒温水浴搅拌0.5h‑1h，形成PVDF‑HFP共聚物@氮化钛溶液；对搅拌后的溶液进行冷却，将PVDF‑HFP共聚物@氮化钛溶液涂于聚四氟乙烯膜上，置于去离子水中一段时间，然后将隔膜从去离子水中取出并放入烘箱中干燥，得到PVDF‑HFP共聚物隔膜基膜；将PVDF‑HFP共聚物隔膜基膜浸渍于双三氟甲基磺酰亚胺锂溶液中，干燥后，得到所述氮化钛掺杂PVDF‑HFP共聚物复合隔膜。
氮化掺杂 pvdf hfp 共聚物复合隔膜及其制备方法应用

[发明专利]选择性去除氮化钛硬掩膜和蚀刻残留物的去除-CN201610202293.0在审
发明人： W·J·小卡斯特尔;稻冈诚二;刘文达;陈天牛 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C11D7/60 文献下载
摘要：用于剥离氮化钛硬掩膜并去除氮化钛蚀刻残留物的制剂包含胺盐缓冲剂、非环境氧化剂和其余部分，其余部分是包含水和非水液体载体的液体载体，该非水液体载体选自二甲基砜，乳酸，二醇，以及包括但不限于环丁砜类、亚砜类该制剂提供了高的氮化钛蚀刻速率，同时提供了对于W、AlN、AlO和低k介电材料的优异相容性。该制剂可以包含弱配位阴离子、腐蚀抑制剂和表面活性剂。系统和方法使用该制剂以剥离氮化钛硬掩膜并去除氮化钛蚀刻残留物。
选择性去除氮化钛硬掩膜蚀刻残留物

[发明专利]一种金属表面沉积铁+钒+钛+氮化钛的多层混合纳米强化层的制备工艺-CN201410349439.5有效
发明人：高原;王成磊;韦文竹;陆小会;张光耀 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属表面沉积铁+钒+钛+氮化钛的多层混合纳米强化层的制备工艺，是利用磁控溅射技术，在铁基材料表面依次沉积纳米级厚度的铁+铁-钒+钒+钒-钛+钛+钛-氮化钛的混合过渡层；最后再复合沉积纳米级的氮化钛强化层本发明利用各种金属原子固溶度概念，寻求无限互溶且本身强度较高的合金元素作为过渡层，采用磁控溅射在金属材料基材表面沉积混合纳米过渡层，最后沉积氮化钛形成多层混合纳米强化层，使形成的过渡层成分梯度分布平缓，残余内应力较小，大大增加了膜基结合强度，增强了与基体的的结合力，可以充分发挥表面氮化钛金属陶瓷薄膜的耐腐蚀、耐磨损、高硬度的特点。
一种金属表面沉积氮化多层混合纳米强化制备工艺

[发明专利]镀膜玻璃及制备方法-CN202110487431.5在审
发明人：曾小绵;白振中 -专利权人：长兴旗滨节能玻璃有限公司;广东旗滨节能玻璃有限公司;天津旗滨节能玻璃有限公司;湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明公开一种镀膜玻璃及制备方法，其中，所述镀膜玻璃包括基层和膜层，所述膜层包括自所述基层的表面向外依次层叠而成的五个电介质层，其中，五个所述电介质层依次包括：第一电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第二电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；第三电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第四电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；以及第五电介质层为氮化硅铝层、氧化锆层、氧化锡层或氮化硅锆铝层中的一个或多个。
镀膜玻璃制备方法

[实用新型]镀膜玻璃-CN202120936181.4有效
发明人：曾小绵;白振中 -专利权人：长兴旗滨节能玻璃有限公司;广东旗滨节能玻璃有限公司;天津旗滨节能玻璃有限公司;湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开一种镀膜玻璃，包括基层和膜层，所述膜层包括自所述基层的表面向外依次层叠而成的五个电介质层，其中，五个所述电介质层依次包括：第一电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第二电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；第三电介质层为氧化钛层、氧化铌层、硅钛氧化物层、氮化硅铝层、氧化铌锆层、氧化铌钛层或氮化硅锆铝层中的一个或多个；第四电介质层为氧化硼硅层或氧化硅铝层；以及第五电介质层为氮化硅铝层、氧化锆层、氧化锡层或氮化硅锆铝层中的一个或多个。
镀膜玻璃

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