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[发明专利]一种双电子传输层的钙钛矿太阳电池-CN202210231270.8在审
发明人： 袁吉仁;肖建敏;黄海宾 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种双电子传输层的钙钛矿太阳电池，属于钙钛矿太阳电池结构设计技术领域。该太阳电池包括从上到下层叠设置的空穴传输层、光吸收层、第一电子传输层和第二电子传输层，空穴传输层的顶面上设置有第一金属栅线，第二电子传输层的底面上设置有第二金属栅线，在传统的钙钛矿太阳电池的结构上，再添加了一层电子传输层，主要通过调节内建电场来促进光生载流子的传输，来获得高开路电压和短路电流密度，最大程度上提高了电池的转换效率。
一种电子传输钙钛矿太阳电池

[发明专利]一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构-CN201810198915.6有效
发明人： 袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成；钝化‑进光区域由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由重掺杂晶体硅、金属栅线II构成。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
一种具有局域发射极特性 si 双面太阳电池结构

[实用新型]一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构-CN201820330976.9有效
发明人：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种局域发射极同质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成，后者由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
一种局域发射极同质结晶体双面太阳电池结构

[实用新型]一种进光区域无重掺杂层遮挡的同质结晶体硅双面太阳电池结构-CN201820330969.9有效
发明人：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种进光区域无重掺杂层遮挡的同质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成，后者由钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化基底光区域晶体硅太阳电池导电区域减反射层金属栅线晶体硅层掺杂n型背电场结晶体双面太阳电池本实用新型短路电流发电能力发射极层发射极面开路电压重掺杂层发射极光特性重掺杂同质遮挡

[实用新型]一种同质结晶体硅双面太阳电池结构-CN201820330979.2有效
发明人：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种同质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成，钝化‑进光区域由钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域为钝化减反射层II；背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化导电区域光区域背电场基底晶体硅太阳电池减反射层金属栅线发射极结晶体双面太阳电池本实用新型短路电流发电能力发射极层发射极面开路电压掺杂n型光特性晶体硅重掺杂同质

[实用新型]一种晶体硅双面太阳电池结构-CN201820330987.7有效
发明人：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由TiO
基底金属栅线钝化晶体硅太阳电池透明导电氧化物导电区域钝化层发射极光区域重掺杂双面太阳电池本实用新型本征非晶硅短路电流发电能力发射极面减反射层开路电压区域交叉不重叠电场面晶体硅覆盖

[实用新型]一种异质结晶体硅双面太阳电池结构-CN201820330992.8有效
发明人：岳之浩;周浪;黄海宾;袁吉仁;高超 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种异质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由钝化减反射层II；背电场‑导电区域由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化导电区域光区域背电场基底晶体硅太阳电池结晶体双面太阳电池本征非晶硅减反射层金属栅线钝化层发射极重掺杂异质本实用新型短路电流发电能力发射极面开路电压

[实用新型]一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构-CN201820330999.X有效
发明人：岳之浩;周浪;黄海宾;袁吉仁;高超 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种进光区域无重掺杂层遮挡的异质结晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II；背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
光区域钝化导电区域基底背电场晶体硅太阳电池结晶体双面太阳电池减反射层金属栅线晶体硅层重掺杂层掺杂n型发射极异质遮挡本实用新型本征非晶硅短路电流发电能力发射极面开路电压钝化层重掺杂

[实用新型]一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构-CN201820331031.9有效
发明人：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种钝化进光层的晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由基底向外依次由TiO₂I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂晶体硅层或TiO₂II、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线Ⅱ。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化基底晶体硅太阳电池双面太阳电池本征非晶硅导电区域减反射层金属栅线背电场钝化层光区域晶体硅重掺杂光层本实用新型短路电流发电能力发射极面晶体硅层开路电压发射极掺杂

[实用新型]一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构-CN201820330910.X有效
发明人： 袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成；钝化‑进光区域由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由重掺杂晶体硅、金属栅线II构成。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化重掺杂光区域晶体硅太阳电池双面太阳电池发射极特性导电区域减反射层金属栅线背电场本实用新型短路电流发电能力发射极层发射极面晶体硅层开路电压场钝化发射极光特性晶体硅基底

[实用新型]一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构-CN201820331032.3有效
发明人：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由TiO₂钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II；背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化基底导电区域发射极光区域背电场晶体硅太阳电池双面太阳电池减反射层金属栅线晶体硅层掺杂n型钝化层晶体硅光层本实用新型本征非晶硅短路电流发电能力发射极面开路电压重掺杂

[发明专利]一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构-CN201810198904.8在审
发明人： 袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有局域非晶硅/晶体硅异质结特性的双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，后者由重掺杂p型晶体硅场钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II构成；后者由本征非晶硅钝化层II、重掺杂n型非晶硅、金属栅线II构成。本发明保持了双面进光特性，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，提高了太阳电池的发电能力。相比于HIT和HAC‑D结构完全避免贵重的透明导电氧化物的使用，同时减少了载流子在TCO上传输所造成的串联电阻损耗。
重掺杂钝化双面太阳电池本征非晶硅导电区域减反射层金属栅线背电场钝化层非晶硅光区域晶体硅异质结载流子透明导电氧化物串联电阻短路电流发电能力发射极面晶体硅层开路电压场钝化发射极光特性基底传输

[发明专利]一种晶体硅双面太阳电池结构-CN201810198985.1在审
发明人：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由TiO2I、钝化减反射层I构成，这两个区域交叉分布且不重叠背电场面由基底向外依次为本征非晶硅钝化层II或TiO2II、重掺杂n型非晶硅层、透明导电氧化物TCO层、金属栅线II，其中，金属栅线II部分覆盖透明导电氧化物TCO层。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
基底金属栅线钝化晶体硅太阳电池透明导电氧化物双面太阳电池导电区域钝化层发射极光区域晶体硅重掺杂本征非晶硅短路电流发电能力发射极面减反射层开路电压区域交叉不重叠电场面覆盖

[发明专利]一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构-CN201810198997.4在审
发明人：高超;周浪;黄海宾;袁吉仁;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种钝化进光层的局域发射极晶体硅双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，其发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：发射极‑导电区域由基底向外依次由本征非晶硅钝化层、重掺杂p型非晶硅层、金属栅线I构成，钝化‑进光区域由基底向外依次由TiO2钝化层I、钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：钝化‑进光区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、钝化减反射层II；背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅层II、金属栅线II。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光的特性前提下，同时获得高开路电压和高短路电流的特性，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
钝化基底导电区域发射极光区域背电场晶体硅太阳电池双面太阳电池减反射层金属栅线晶体硅层掺杂n型钝化层晶体硅光层本征非晶硅短路电流发电能力发射极面开路电压重掺杂

[发明专利]一种具有局域发射极特征的硅基同质结双面太阳电池结构-CN201810198957.X在审
发明人：黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有局域发射极特征的硅基同质结双面太阳电池结构，以n型晶体硅片作为基底，发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域：前者由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成，后者由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I和钝化减反射层I构成；背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域：前者由基底向外依次为重掺杂晶体硅层、钝化减反射层II；后者由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅、金属栅线II，这两个区域交叉分布且不重叠。本发明在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下，获得了更高开路电压和短路电流，最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。
基底钝化发射极晶体硅太阳电池双面太阳电池导电区域减反射层金属栅线背电场光区域同质结重掺杂硅基短路电流发电能力发射极层发射极面晶体硅层开路电压区域交叉掺杂n型不重叠场钝化光特性晶体硅掺杂

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