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[发明专利]静电放电保护装置及电路-CN202010766403.2在审
发明人：林文新;黄晔仁;邱俊榕;李建兴 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护装置及电路，其中该静电放电保护装置，包括一衬底、一第一PNP元件、一第二PNP元件以及一隔离区。衬底具有一P型导电性。第一PNP元件及第二PNP元件形成于衬底之中。隔离区分隔第一PNP元件及第二PNP元件。本发明中NPN元件的存在，当PNP元件导通时，PNP元件具有较高的维持电压，并最佳化PNP元件的导通阻抗。此外，PNP元件可承受更高的静电放电电流。
静电放电保护装置电路

[发明专利]电池充电电路-CN201911092789.7在审
发明人：周宇坤 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：电池充电电路包括第一PNP管、第一电阻、第二PNP管、第三PNP管、第四PNP管、第五PNP管、第六PNP管、第二电阻、第三电阻、第一NPN管、第四电阻、第二NPN管、第五电阻、第三NPN管、第七PNP管、第八PNP管、第六电阻和电池。
电阻电池充电电路电池充电电流充电电流电源电压高电源抑制比电池

[实用新型]NPN/PNP开关量信号转换装置-CN201320681851.8有效
发明人：蒋辉;褚凌越;吴文静;杨良;田博 -专利权人：秦皇岛博硕光电设备股份有限公司
申请日： 2013-10-24 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型针对现有技术中PLC输入信号与外界提供信号兼容性差的不足，提供一种NPN/PNP开关量信号转换装置，它由信号输入模块、信号调理模块以及信号输出模块连接组成，该信号输入模块能将输入的不同电平的NPN/PNP电压输入信号转换为NPN/PNP电流信号，该信号调理模块能将接收到的NPN/PNP电流信号转换成NPN/PNP转PNP/NPN电流信号，信号输出模块能将接收到的NPN/PNP转PNP/NPN电流信号转换成PNP/NPN电压输出信号，接入本NPN/PNP开关量信号转换装置后，无论为PLC提供的信号是NPN输入信号还是PNP输入信号，都能与PLC的输入信号类型兼容，方便操作，降低了误操作，提高了PLC的可靠性
npn pnp 开关信号转换装置

[发明专利]一种带DNW的PNP双极结型晶体管的建模方法-CN201010271226.7无效
发明人：朱正鹏 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种带DNW的PNP-BJT的建模方法，所述带DNW的PNP-BJT包括一横向PNP-BJT(210)和一纵向PNP-BJT(220)，所述横向PNP-BJT(210)、所述纵向PNP-BJT(220)共用发射极E和集电极B，所述建模方法包括：步骤一、分别建立所述横向PNP-BJT(210)的模型和所述纵向PNP-BJT(220)的模型；步骤二、建立宏模型。所述建模方法还可以按如下步骤进行：步骤A、将所述横向PNP-BJT(210)和所述纵向PNP-BJT(220)的C极对应相连后测量数据；步骤B、建立初始模型；步骤C、提取模型参数并建立模型。
一种 dnw pnp 双极结型晶体管建模方法

[实用新型]高压SCR型ESD保护结构-CN202120151392.7有效
发明人：赵克翔 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高压SCR型ESD保护结构，包括设置于同一P型衬底上的PNP管和NPN管，所述PNP管基极接所述NPN管集电极，所述PNP管集电极接所述NPN管基极，所述PNP管基极、发射极、所述NPN管集电极接阳极，所述NPN管基极、发射极、所述PNP管集电极接阴极，设有用于辅助泄放ESD电流的寄生PNP管，寄生PNP管与所述PNP管、NPN管设置于同一P型衬底上；寄生PNP管发射极、基极接阳极，寄生PNP管集电极接阴极。
高压 scr esd 保护结构

[发明专利]铺块的横向晶闸管-CN201910461594.9在审
发明人： V.库什纳;N.贝凯 -专利权人：斯兰纳亚洲有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：一种晶闸管块包括第一PNP块和第二PNP块以及第一NPN块和第二NPN块。每个PNP块与两个NPN块相邻；并且每个NPN块与两个PNP块相邻。一种晶闸管包括多个PNP块和多个NPN块。所述PNP块和所述NPN块以行和列的交替配置来布置。所述PNP块垂直于所述NPN块定向。互连层具有使得能够将信号均匀分布到所述PNP块和所述NPN块的几何形状。
晶闸管交替配置互连层垂直

[实用新型]一种电流源-CN201520449239.7有效
发明人：齐盛 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：电流源包括第一PNP管、第一电阻、第二PNP管、第三PNP管、第四PNP管、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻和第五PNP管。
一种电流

[实用新型]零电源电压系数电流源-CN201520420332.5有效
发明人：齐盛 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：零电源电压系数电流源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PNP管、第二PNP管、第四NPN管、第三PNP管、第四PNP管、第五PNP管、第五NPN管、第三电阻、第六PNP管和第七PNP管。
电源电压系数电流

[发明专利]带隙基准电压源电路-CN202310538100.9在审
发明人：毛洪卫;贺红亮 -专利权人：北京伽略电子股份有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：带隙基准电压源电路包括自偏置电路和基准电压产生电路；自偏置电路包括：第一PNP型三极管、第二PNP型三极管、第三PNP型三极管、第四PNP型三极管；第二PNP型三极管的发射极、第三PNP型三极管的发射极以及第四PNP型三极管的发射极连接到第一PNP型三极管的集电极；第三PNP型三极管的基极分别连接到第二PNP型三极管的基极和集电极，第三PNP型三极管的集电极连接到第四PNP型三极管的基极；第二PNP型三极管的集电极和第三PNP型三极管的集电极连接到基准电压产生电路，以使基准电压产生电路中的第一三极管组中的三极管的集电极电压和第二三极管组中的三极管的集电极电压相等。
基准电压电路

[发明专利]一种补偿带隙基准电压分流的稳压电路-CN202010493817.2有效
发明人：于圣武;张洪俞;李宇 -专利权人：南京微盟电子有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种补偿带隙基准电压分流的稳压电路，包括横向PNP三极管PNP1、PNP2、PNP3、PNP4、PNP5、PNP6、PNP7、PNP8、PNP9，纵向三极管NPN1、NPN2、NPN3、NPN4、NPN5、NPN6，电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9，电容C1，偏置电流源I1；利用PNP8集电极电流与NPN5的集电极电流之差等于NPN3基极电流与NPN4的基极电流之和，基准电压VREF
一种补偿基准电压分流稳压电路

[发明专利]互补双极型反相器-CN201280026281.7有效
发明人：蔡劲;R·H·登纳德;W·E·哈恩斯科;T·H·宁 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-04-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：所述电路包括：绝缘体上半导体（SOI）衬底、被制造在所述SOI衬底上的横向PNP双极型晶体管和被制造在所述SOI衬底上的横向NPN双极型晶体管。横向PNP双极型晶体管包括PNP基极、PNP发射极和PNP集电极。横向NPN双极型晶体管包括NPN基极、NPN发射极和NPN集电极。PNP基极、PNP发射极、PNP集电极、NPN基极、NPN发射极和NPN集电极毗邻SOI衬底的掩埋绝缘体。
互补双极型反相器

[发明专利]一种可编程控制器的编译系统-CN202010786668.9在审
发明人：陈石亮 -专利权人：深圳市派姆智能机器有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G05B19/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种可编程控制器的编译系统，包括：PNP源代码文件打开模块：PNP源代码文件打开模块用于打开PNP源代码文件；PNP源代码文件编译模块：PNP源代码文件编译模块用于编译PNP源代码文件，将PNP源代码文件形成可运行于控制器的二进制代码；PNP可执行文件载入模块：PNP可执行文件载入模块将编译后的二进制代码下载至控制器中执行。
一种可编程控制器编译系统

[发明专利]与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法-CN201110317240.0有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李浩 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/8228 文献下载
摘要：本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管工艺实现方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的掺杂注入完成后，采用刻蚀工艺对PNP区域的基区的硅表面进行处理，使PNP区域的基区的硅表面的晶格结构被破坏；在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN区域和PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层。本发明方法通过对PNP区域的基区的硅表面进行刻蚀处理，能使PNP区域的基区的硅表面变成非晶结构，能使后续在PNP区域形成的锗硅层为非晶结构，有利于在对PNP三极管发射区注入离子的扩散，从而能提高PNP三极管的发射区的掺杂浓度
锗硅异质结 npn 三极管集成 pnp 工艺实现方法

[发明专利]一种恒流驱动LED电路-CN201811204884.7在审
发明人：齐盛 -专利权人：杭州展虹科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H05B33/08 文献下载
摘要：一种恒流驱动LED电路包括第一PNP管、第一电阻、第二PNP管、第三PNP管、第一NPN管、第四PNP管、第二NPN管、第二电阻、第五PNP管、第三电阻和LED灯。该发明结构简单，转换效率高。
恒流驱动电阻转换效率

[实用新型]利用稳压管产生电流的电流源-CN201520513472.7有效
发明人：陶霞菲 -专利权人：杭州宽福科技有限公司
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：利用稳压管产生电流的电流源包括第一PNP管、第一电容、第二PNP管、第三PNP管、第四PNP管、第一NPN管、第二NPN管、第一稳压管、第一电阻和第五PNP管。
利用稳压产生电流

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