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[发明专利]一种自清洁氮化碳/二氧化钛/聚乙烯醇复合纳滤膜的制备方法-CN201910573010.7有效
发明人：陈云强;洪昱斌;方富林;蓝伟光 -专利权人：三达膜科技（厦门）有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种自清洁氮化碳/二氧化钛/聚乙烯醇复合纳滤膜的制备方法，依次包括制备氮化碳单体和制备氮化碳/二氧化钛/聚乙烯醇复合纳滤膜。本发明利用氮化碳、二氧化钛和聚乙烯醇的复合，制备出特定的纳滤膜，解决传统纳滤膜难以消除膜污染及二氧化钛掺杂的膜光催化利用率较低的难点问题，且通量较高。
一种清洁氮化氧化聚乙烯醇复合滤膜制备方法

[发明专利]组合物、组合物的制造方法、固化膜、滤色器、遮光膜、固体摄像元件及图像显示装置-CN201780010721.2有效
发明人：久保田诚;浜田大辅 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C01B21/076 文献下载
摘要：本发明提供一种能够制作图案形成性及电极的防腐性优异的固化膜的组合物，以及还提供组合物的制造方法、固化膜、滤色器、遮光膜、固体摄像元件及图像显示装置。组合物含有包含Fe原子的含氮化钛粒子，上述含氮化钛粒子中的上述Fe原子的含量超过0.001质量％且小于0.4质量％。固化膜使用上述组合物来获得，滤色器及遮光膜具有上述固化膜。组合物的制造方法包括通过热等离子体法获得含氮化钛粒子的工序。
组合制造方法固化滤色器遮光固体摄像元件图像显示装置

[发明专利]一种复合薄膜及其镀膜方法-CN201210199085.1有效
发明人：张锡涛;王长明;毕英慧 -专利权人：东莞劲胜精密组件股份有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合薄膜及其镀膜方法，所述复合薄膜镀覆于金属基材表面，从金属基材向外依次包括金属铬层、金属钛层、氮化钛层、铬钛金混金属氮化物层和铬金混金属氮化物层；其镀膜步骤包括：对金属基材进行等离子处理以增强金属基材的表面活性；在金属基材表面依次镀金属铬层、金属钛层、氮化钛层、铬钛金混金属氮化物层及铬金混金属氮化物层；膜层镀完后停止加热，待温度自然冷却至100℃以下取出该已镀膜的金属基材。本发明对单质金膜进行改性处理，可以增强金属基材表面的耐磨损性、耐腐蚀性，保持其外观美感和价值的长久性；膜层的附着力好、抗机械强度好，且薄膜电阻低，不影响金属表面的导电性能。
一种复合薄膜及其镀膜方法

[发明专利]一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺-CN202011401727.2在审
发明人：薛弘宇;李伟东;管永康 -专利权人：江苏凯威特斯半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，该工艺包括以下步骤：化学品清洗，取适量的氨水、双氧水与水，按照配比1：3‑4:4‑6配制，并在配制而成的液体中常温下浸泡30min‑60min，直至表面古铜色污染物转变为紫黑色该种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，用化学品浸泡一段时间后，其表面钛或氮化钛膜被腐蚀，与产品界面结合强度降低，再采用超高压水枪冲洗去除污染物。本发明因不需要将表面钛或氮化钛膜完全通过浸泡腐蚀掉，大大缩短了工艺时长，提高了生产效率，同时减少了化学品的消耗，降低了生产成本。
一种用于半导体设备表面氮化去除工艺

[发明专利]一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法-CN202111373690.1在审
发明人：赵永娟;宋丁;武文革;成云平;刘丽娟;杨阳;宋相弢 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器，包括矩形不锈钢基底、矩形氮化钛过渡膜层、条形氮化硅绝缘膜层、两个矩形氮化硅绝缘膜层、两个镍铬薄膜电阻栅；其中，矩形不锈钢基底的表面四角各贯通开设有一个安装圆孔；矩形氮化钛过渡膜层沉积于矩形不锈钢基底的上表面中部；条形氮化硅绝缘膜层和两个矩形氮化硅绝缘膜层均沉积于矩形氮化钛过渡膜层的上表面。
一种应变缝隙电阻薄膜传感器及其制备方法

[发明专利]电容器、半导体元件及该电容器的制备方法-CN202210301642.X在审
发明人：王茂盈;黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：该电容器具有一第一电极，包含氮化钛并设置在一基底上；一介电膜，设置在该第一电极上；一多层膜，设置在该介电膜上；以及一第二电极，包含氮化钛并设置在该多层膜上。该电容器的制备方法包括形成包含氮化钛的该第一电极在该基底上；形成一介电膜在该第一电极上；形成该多层膜在该介电膜上；以及形成包含氮化钛的该第二电极在该多层膜上。
电容器半导体元件制备方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN98117626.7无效
发明人：山田义明;松原义久;石上隆司 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-08-24 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法是在硅衬底上形成的半导体元件的规定区域内形成高熔点金属的硅化物层的半导体装置的制造方法中，防止硅化反应的阻碍，合适地形成膜厚较薄阻抗较低的硅化物层。该方法在钛膜107上形成膜应力在1×1010dyne/cm2以下的氮化钛膜108，由之后的热处理形成钛硅化物层109。氮化钛膜108中的氮原子数量在钛的30％以上80％以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种金属布线上层间膜的二步淀积法-CN200310109531.6有效
发明人：施向东;姚亮 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2003-12-18 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明有关一种金属布线上层间膜的淀积方法，其采用二步淀积层间膜，解决层间膜埋入性差的问题，其具体步骤为：首先在芯片表面上进行层间膜淀积；第二步，选择性刻蚀层间膜；接着进行金属膜淀积及氮化钛/钛薄膜淀积，在芯片的表面及上述层间膜上形成金属淀积层及氮化钛/钛薄膜层；然后进行金属线刻蚀，选择性刻蚀淀积的氮化钛/钛薄膜层及金属层；最后采用一般等离子成膜方式进行第二次的层间膜淀积。由于采用上述方式，本发明的层间膜埋入性好，能解决金属空洞的问题，同时由于在第二步成膜时采用一般等离子成膜方式，减小等离子的损伤及热履历过程。
一种金属布线上层二步淀积法

[发明专利]背面金属格栅的制作方法-CN201611097321.3有效
发明人：谢岩;刘选军 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种背面金属格栅的制作方法，其包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底背面依次形成有光电信号传输层、氮化钛保护层、硬掩膜层以及图形化的光阻层；以所述图形化的光阻层为掩膜，采用含氟气体对所述硬掩膜层和部分氮化钛保护层进行刻蚀；在刻蚀所述氮化钛保护层的腔体内进行去胶工艺；对所述半导体器件进行清洗；以所述硬掩膜层为掩膜，对所述氮化钛保护层和所述光电信号传输层进行刻蚀，形成背面金属格栅。
金属格栅保护层氮化钛硬掩膜层背面刻蚀光电信号传输光阻层图形化掩膜半导体制作半导体器件侧壁粗糙衬底背面含氟气体去胶工艺传统的衬底清洗体内

[发明专利]开口的形成方法和堆叠结构-CN201210149357.7有效
发明人：张海洋;胡敏达 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：一种开口的形成方法和堆叠结构，其中所述开口的形成方法，包括：提供基底，在所述基底上超低K介质层；在所述超低K介质层表面形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层表面形成拉应力材料层；在所述拉应力材料层表面形成氮化钛金属硬掩膜层在氮化钛金属硬掩膜层和刻蚀停止层之间形成拉应力材料层，以抵消氮化钛金属硬掩膜层产生的部分或全部压应力，使得氮化钛金属硬掩膜层和拉应力材料层双层结构的特性体现为非应力或者很小的压应力或张应力，减小或消除后续在超低
开口形成方法堆叠结构

[发明专利]电解液微弧等离子合成碳氮化钛厚膜的方法-CN200410073322.5无效
发明人：憨勇;徐可为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2004-11-29 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C23C8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电解液微弧等离子合成碳氮化钛厚膜的方法，即在由60－90wt％的乙醇胺和40－10wt％的甲酰胺配制的电解液中，以钛或钛合金为阴极、不锈钢为阳极，采用脉冲电源在电压为450－650V、频率为50－500Hz、占空比为10－40％、阴阳极板间距为8－12cm的条件下对钛或钛合金进行微弧等离子处理，维持电解液温度在25－70℃，微弧等离子处理1－3小时，即可在钛或钛合表层生成厚度大于10μm的碳氮化钛膜所合成的碳氮化钛厚膜与钛或钛合金之间无界面，呈微米级多孔结构，具有高的结合强度，硬度高于1500Hv，在润滑条件下其耐磨性优于物理气相沉积(PVD)和等离子增强化学气相沉积(PCVD)等技术制备的碳氮化钛膜
电解液等离子合成氮化钛厚膜方法

[发明专利]一种氮氧化钛薄膜及其基于激光剥离技术的制备方法-CN201910863086.3有效
发明人：洪瑞金;师境奇;张大伟;颜廷贞;李正旺;陶春先 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明提供一种氮氧化钛薄膜及其基于激光剥离技术的制备方法，包括：步骤1，将氮化钛陶瓷片放置到实验平台上，然后将洁净的玻璃基片放置到氮化钛陶瓷片上，使玻璃基片的下表面与氮化钛陶瓷片完全且紧密贴合；步骤2，采用脉冲激光器发出激光功率为2W，扫描速率为400mm/s的激光，将氮化钛颗粒从氮化钛陶瓷片上剥离到玻璃基片的表面且氮化钛颗粒与氧元素结合，得到附着在玻璃基片下面的氮氧化钛膜层；步骤3，采用脉冲激光器发出激光功率为2W，扫描速率为400mm/s或700mm/s的激光对氮氧化钛膜层进行辐照，得到氮氧元素含量得到改变的氮氧化钛薄膜。本发明的方法操作简单，成本低廉，且制备得到的氮氧化钛薄膜具有不错的热稳定性和附着力。
一种氧化薄膜及其基于激光剥离技术制备方法

[发明专利]一种在人工器官表面沉积氧化钛和氮化钛复合膜的方法-CN95111386.0无效
发明人：黄楠;柳襄杯;陈元儒;杨萍;蔡光军;郑志宏;周祖尧;王曦;肖静;薛振南;奚廷斐 -专利权人：西南交通大学;中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1995-05-31 - 公布日： 2000-02-02 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种在人工器官表面沉积氧化钛和氮化钛复合膜的方法，在具有氮化钛薄膜的基础上，以惰性气体或氧离子为增强离子束，在压力为２—１７×１０-4的氧气环境下，钛以蒸发或溅射方式沉积于人工器官材料表面，形成氧化钛和氮化钛复合膜
一种人工器官表面沉积氧化氮化复合方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202080026801.9在审
发明人：山路将晴;狩野太一;澄田仁志;伊藤秀昭 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，能够防止设置在半导体基板上的防反射膜的分解反应以及布线层的腐蚀等，从而能够提高可靠性。具备布线层(11)、设置在布线层(11)上的氮化钛层(21)、设置在氮化钛层(21)上的氮氧化钛层(22)、设置在氮氧化钛层(22)上的氧化钛层(23)、以及设置在氧化钛层(23)上的表面保护膜(31、32)，设置有贯通氮化钛层(21)、氮氧化钛层(22)、氧化钛层(23)以及表面保护膜(31、32)来使布线层(11)的一部分露出的开口部(11b)，布线层(11)的露出的一部分构成焊盘(11a)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用-CN201610860377.3有效
发明人：谢一兵;路露 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种一体化杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括碳基底(1)、氮化钛纳米线阵列(2)和杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)；所述的氮化钛纳米线阵列(2)直接生长在碳基底(1)上，并且均匀垂直排列在碳基底表面；所述的杂多酸修饰聚苯胺复合膜(3)完整包裹在氮化钛纳米线阵列(2)表面；杂多酸修饰聚苯胺复合膜杂多酸修饰聚苯胺复合膜本发明还提供了杂多酸修饰聚苯胺/氮化钛核壳纳米线阵列复合材料的详细制备方法及其在电化学储能领域的应用
一体化杂多修饰苯胺氮化钛核壳纳米阵列复合材料及其制备方法应用