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[发明专利]一种液相法制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法-CN202110259632.X有效
发明人：刘欣美;梁晨;杨文龙;林家齐;赵旭;杨春洋 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备小尺寸CuBr纳米颗粒的方法，属于无机纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置铜的前驱物，并与溴的前驱物按一定比例混合，均匀搅拌；加入还原剂抗坏血酸，搅拌均匀；加入氯铂酸恒温反应；离心清洗烘干，获得样品。在CuBr纳米颗粒的制备过程中：少量的氯铂酸引入可有效抑制CuBr纳米晶的熟化，从而达到小尺寸CuBr纳米颗粒的获得；反应温度的提升可降低动力学对成核速率的影响，实现产物尺寸的均一性；随着溴化钾浓度的增加，所得CuBr颗粒尺寸逐渐降低。本发明所提供的制备方法操作简单、产量较高，所得的CuBr纳米颗粒尺寸均匀，可控制在70‑100纳米之间。
一种法制尺寸 cubr 纳米颗粒方法

[实用新型]一种燃料气净化系统-CN202320030176.6有效
发明人：陈立华;竺彦军;李杰;马志远;贺建成;刘兴阔;邵彦武;何建荣;司德森;李宏强;林家齐;吴秀梅 -专利权人：内蒙古庆华集团腾格里精细化工有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C10K1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种燃料气净化系统，包括焦炉气压缩机、过滤单元、吸附单元及加氢罐；焦炉气压缩机的进口通过管线与原料焦炉煤气气源连通，焦炉气压缩机的出口通过管线与过滤单元的进气端连通，过滤单元的出气端分别通过管线与吸附单元的进口及加氢罐的进口连通，吸附单元的出口通过管线与导热油炉的燃料气进口连通。优点在于：通过将炉温控制器与吸附单元进气管道上的调节阀进行连锁控制，实现了燃料气的按需供给，且稳定了燃料气的压力，有利于导热油炉的稳定运行；通过过滤单元及吸附单元对燃料气进行净化，提高了燃料气的质量，避免了导热油炉由于燃料气质量问题造成的熄炉，大大降低了停车风险、增加了经济效益、减少了资源浪费。
一种燃料净化系统

[发明专利]一种高纯度六边形Cu纳米晶的制备方法-CN202110794485.6有效
发明人：杨文龙;杨春洋;刘欣美;林家齐 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯度六边形Cu纳米晶的制备方法，主要步骤包括：配置一定浓度的硫酸铜溶液；向硫酸铜溶液加入络合剂，得到混合液；用分液漏斗以0.5毫升/分钟的速率向混合溶液中滴加还原剂；在40～45摄氏度下搅拌反应6‑8小时。本发明利用Cu纳米晶在特定反应温度下的自发熟化形成稳定的六边形结构，未添加任何表面活性剂，确保了所得六边形Cu纳米晶具有“清洁的表面”。整合制备过程在无氮气保护下即可实现，且不需实施较高的温度，操作简单。所得产物纯度高，不含氧化物等杂质。
一种纯度六边形 cu 纳米制备方法

[发明专利]一种高介电PI/PVDF复合薄膜的制备方法-CN202210298742.1在审
发明人： 林家齐;王宇;杨文龙;刘欣美 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电的聚酰亚胺/聚偏二氟乙烯(PI/PVDF)复合薄膜制备方法。首先通过4,4’‑二氨基二苯醚和均苯四甲酸二酐制备出PI的前驱体，然后将PVDF分批添加到PI前驱体中，并在80‑200摄氏度的温度范围内进行低温热亚胺化。该方法可以避免高温处理使PI与PVDF相分离而引入孔洞，是制备出兼顾高介电常数和高介电强度的PI/PVDF复合薄膜有效方法。与传统高温(200摄氏度以上)热亚胺化制备的纯PI薄膜相比，在测试频率为1000赫兹时，质量分数为百分之15的PI/PVDF复合薄膜的相对介电常数可达4.68，是纯PI的1.51倍；储能密度为2.68焦耳/立方厘米，是纯PI的1.49倍。
一种高介电 pi pvdf 复合薄膜制备方法

[发明专利]一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯薄膜介电性能的方法-CN202210285167.1在审
发明人： 林家齐;左宇航;刘欣美;杨文龙 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜介电性能的方法。首先，借助界面亲和反应利用不同官能团的酰氯类小分子对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。随后，将改性后的KTN粒子加入聚偏氟乙烯(PVDF)中，制备出相应的复合薄膜。由于修饰后KTN粒子与聚合物基体的相容性加强，所得的复合薄膜介电损耗和击穿场强得到明显的改善。本发明所制备的2‑丙烯‑1‑磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑SC/PVDF)、苄磺酰氯改性的复合薄膜(KTN‑ATC/PVDF)、甲基丙烯酰氯改性的复合薄膜(KTN‑MAC)的介电损耗都低于与未改性KTN/PVDF薄膜。三种改性剂改性的复合薄膜在击穿场强方面均显示出明显的提升，其中掺杂体积分数为百分之3的KTN‑SC/PVDF薄膜的击穿场强提升最高，相比相同浓度未改性的KTN/PVDF薄膜提高了2.87倍。
一种利用酰氯类小分子优化钽铌酸钾聚偏氟乙烯薄膜性能方法

[发明专利]一种低损耗BiFeO3-CN202210321616.3在审
发明人：李彩霞;林家齐;陈春天;王婉茹;刘一帆;王泽宇 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种低损耗BiFeO3‑BaTiO3高温无铅压电陶瓷及其制备方法，是要解决现有BiFeO3‑BaTiO3陶瓷的介电损耗高、漏电流大和极化困难的技术问题，属于无机非金属材料技术领域。本发明采用传统的固相反应法制备得到掺杂BiFeO3‑BaTiO3陶瓷，其化学式为0.68BiFeO3‑0.32BaTiO3+x wt％MnO2，其中x为化合物中MnO2的质量百分数，x的范围为0.01≤x≤0.03，该材料的合成工艺简单，成本低廉，室温介电损耗低(1kHz下tanδ～0.045)，铁电‑顺电相变特征温度Tm高达436℃，压电常数d33达133pC/N，电性能甚至高于目前商用钛酸铋系K‑15陶瓷(tanδ＝0.03、d33＝18pC/N、TC＝600℃)，在用于制备高温压电传感器方面具有巨大应用潜力。
一种损耗 bifeo base sub

[发明专利]一种利用原位-溶胶掺杂制备PI/SiO2-CN202210288659.6在审
发明人： 林家齐;王宇;杨文龙;刘欣美 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用原位‑溶胶掺杂制备聚酰亚胺/二氧化硅(PI/SiO2)复合薄膜的方法。利用正硅酸乙酯在PI前驱体中易于均匀分散的特点，提高了SiO2在PI中分散性。首先，将纳米SiO2与4,4’‑二氨基二苯醚分散于N,N’‑二甲基乙酰胺中，加入均苯四甲酸二酐和正硅酸乙酯后得到成膜液。然后，成膜液通过流延工艺加工成膜并加热处理，得到PI/SiO2复合薄膜。与未添加正硅酸乙酯所得PI/SiO2复合薄膜相比，本方法获得PI/SiO2复合薄膜的拉伸强度为114兆帕，提高了21％，击穿场强可达208千伏/毫米，提高了6％。通过本方法制备的PI/SiO2复合薄膜的耐电晕寿命可达101分钟，是纯PI的20倍。
一种利用原位溶胶掺杂制备 pi sio base sub

[发明专利]一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法-CN202111170486.X在审
发明人： 林家齐;延妮;刘欣美 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，首先，使用3‑(2‑氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷偶联剂对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。之后通过原位聚合法制备PI基复合薄膜前驱体，并在80‑330摄氏度温度下加热，进行热亚胺化，制备出具有质量分数为百分之3‑11的KTN‑NH2/PI复合薄膜。与KTN/PI相比，KTN‑NH2/PI复合薄膜的击穿场强可达242.12千伏/毫米，是KTN/PI的1.49倍。在测试频率为1.0×105赫兹时，含质量分数为百分之3的KTN‑NH2/PI复合薄膜的损耗角正切值均低于0.007。
一种击穿低介损 ktn pi 复合薄膜制备方法

[发明专利]一种室温制备CuPt合金纳米颗粒的方法-CN202110104933.5在审
发明人：刘欣美;李雪;梁宸;杨春洋;杨文龙;林家齐 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种室温制备CuPt合金纳米颗粒的方法，主要包括：1)配置可溶性Cu的前驱物与Pt的前驱物，按一定比例混合；2)加入一定量的氯化钾与盐酸溶液，均匀搅拌；3)加入还原剂抗坏血酸，继续搅拌，室温环境下反应5‑8小时；4)反应后所得产物经固分离以及清洗后，干燥处理，得到的固体粉末即为高纯度CuPt合金成品。该方法通过向反应液中加入一定量的盐酸溶液，提升反应液对CuCl的溶解度，避免CuCl杂质的产生，提高产物纯度。由于较低的反应温度可降低纳米晶的生长的热力学熟化速率，本发明在不添加任何表面活性剂的情况下获得小尺寸(65‑75纳米)且单分散性好的CuPt合金颗粒。整个制备过程易实现，后期样品清洗步骤简单。
一种室温制备 cupt 合金纳米颗粒方法

[发明专利]一种水相制备Pt-Cu纳米片状合金的方法-CN202010616026.4在审
发明人：杨文龙;梁宸;刘欣美;熊燕玲;林家齐 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明提供一种水相制备Pt‑Cu纳米片状合金的方法，属于金属纳米材料制备的技术领域。制备过程包括：配置氯化铜溶液为铜源的前驱体，常温加入表面活性剂十六烷基三甲基氯化铵搅拌至均匀，加入还原剂抗坏血酸，加入铂源氯铂酸，水热120摄氏度下发生共还原得到合金产物。研究表明，高浓度的铜源是产生纳米片状结构合金的原因。当提升铜离子浓度提升后，还原剂相对前驱物的浓度降低，反应速率减慢，成核速率受到抑制，纳米晶在十六烷基三甲基氯化铵作用下，辅助(111)晶面沿[211]方向生长，最终形成二维片状的合金纳米材料。本发明所提供的方法具绿色环保、生产成本低、制备环境较容易实现等优点。
一种制备 pt cu 纳米片状合金方法

[发明专利]震波头构造-CN201710207829.2有效
发明人： 林家齐;苏永镇;郭伯翔 -专利权人：宝健科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： A61B17/225 文献下载
摘要：本发明提供一种震波头构造，包含一壳体及一磁盘，该磁盘设置于该壳体中，而以一震动片对应该密封于该壳体的第一开口上的震波传导件，其中，该震动片包含一绝缘弹性薄片及一金属薄片，该绝缘弹性薄片一侧对应该震波传导件，而另一侧设置该金属薄片，该绝缘弹性薄片设有一镂空部位以裸露该金属薄片的部分，且该绝缘弹性薄片、该金属薄片裸露的部分及该震波传导件之间形成一容室，使一震波传导介质凭借设于该壳体的一通路流通于该容室，并接触该金属薄片裸露的部分，而带走该磁盘产生的工作热能，利于提升较小尺寸的震波头的散热效果。
震波构造

[发明专利]侵入式倾角震波器-CN201710207827.3有效
发明人： 林家齐;苏永镇;郭伯翔 -专利权人：宝健科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： A61N7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种侵入式倾角震波器，包括一侵入件及一磁盘，其中，侵入件呈杆状而界定一侧身面，并在一第一端部由其侧身面向内挖设一凹槽，而该磁盘嵌设于该侵入件且位于该凹槽，该侵入件并有一震波传递件可拆地密封该凹槽的槽口，而该磁盘区分该凹槽为相邻该震波传递件的一第一容室，以及不相邻该震波传递件的一第二容室，并在相邻该第一容室的处设有一震动片面向该震波传递件，而该第一容室并充满有一震波传递介质。凭借的，使震波朝向侵入件的侧身面的方向传递震波，方便应用于人体自然管道作侵入式震波治疗。
震波传递件侵入第一容室侵入式磁盘侧身传递介质第二容室第一端部人体自然槽口杆状界定可拆嵌设密封震动传递治疗应用

[发明专利]一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法-CN201710400616.1有效
发明人：杨文龙;林家齐;陈高汝;刘刚 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明涉及功能陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有钽铌酸钾陶瓷介电常数低限制了其在介电材料领域的应用的问题。方法：一、棒状钽铌酸钾粉体的制备；二、制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。本发明用于制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。
一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷制备方法

[发明专利]一种同时测量温度和位移的气球-错位型全光纤传感器的制作方法-CN201910740920.X在审
发明人：杨文龙;李昌旭;熊燕玲;林家齐 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G01D5/353 文献下载
摘要：一种同时测量温度和位移的气球‑错位型全光纤传感器的制作方法，本发明属于光纤传感领域，具体涉及一种基于马赫‑曾德原理将气球形光纤和错位光纤相结合的能同时测量温度和位移的光纤传感系统。目的是提供一种结构简单、结实耐用、价格低廉、灵敏度高的同时测量温度和位移的光纤传感器。方法：一、气球形光纤的制作；二、错位光纤的制作；三、将气球形光纤和错位光纤通过光纤跳线连接。本发明用于制作同时测量温度和位移的气球‑错位型全光纤传感器。
错位光纤测量全光纤传感器气球形制作气球光纤传感领域光纤传感系统光纤传感器光纤跳线灵敏度结实

[发明专利]一种改性BaTiO₃/PI介电储能三层结构复合薄膜及制备方法-CN201610806328.1有效
发明人：杨文龙;李海东;林家齐 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性BaTiO₃/PI介电储能三层结构复合薄膜及其制备方法，所述的改性BaTiO₃/PI三层结构复合薄膜是由上下两层为改性BaTiO₃纳米粒子所填充的PI复合材料和中间层为纯PI材料构成的。本发明采用原位聚合方法和涂膜工艺制备改性BaTiO₃/PI三层结构复合薄膜。通过实验测试发现，该复合薄膜的介电综合性能优异，同时具有较高击穿场强和储能密度，使得它在电容器和储能器方面具有很大应用前景。
复合薄膜三层结构改性储能介电制备电容器击穿场强纳米粒子上下两层实验测试涂膜工艺原位聚合制备改性综合性能复合材料储能器中间层填充应用发现

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