“罗家俊”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果324个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]FDSOI器件输出电流改变量提取方法-CN202210320429.3在审
发明人：赵姗姗;罗家俊;赵发展;韩郑生;曾传滨;高林春;倪涛;李晓静;王娟娟;钱频 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了FDSOI器件输出电流改变量提取方法，涉及半导体器件仿真技术领域。本发明在仿真平台中进行FDSOI器件的仿真，得到FDSOI器件在多个温度点下的输出电流‑栅极电压曲线，根据输出电流‑栅极电压曲线获取FDSOI器件在特定栅极电压下的输出电流改变量，可精确提取FDSOI器件在高温条件下的输出电流改变量。
fdsoi 器件输出电流变量提取方法

[发明专利]高稳定分子筛及用其制备正构烷烃临氢异构催化剂-CN202310693172.0在审
发明人：刘粟侥;宋金辉;罗春玲;罗家俊;唐璐;曾桥娣;方奕文 -专利权人：汕头大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高稳定分子筛及用其制备的正构烷烃临氢异构催化剂，本发明的高稳定分子筛由一维中孔硅铝分子筛经过氟化物的活化，以及有机胺修复得到。本发明对一维中孔硅铝分子筛的骨架结构进行修复，增加现有分子筛结晶度，减少未配位饱和的骨架结构，促进分子筛中Lewis酸性位转变为#imgabs0#酸性位，并提高其在高温、高压反应条件下对含氧化合物的耐受程度，增强了分子筛载体疏水性能，提高反应活性和异构体收率，并实现在含氧化合物存在条件下催化剂结构的稳定及催化稳定性的提高。本发明的高稳定分子筛制备的催化剂应用于用于模型化合物或费托合成蜡油的临氢异构反应，条件温和，转化率高、异构烃比例高、催化剂稳定性好，对含氧化合物耐受程度高。
稳定分子筛制备烷烃临氢异构催化剂

[发明专利]一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法-CN202110195016.2有效
发明人：李博;苏泽鑫;宿晓慧;刘凡宇;黄杨;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开一种SRAM存储单元、SRAM存储器以及数据存储方法，属于半导体领域。以使SRAM存储单元中的存储数据在两个节点之间不断交换，均衡老化问题，消除阈值失配。SRAM存储单元包括主电路和从属电路。主电路包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器，第一反相器的输入端和第二反相器的输出端串接有第一选通管。从属电路包括依次连接的第二选通管、第三反向器和第三选通管。第二选通管和第三选通管通过第一反相器的输入端，与主电路电连接。在一个周期内，第一选通管、第二选通管以及第三选通管上施加的控制信号由第一控制信号转变为第二控制信号，SRAM存储单元的存储节点的存储数据发生翻转。
一种 sram 存储单元存储器以及数据方法

[发明专利]一种高压侧栅极驱动电路及集成电路-CN201811441907.6有效
发明人：彭锐;蔡小五;刘海南;罗家俊;汤红菊;许东升 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开一种高压侧栅极驱动电路及集成电路，包括：双脉冲产生电路、高电平移位电路、噪声抑制电路、触发器和栅驱动电路；所述噪声抑制电路包括串联的共模噪声抑制电路和差模噪声抑制电路；所述双脉冲产生电路的输出端与所述高电平移位电路的输入端连接，所述高电平移位电路的输出端与所述噪声抑制电路的输入端连接；所述噪声抑制电路的输出端与触发器的输入端连接；所述触发器的输出端与所述栅驱动电路的输入端连接。本发明提供的电路改善了现有的驱动电路可靠性差，易烧毁的技术问题，提高了电路可靠性。
一种高压栅极驱动电路集成电路

[实用新型]一种公路桥梁限高装置-CN202223409070.1有效
发明人：黄亮;罗家俊;陈喆;李鑫;徐创飞;农德向;李福兰 -专利权人：广东诚创建设有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： E01F13/00 文献下载
摘要：本申请涉及路桥限高结构技术领域，尤其是涉及一种公路桥梁限高装置，包括底座、固定于底座上的立杆以及安装于立杆顶部的限高横梁，限高横梁一端可转动式支撑安装于立杆；立杆与限高横梁之间安装有旋转阻尼单元。当超出限高范围的车辆与限高横梁发生撞击时，被撞击的限高横梁能够绕立杆进行转动，且通过旋转阻尼单元进行缓冲，以对车辆对限高横梁所产生的冲击进行缓冲，进而减小对驾驶车辆以及限高装置所造成的破坏。
一种公路桥梁装置

[发明专利]一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法-CN202011052262.4有效
发明人：唐江;杜培培;李京徽;王亮;罗家俊;刘念 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本发明属于电致发光领域，公开了一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法，其发光层材料的组分满足A2(BEuX3)n‑1EuX4，其中，A为长链或含有苯环的有机阳离子或其组合；B为有机阳离子、碱金属离子中的一种或多种离子任意比例的组合；Eu为二价铕离子；X为Cl、Br、I中的一种或多种卤素离子任意比例的组合；n取大于1的任意值。本发明通过对发光层材料及其薄膜制备工艺进行改进，采用含有二价铕离子的有机‑无机杂化结构作为发光层材料，相应得到的p‑n结型电致蓝光薄膜器件，通过施加低场直流电可实现蓝光发射，其蓝光峰位标准(440nm‑470nm)，光谱稳定性好，半峰宽窄，辐射效率高；并且，器件结构简单，工艺简便，设备投入低，兼容现有的集成电路工艺，可实现全彩化显示。
一种电致蓝光薄膜器件及其制备方法

[发明专利]一种制备二维钙钛矿闪烁体和PET设备的方法-CN202310141554.2在审
发明人：牛广达;唐江;金童;巫皓迪;罗家俊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C07D235/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备二维钙钛矿闪烁体和PET设备的方法。将BX2和AX溶解在有机溶剂中，在室温下混合8～24h，得到A2BX4前驱体溶液；其中，B为二价金属阳离子，X为卤素阴离子，A为有机长链胺；从A2BX4前驱体溶液中生长得到二维钙钛矿晶体。由于二维钙钛矿闪烁体的成本较低，仅2.09元/g(LYSO:Ce的成本约15元/g)，根据测算，每台PET设备需要的闪烁体重量约160Kg，故节省了大量闪烁体成本。二维钙钛矿闪烁体的光产额更高，比如苯乙胺铅溴(PEA2PbBr4)光产额约38800photons/MeV，高于LYSO:Ce的33200photons/MeV，因而提高了探测效率。二维钙钛矿闪烁体的衰减时间比LYSO更短，因而缩短了二维钙钛矿闪烁体的符合时间，二维钙钛矿闪烁体实测的符合时间比LYSO:Ce的符合时间更短，因而也提高了PET图像重建的精度。
一种制备二维钙钛矿闪烁 pet 设备方法

[发明专利]基于CAN总线的电动制动系统-CN202111660440.6有效
发明人：汤志勇;罗家俊 -专利权人：瀚德万安（上海）电控制动系统有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B60T13/74 文献下载
摘要：本申请实施例提出了基于CAN总线的电动制动系统，包括至少两个电源与信号处理单元，用于对接收到的制动需求信号，生成控制设置在各轮端处电动制动器的控制电流，用于对接收到的控制电流进行制动的电动制动器以及进行数据采集、数据分析比较、对各轮端处电动制动器的驱动电流生成的过程控制的轮端控制器；通过CAN总线的连接使得电源与信号处理单元之间能够实现高效的数据传输，同时以互相备份的方式实现任意一方失效时均能依靠另一方实现整个车辆的制动控制，从而提升了制动可靠性。
基于 can 总线电动制动系统

[实用新型]一种道路排水结构-CN202223409035.X有效
发明人：黄亮;郭绍文;高改丽;陈喆;罗家俊;徐创飞;黄泉;廖诗东 -专利权人：广东诚创建设有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： E03F5/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种道路排水结构，属于道路排水的技术领域，其包括排水井和与排水井连通的地下排水通道，所述排水井的内侧壁且位于排水井的井口处固定连接有支托环，所述支托环的顶面支托有盖体，所述支托环上设置有锁定组件，所述盖体通过锁定组件与支托环可拆卸连接。本申请具有能够将盖体可拆卸连接在排水井的井口处的同时，也便于损坏盖体的更换的效果。
一种道路排水结构

[发明专利]一种泡沫状分子筛及用其制备的正构烷烃临氢异构催化剂-CN202211568463.9在审
发明人：刘粟侥;罗春玲;罗家俊;杨滢桑;宋金辉;唐璐;方奕文 -专利权人：汕头大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种泡沫状分子筛及用其制备的正构烷烃临氢异构催化剂，本发明的泡沫状分子筛为经氟化处理后的一维中孔分子筛中的至少一种；由分子筛原粉与氟源、水和氧化剂混合反应得到。由本发明的泡沫状分子筛、含主活性金属组分化合物、助剂组分化合物等制备的正构烷烃临氢异构催化剂，可应用模型化合物的临氢异构反应，具有高反应活性和异构体选择性，特别是多支链异构烃选择性显著增加(≥60％)；应用于F‑T蜡油临氢异构反应，具有高基础油收率和低倾点，且产品具有高粘度指数。同时，本发明的正构烷烃临氢异构催化剂及泡沫状分子筛制备过程简单，成本低，具有优异的推广应用前景。
一种泡沫分子筛制备烷烃临氢异构催化剂

[发明专利]一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法-CN201910121152.X有效
发明人：闫珍珍;刘海南;杨婉婉;卜建辉;刘梦新;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明公开了一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，属于微电子仿真领域。针对现有技术中存在的传统关键路径已不能精确地完成汉明码SRAM的特征化建模的问题，本发明提供了一种汉明码SRAM时序参数Setup特征化建模方法，在仿真中模拟了从数据变化到纠检错冗余位接收的编码关键路径，关键路径基于多比特位输入，参考节点是冗余阵列对应比特位单元。通过数据端口相对时钟进行相位扫描，以冗余阵列对应存储单元是否成功写入数据作为各端口临界值判断标准，选取端口临界值中的较大值作为数据端口的Setup参数值，获得对应的时序参数setup特征化模型。相比于传统方法，能够精确地得到的时序参数模型。
一种汉明码 sram 时序参数 setup 特征建模方法

[发明专利]半导体器件的阈值电压提取方法及装置-CN202010844599.2有效
发明人：王可为;卜建辉;黄杨;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的阈值电压提取方法及装置，应用于半导体建模领域，包括：测量获得目标SOI器件的Id‑Vg曲线；在Id‑Vg曲线上确定出第一跨导极大值电压位置的第一切线，以及第二跨导极大值电压位置的第二切线；确定第一切线与第二切线的交点位置电压值，并根据交点位置电压值确定出目标SOI器件的正栅阈值电压。通过本发明能提取到更接近真实值的正栅阈值电压。
半导体器件阈值电压提取方法装置

[发明专利]一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备-CN201910502089.4有效
发明人：许婷;闫珍珍;郭燕萍;卜建辉;刘海南;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本发明实施例涉及数据处理技术领域，具体而言，涉及一种基于Hspice的数据处理方法、装置及电子设备，该方法能够获取多个Hspice仿真文件以及每个Hspice仿真文件对应的电压信息和工艺信息，能够根据获取得到的每个Hspice仿真文件所对应的文件名称依次将每个Hspice仿真文件中的至少一个目标数据进行标记，并按照数据类别依次将每个Hspice仿真文件所对应的文件名称、电压信息、工艺信息、温度信息和完成标记的至少一个目标数据进行存储，如此，能够高效、准确地对大量仿真结果进行统计。
一种基于 hspice 数据处理方法装置电子设备

[发明专利]一种BTS型MOSFET结构及其制备方法-CN202011358006.8有效
发明人：曾传滨;高林春;李晓静;闫薇薇;单梁;李多力;倪涛;王娟娟;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种BTS型MOSFET结构及其制备方法，该结构通过在体引出区内设置掺杂离子与阱区相同且掺杂浓度超过阱区的二次掺杂区，该二次掺杂区包含体引出有源区与场注入区之间的部分交界区域，且二次掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，可以使得场氧区的寄生晶体管的阈值开启电压足够大，即场氧区的杂质浓度足够高，从而有效地抑制寄生晶体管的开启。该方法几乎不影响MOS器件主体区域的浓度，通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，显著提高器件的可靠性，形成抗边缘漏电的BTS型MOSFET结构。
一种 bts mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种VDMOS器件建模方法及模型-CN201910046974.6有效
发明人：卜建辉;宋李梅;王成成;罗家俊;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种VDMOS器件建模方法及模型，包括：建立包含漏端寄生电阻的VDMOS器件对应的子电路模型；引入一阶拟合系数、二阶拟合系数和耦合系数对所述漏端寄生电阻的值进行定义，获得所述漏端寄生电阻的值的定义函数；根据对所述VDMOS器件样本的测试数据与所述定义函数，获取包含所述一阶拟合系数、所述二阶拟合系数以及所述耦合系数的模型参数。本发明解决了目前缺乏标准的SPICE模型来精确的描述功率VDMOS器件中JFET电阻和漂移区电阻特性的问题。
一种 vdmos 器件建模方法模型

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 324 条