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- [发明专利]半导体元件-CN202010066304.3有效
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黑川敦;小林一也
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株式会社村田制作所
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2020-01-20
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2023-09-22
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H01L23/482
- 本发明提供能够在安装于外部基板时，抑制电连接不良的产生的半导体元件。半导体元件具有：半导体基板；设置在半导体基板上的集电极层；设置在集电极层上的基极层；设置在基极层上的发射极层；与发射极层电连接的发射极布线；设置在发射极布线上的上部金属层；覆盖发射极布线以及上部金属层并且至少在与集电极层重叠的区域中设置有第一开口的第一保护膜；以及经由第一开口与发射极布线电连接的下部凸块金属层，且下部凸块金属层的俯视时的面积大于第一开口的面积的凸块，第一保护膜的端部包围第一开口、且设置在上部金属层上。
- 半导体元件
- [发明专利]半导体装置-CN201811483645.X有效
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黑川敦;青池将之;筒井孝幸
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株式会社村田制作所
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2018-12-05
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2023-08-25
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H01L27/02
- 本发明提供一种能够缓解在晶体管部分产生的热应力、能够抑制元件的尺寸的增大且能够抑制散热性的下降的半导体装置。在基板上的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有第一布线。进而，在基板的上方配置有第二布线。在第一布线以及第二布线上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与第一布线重叠的第一开口以及与第二布线重叠的第二开口。配置在绝缘膜上的第一凸块穿过第一开口与第一布线连接，第二凸块穿过第二开口与第二布线连接。在俯视下，多个动作区域中的至少一个动作区域配置在第一凸块的内侧，配置在第一凸块的内侧的动作区域的至少一部分的区域配置在第一开口的外侧。第一开口的平面形状与第二开口的平面形状相同。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201911308853.0有效
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柴田雅博;黑川敦
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株式会社村田制作所
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2019-12-18
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2023-04-18
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H01L23/367
- 本发明提供能提高散热性的半导体装置。在基板上设置包括动作电流流过的半导体区域的多个晶体管。配置由热导率比多个半导体区域高的导电材料构成，分别与半导体区域接触并使动作电流流向半导体区域的多个动作电极。外部连接用的导体柱内包在俯视时多个半导体区域与多个动作电极接触的多个接触区域，并与多个动作电极电连接。接触区域沿第一方向排列配置，接触区域分别具有在与第一方向正交的第二方向上较长的平面形状，跨接触区域对接触区域各自的从第二方向的端部到导体柱的边缘为止的第二方向的距离进行平均的值亦即第一平均距离在从接触区域到导体柱的顶面为止的高度方向的距离的平均值以上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201811490781.1有效
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黑川敦;青池将之;筒井孝幸
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株式会社村田制作所
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2018-12-06
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2022-12-02
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H01L23/367
- 本发明提供一种能够减小形成在同一基板的多个单位晶体管的动作时的温度之差而提高作为晶体管整体的性能的半导体装置。在形成于基板的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有布线，在其上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与布线重叠的开口。在绝缘膜上配置有穿过开口与布线电连接的金属构件。单位晶体管在基板上在第一方向上并列地配置。开口的几何中心相对于单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心在第一方向上偏移。在将具有与单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心最近的几何中心的开口定义为最靠近开口时，从动作区域的几何中心到最靠近开口的几何中心的向第一方向的偏移量，从单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202111460615.9在审
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佐治真理;黑川敦;姫田高志
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株式会社村田制作所
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2021-12-01
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2022-06-14
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H01L29/737
- 本发明提供一种半导体装置，能够降低向半导体元件施加的热应力。在基板的上表面配置有包括由半导体构成的台面构造的多个第一晶体管。在俯视下与多个第一晶体管重叠的位置配置有俯视下的形状在一个方向上较长并且与多个第一晶体管连接的第一凸起。在与第一凸起的长边方向正交的方向上相对于第一凸起隔开间隔地配置有第二凸起。在俯视下在第一凸起与第二凸起之间配置有第一金属图案。将基板的上表面作为高度的基准，第一金属图案的厚度方向的中心的高度比多个第一晶体管分别包含的台面构造的上表面高，并且比第一凸起的下表面低。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202110655309.4在审
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黑川敦;柴田雅博;德矢浩章;佐治真理
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株式会社村田制作所
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2021-06-11
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2021-12-17
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H01L23/495
- 本发明提供能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜，该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时，设置于有机层的开口包含台面部，且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN202110666803.0在审
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佐治真理;柴田雅博;黑川敦
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株式会社村田制作所
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2021-06-16
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2021-12-17
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H01L23/495
- 本发明提供能够提高散热性的半导体装置。在基板上的晶体管及其动作电极上交替地层叠有多个层间绝缘膜和多个导体膜。第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，且在俯视时被包含于动作电极。第一层的导体膜通过第一层的层间绝缘膜的开口与动作电极连接。第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜。第二层的导体膜通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接。沿着第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的与第一方向正交的第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到第二层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置-CN201810156094.X有效
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佐野雄一;黑川敦;小林一也
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株式会社村田制作所
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2018-02-23
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2021-09-28
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H01L29/73
- 提供具备可抑制Au的电极成分扩散而产生迁移、并且能够良好地确保电极与其下方的导电层的电接触的构造、且成品率提高的半导体装置。在导电层(4、4)上形成基底层(6、6)，在基底层(6、6)上形成由Au组成的第1布线电极(7、7)。基底层(6、6)由宽度方向端部自第1布线电极(7、7)的宽度方向端部向第1过孔层(3)与CGR层(5a)的层间界面方向伸出的单层形成。该基底层(6、6)由组分调制层组成，第1布线电极(7、7)的下方的主组成成分为Ti或Ti与W，从第1布线电极(7、7)的下方向第1过孔层(3)与CGR层(5a)的层间界面方向伸出的部分的组成成分组分调制为Ti与O、或Ti、O与N、或Ti、W、O与N。
- 半导体装置
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