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[发明专利]阴极-CN201110209919.8在审
发明人： T.海因克;S.米勒 -专利权人：西门子公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01J35/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有阴极头的阴极，其中设置有发射极(1)，所述发射极在施加灯丝电压时发射电子。按照本发明，所述发射极(1)成型为环形的螺旋带(2)，所述螺旋带具有向外定向的发射极面(3)和向内定向的发射极面(4)。这种阴极在具有良好阻断性的同时实现了高电子发射率并具有更长的寿命。
阴极

[发明专利]半导体装置以及电力变换装置-CN201980097627.4在审
发明人：和田幸彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：发射极主端子(3)通过多个第1键合线(15)而与功率半导体元件(1)的发射极电极面(12)连接。发射极参考端子(4)通过第2键合线(16)而与功率半导体元件(1)的发射极电极面(12)连接。劣化部位确定部(9)参考规定了针对作为集电极主端子(2)的电位与发射极主端子(3)的电位之差的第1电压的时间变化以及作为发射极参考端子(4)的电位与发射极主端子(3)的电位之差的第2电压的时间变化的组合的、多个第1键合线(15)与分别连接的发射极电极面(12)之间的多个接合部位(20)之中的劣化部位的对应信息，确定与由第1电压测量电路(5)测量的第1电压的时间变化以及由第2电压测量电路(6)测量的第2电压的时间变化的组合对应的劣化部位
半导体装置以及电力变换

[发明专利]功率放大电路-CN201811128026.9有效
发明人：曾我高志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：1信号而输出第2信号；第2晶体管，放大与第2信号相应的信号而输出第3信号；第3晶体管，向第1晶体管的基极提供第1偏置电流或者电压；和第4晶体管，向第2晶体管的基极提供第2偏置电流或者电压，第3晶体管的发射极面积相对于第1晶体管的发射极面积的比例大于第4晶体管的发射极面积相对于第2晶体管的发射极面积的比例。
功率放大电路

[发明专利]硅异质结太阳能电池及其发射极和发射极的制备方法-CN201811603686.8在审
发明人：龙巍 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅异质结太阳能电池发射极。所述发射极包括：n型硅基底，所述n型硅基底具有发射极面；形成在所述发射极面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池发射极的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的发射极的p型硅掺杂层和TCO界面对n型硅基底的空穴的的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。
硅异质结太阳能电池及其发射极制备方法

[发明专利]一种基准电流产生电路及模拟集成电路系统-CN202011576427.8在审
发明人：丁利强;蔡小五;曹硕;郝宁;高马利;夏瑞瑞;高悦欣;罗家俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：所述核心电路包括电流镜模块和带交叉耦合结构的基准电流产生模块；所述带交叉耦合结构的基准电流产生模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及第一电阻，所述第一晶体管的基极与所述第二晶体管的集电极以及所述第四晶体管的发射极耦合，所述第二晶体管的基极与所述第一晶体管的集电极以及所述第三晶体管的发射极耦合，所述第一晶体管的发射极接地，所述第二晶体管的发射极经第一电阻接地，其中，所述第一、第四晶体管的发射极面积相等，所述第二、第三晶体管的发射极面积相等
一种基准电流产生电路模拟集成电路系统

[实用新型]一种晶体硅双面太阳电池结构-CN201820330987.7有效
发明人：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由
基底金属栅线钝化晶体硅太阳电池透明导电氧化物导电区域钝化层发射极光区域重掺杂双面太阳电池本实用新型本征非晶硅短路电流发电能力发射极面减反射层开路电压区域交叉不重叠电场面晶体硅覆盖

[实用新型]硅异质结太阳能电池及其发射极-CN201822203361.2有效
发明人：龙巍 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅异质结太阳能电池及其发射极。所述发射极包括：n型硅基底，所述n型硅基底具有发射极面；形成在所述发射极面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述本申请的发射极的p型硅掺杂层和TCO界面对n型硅基底的空穴的的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。
发射极硅异质结太阳能电池基底吸附钝化层原子层本征申请空穴肖特基势垒发射极面填充因子转换效率硅原子偶极矩势场沉积

[发明专利]一种精确的POR电路-CN201710515232.4有效
发明人：许超群;易俊 -专利权人：英麦科（厦门）微电子科技有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确的POR电路，包括NPN三极管M0‑M2、电阻R0‑R1、反相器INV1和第一电流镜，NPN三极管M0和M2的发射极面积相等，NPN三极管M0的发射极面积与NPN三极管M1的发射极面积的比值大于1，电阻R0的第一端作为阈值产生电路的输入端接输入电源，电阻R0的第二端分别接NPN三极管M0的集电极和基极，NPN三极管M0的发射极接地，NPN三极管M1的基极与NPN三极管M0的基极连接，NPN三极管M1的集电极接第一电流镜的输入端，NPN三极管M1的发射极串联电阻R1接地，NPN三极管M2的基极与NPN三极管M0的基极连接，NPN三极管M2的集电极接第一电流镜的输出端，NPN三极管M2的发射极接地
集电极电流镜发射极输入端电阻阈值产生电路发射极接地基极连接输出端电路发射极串联电阻面积相等输入电源第一端反相器接地接反相器

[实用新型]一种精确的POR电路-CN201720775823.0有效
发明人：许超群;易俊 -专利权人：英麦科（厦门）微电子科技有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种精确的POR电路，包括NPN三极管M0‑M2、电阻R0‑R1、反相器INV1和第一电流镜，NPN三极管M0和M2的发射极面积相等，NPN三极管M0的发射极面积与NPN三极管M1的发射极面积的比值大于1，电阻R0的第一端作为阈值产生电路的输入端接输入电源，电阻R0的第二端分别接NPN三极管M0的集电极和基极，NPN三极管M0的发射极接地，NPN三极管M1的基极与NPN三极管M0的基极连接，NPN三极管M1的集电极接第一电流镜的输入端，NPN三极管M1的发射极串联电阻R1接地，NPN三极管M2的基极与NPN三极管M0的基极连接，NPN三极管M2的集电极接第一电流镜的输出端，NPN三极管M2的发射极接地
一种精确 por 电路

[发明专利]一种用于叠层电池的钝化方法、制备方法及叠层电池-CN202110890197.0在审
发明人：陈艺绮;夏锐;王尧;刘成法;张学玲;陈达明;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于叠层电池的钝化方法、制备方法及叠层电池，所述的叠层电池包括依次层叠的底电池、复合层和顶电池，所述的钝化方法包括：在制备复合层前，将底电池表面的发射极暴露于含有氢离子的气氛中，对发射极进行氢钝化处理本发明将待处理的发射极面放置于充满H+的气氛中，以钝化发射极表面悬挂键，降低载流子表面复合，从而提高了叠层电池的电流及填充因子。
一种用于电池钝化方法制备

[发明专利]提供与电源和温度无关的电压的控制电路-CN95103190.2无效
发明人： T·里杰斯 -专利权人：菲利浦电子有限公司
申请日： 1995-03-29 - 公布日： 1996-03-13 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：提供对电源电压V∝和温度变化不敏感电压的稳压电路，包括四个晶体管T1—T4，T1和T2之基极和集电极交叉耦合，管T1的发射极经电阻R1连到参考电压VEE并其发射极面积大于管T3的发射极面积。该电路还包括第五晶体管T5，其发射极连到管T4的集电极而其基极经电阻R5由线12驱动，线12经电流源11连到电源，电阻R5值是置于T3与线12之间的补偿电阻R2值的2至4倍。
提供电源温度无关电压控制电路

[发明专利]半导体器件及其生产方法-CN98117349.7无效
发明人：冈本哲昌 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-08-19 - 公布日： 1999-02-24 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：通过热处理,杂质从多晶硅膜扩散进基极区,形成外部基极扩散及发射极扩散层。接着,多晶硅膜表面形成为多边膜,其将作为发射极电极及基极电极,实现精细基极及发射极面积。
半导体器件及其生产方法

[发明专利]锗硅HBT工艺中的横向寄生PNP器件及制造方法-CN201210487432.0有效
发明人：周正良;陈曦 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT工艺中横向寄生PNP器件，具有由发射区窗口介质和发射极多晶硅形成的阻挡区，降低了基区扩散电流，发射区和集电区之间由锗硅窗口介质和锗硅多晶硅形成的隔离区，隔离区下由N型外延组成基区本发明所述的锗硅HBT工艺中横向寄生PNP器件，其俯视图为多边形，发射极中心形成多边形环，降低基极电流，发射极和集电极之间用锗硅介质层做隔离，提高了发射极面积及降低基区宽度，提高了器件的直流方法倍数。
锗硅 hbt 工艺中的横向寄生 pnp 器件制造方法

[发明专利]温度补偿电路及使用其的半导体集成电路-CN202210767750.6在审
发明人：中谷真史;平贺公久 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明的温度补偿电路包含：第一PTAT电流源，具有第一发射极面积比，生成第一电流，所述第一电流具有与绝对温度成比例的第一温度系数；第二PTAT电流源，具有第二发射极面积比，生成第二电流，所述第二电流具有与绝对温度成比例的第二温度系数
温度补偿电路使用半导体集成电路

[发明专利]半导体器件及其制造方法和功率放大器模块-CN03110562.9无效
发明人：大部功;田上知纪;草野忠四郎;梅本康成;黑川敦;望月和浩;大西正已;松本秀俊 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-04-10 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：因此，在使用了形成在半导体衬底上，具有平面形状为环状的发射极顶部异质结双极晶体管的半导体器件中，采用了只在环状发射极基极结区域的内侧存在基极的构造。这样，不使用制造步骤复杂的集电极顶部构造，能降低单位发射极面积的基极集电极结容量，结果能实现功率附加效率和功率增益高、适合于半导体器件的功率放大器。
半导体器件及其制造方法功率放大器模块

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