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[发明专利]一种钛铝锆铬氮化物硬质反应膜的退除方法-CN201410123881.6有效
发明人：张钧;焦悦;宋文官;田红花;孙力;赵炬;裴永伟 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23G1/14 文献下载
摘要：一种钛铝锆铬氮化物硬质反应膜的退除方法，其退除方法依次包括：1、退除液原料的确定；2、退除液各组成成分的浓度范围的确定；3、退除液的配制；4、退除工艺的确定。本发明能够退除在硬质合金和高速钢基体上镀覆的钛铝锆铬氮化物硬质反应膜；退膜后的镀膜样品表面光亮，具有金属光泽，表面成分与未镀膜前的金属基体一致；本发明所提出的退除液对金属基体原始表面无损伤，对基体没有腐蚀作用
一种钛铝锆铬氮化物硬质反应方法

[发明专利]MRAM设备及其形成方法、和MRAM单元-CN201910927513.X有效
发明人：吴荣堂;吴孟谕;吴思桦;李锦思;蔡瀚霆;简钰人 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的顶部电极位于磁隧道结(MTJ)上方，顶部电极是使用取向为(111)晶体结构的氮化钛膜，代替钽、氮化钽和/或包括钽和氮化钽的多层使用。
mram 设备及其形成方法单元

[发明专利]用于镍钛根管锉表面改性的钛锆氮化金属物膜的制备方法-CN201610404205.5在审
发明人：张钧;赵微;孙丽婷;戴步实 -专利权人：沈阳大学
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：用于镍钛根管锉表面改性的钛锆氮化物金属膜的制备方法，涉及一种金属膜的制备方法，该方法在镍钛根管锉表面镀覆一层TiZrN膜，能够有效抑制镍钛根管锉中的镍（Ni）离子向外扩散，确定了靶材成分、数量及配置方位，确定了商用高纯度钛锆合金靶作为弧源，确定了工件前处理工艺和沉积工艺，在基本保持镍钛根管锉原有弹性的基础上，提高了镍钛根管锉表面的硬度和抗腐蚀性，从而能有效提高镍钛根管锉的使用性能。保证了膜层表面的硬度、膜层厚度，有效抑制了镍钛根管锉中的镍（Ni）向外扩散，保持了镍钛根管锉的原有弹性，提高了镍钛根管锉表面的耐腐蚀性。
用于镍钛根管锉表面改性氮化金属制备方法

[发明专利]一种栅极刻蚀方法-CN201110120723.1有效
发明人：孟晓莹;周俊卿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅极刻蚀方法，应用于具有多晶硅层和硬掩膜层的晶片上，该方法首先在硬掩膜层上沉积氮化钛层，然后依次刻蚀所述氮化钛层和硬掩膜层，分别形成覆盖层和硬掩膜，以所述覆盖层和硬掩膜为遮蔽刻蚀所述多晶硅层形成栅极本发明一方面利用刻蚀气体对覆盖层和多晶硅层的高选择比，在刻蚀多晶硅层形成栅极的过程中，由覆盖层保护硬掩膜不受损伤；另一方面湿法刻蚀去除覆盖层时也不会损伤硬掩膜，从而达到减小硬掩膜损耗的目的。
一种栅极刻蚀方法

[实用新型]一种窄带滤光片-CN201921622439.2有效
发明人：张瑞麟;蔡林林;李江波;曹子玉;孙丹芳;汪平锋 -专利权人：利基光电科技（九江）有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种窄带滤光片，包括玻璃基板，所述玻璃基板的下表面镀有红外线反射膜，所述红外线反射膜的下表面镀有第一防水层，所述玻璃基板的上表面镀有红外线吸收膜，所述红外线吸收膜上表面镀有氮化硅膜，所述氮化硅膜上表面镀有二氧化钛膜，所述二氧化钛膜上表面镀有第二防水层。
一种窄带滤光

[发明专利]TiN复合硬掩膜、用于形成互连层结构的硬掩及互连层的制作方法-CN201410127662.5有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请公开了一种TiN复合硬掩膜、用于形成互连层结构的掩膜及互连层的制作方法。该TiN复合硬掩膜包括至少一组掩膜组件，其中掩膜组件包括：第一掩模层，靠近待刻蚀器件表面设置；第二掩模层，设置在第一掩模层远离待刻蚀器件的一侧；第二掩模层为氮化钛层，第一掩模层的硬度低于第二硬掩层的硬度通过将氮化钛层设置在上方，以提高TiN复合硬掩膜的硬度，进而有利于在刻蚀过程为半导体器件提供保护，同时通过降低TiN的层厚，减少抛光时TiN碎片的数量，进而减少TiN残留物。
tin 复合硬掩膜用于形成互连结构制作方法

[发明专利]保护膜形成用化学溶液-CN201080049331.4有效
发明人：斋藤真规;荒田忍;斋尾崇;公文创一;七井秀寿;赤松佳则 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。
保护膜形成化学溶液

[实用新型]一种双色复合涂层的钻头-CN200420114826.2无效
发明人：张亚樑 -专利权人：上海恒久工具实业有限公司
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： B23B51/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双色复合涂层的钻头，包括钻头，其特征在于：在钻头的刃面及钻头内槽面上涂布有一层氮化钛膜及氮化锆膜，在钻头外侧面和刃背上涂布有一层铁基彩色氧化膜。
一种复合涂层钻头

[发明专利]氮化钛/碳化钛涂层及其制备方法及具有该涂层的被覆件-CN201410630829.X在审
发明人：方骏飞;王文宝 -专利权人：基准精密工业（惠州）有限公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种氮化钛/碳化钛涂层，该涂层是由氮化钛纳米层和碳化钛纳米层交替沉积形成的多层复合涂层。由于形成氮化钛/碳化钛多层复合涂层，使得该氮化钛/碳化钛涂层同时具备良好的韧性及较高的硬度。本发明还包括一种氮化钛/碳化钛涂层的制备方法及具有该涂层的被覆件。
氮化碳化涂层及其制备方法具有被覆

[发明专利]功能材料及其制备方法、显示结构形成材料、彩膜基板、显示装置-CN201310750843.9有效
发明人：杨久霞;白峰;刘建涛 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C03C17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种环境友好的功能材料及其制备方法、显示结构形成材料、彩膜基板、显示装置，属于显示技术领域。本发明的功能材料包括无机混合粉末，无机混合粉末包括主料和辅料；所述主料由氧化硼、氧化钠、氧化锂、氧化锆组成；所述辅料包括氧化铝、氧化锌、二氧化钛、二氧化硅、氧化钙、银络合物、磷酸银、硝酸银、电气石、硫代硫酸银、碳纳米管、硫酸铝、锰、锰的氧化物、铁、铁的氧化物、钴、钴的氧化物、镍、镍的氧化物、铬、铬的氧化物、铜、铜的氧化物、氧化镁、碳化硼、碳化硅、碳化钛、碳化锆、碳化钽、碳化钼、氮化硼、氮化铬、氮化钛、氮化锆、氮化铝、硼化铬、四硼化三铬、硼化钛、硼化锆、二硅化钨、二硅化钛中的任意一种或多种。
功能材料及其制备方法显示结构形成彩膜基板显示装置

[发明专利]刀具及其镀膜工艺-CN201611218057.4有效
发明人：杨柯军;项云;彭申凯;陈盛洪;张许松 -专利权人：深圳正峰印刷有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B23B27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种刀具及其镀膜工艺，该刀具包括刀刃、以及附在刀刃上的镀膜层，所述镀膜层从内到外依次包括：嫁接膜层，所述嫁接膜层是铌或不锈钢膜层；铟锡合金膜层；硬度加强层，所述硬度加强层是氮化钛或氮化硅膜层；以及离型力强化层，所述离型力强化层是单晶硅或者氟化钙或者氟化镁膜层。
刀具及其镀膜工艺

[发明专利]表面包覆氮化钛与石墨烯的磷酸铁锂复合正极材料及其制备方法和应用-CN201410394344.5有效
发明人：邓凌峰;谭彬 -专利权人：湖南元素密码石墨烯研究院（有限合伙）
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01M4/136 文献下载
摘要：本发明提高了一种表面包覆氮化钛与石墨烯的磷酸铁锂复合正极材料及其制备方法和在锂离子电池制备中的应用，该磷酸铁锂复合正极材料是以磷酸铁锂材料为内核，在磷酸铁锂材料表面包覆有一层主要由氮化钛与石墨烯组成的导电网络膜；该导电网络膜的质量为磷酸铁锂材料质量的0.2%～10%。制备上述材料时，先将磷酸铁锂材料与石墨烯、氮源和含钛化合物在分散介质中混合均匀，制得的混合料烘干，然后在惰性保护性气氛下，于400℃～900℃温度下烧结6h～24h，得到表面包覆氮化钛与石墨烯的磷酸铁锂复合正极材料
表面氮化石墨磷酸复合正极材料及其制备方法应用

[发明专利]光-热转换吸收薄膜及制备-CN91103765.9无效
发明人：郭信章;尹万里;于凤勤 -专利权人：北京市太阳能研究所
申请日： 1991-06-18 - 公布日： 1993-05-19 - 主分类号： F24J2/48 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种采用三极磁控溅射离子镀膜技术单靶金属钛(或铝)在氩气和氮气中反应溅射沉积到光亮处理过的金属基体上的氮化钛(或铝)太阳能选择性吸收薄膜，基体加热到一定温度加负偏压，在增强离化电极作用下，溅射钛(或铝)原子与氮气流量逐渐增加反应沉积生成氮化钛(或铝)渐变吸收膜层。由它与基体构成的太阳能选择性吸收膜层，其吸收率α＝0.85-0.95，红外发射率ε＝0.6-0.15，具有膜层结构致密、良好的抗磨和抗腐蚀性能等优点。
转换吸收薄膜制备

[实用新型]中温太阳能平板集热器吸热翅片板-CN201020616546.7无效
发明人：安百盈;王德法;张振涛;安百军 -专利权人：山东帅克新能源有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： F24J2/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中温太阳能平板集热器吸热翅片板，包括金属底板，其要点是在金属底板上依次设有一层氮化铝钛抗红外反射膜、两层氮氧化铝钛复合吸收膜和一层氧化铝钛抗辐射复合保护膜。本实用新型的有益效果是，由于氮化铝钛(TiAlN)的红外反射率和红外反射率与金接近，具有更低的低温发射率和热损，保温性能更好，同时TiAlN是一种优质的高硬度、耐磨和抗氧化材料，因此使用该涂层的平板集热器具有良好的耐候性和耐氧化性
太阳能平板集热器吸热翅片板

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201710052983.7在审
发明人：岩谷将伸;内海诚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体装置不增大接触电阻，不会成为单元间距缩小的障碍，并在形成镍硅化物时，能够防止镍渗入层间绝缘膜。该半导体装置的制造方法在栅极绝缘膜(6)和栅电极(7)上形成层间绝缘膜(8)，将层间绝缘膜(8)开口，形成接触孔。接下来，用氮化钛膜(10)覆盖层间绝缘膜(8)以及通过接触孔而露出的区域(4、5)，通过回蚀刻使氮化钛膜(10)仅残留在栅极绝缘膜(6)和层间绝缘膜(8)的在接触孔露出的端部。接下来，用镍膜覆盖层间绝缘膜(8)以及通过接触孔而露出的区域(4、5)，在去除与层间绝缘膜(8)直接接触的镍膜之后，对镍膜进行加热，形成镍硅化物层(9)。
半导体装置制造方法