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[发明专利]可切换工作点的高性能施密特触发器及切换工作点方法-CN202011614038.X有效
发明人：刘天奇;蔡小五;杨广文;甘霖;李博 -专利权人：国家超级计算无锡中心
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03K3/3565 文献下载
摘要：本发明提供的可切换工作点的高性能施密特触发器，涉及半导体集成电路设计领域，包括正向阈值调节模块、负向阈值调节模块和选通信息号模块，通过选通信号模块，能够在两种工作点之间的切换，既能够保证电路的多信号兼容能力，也能够保证在各个工作点保持良好的抗干噪声扰能力。
切换工作性能施密特触发器方法

[发明专利]功率器件的封装结构及封装方法-CN202210156727.3在审
发明人：王可;高见头;曾传滨;孙澎;周净男;蔡小五;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的封装结构及封装方法，包括功率器件的芯片、底座、至少一个高阻外接引脚、至少一个低阻外接引脚和多根键合丝；所述底座用于支撑所述芯片，所述芯片具有至少一个大功率焊盘和至少一个小功率焊盘，每个所述大功率焊盘通过一根所述键合丝与一个所述低阻外接引脚电连接，每个所述小功率焊盘通过一根所述键合丝与一个所述高阻外接引脚连接。该封装结构可以有效降低封装引入的导通电阻的阻值，防止因封装引入的导通电阻的阻值过大，造成的功率器件芯片发热损坏等问题。
功率器件封装结构方法

[发明专利]一种高压侧栅极驱动电路及集成电路-CN201811441907.6有效
发明人：彭锐;蔡小五;刘海南;罗家俊;汤红菊;许东升 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K3/013 文献下载
摘要：本发明公开一种高压侧栅极驱动电路及集成电路，包括：双脉冲产生电路、高电平移位电路、噪声抑制电路、触发器和栅驱动电路；所述噪声抑制电路包括串联的共模噪声抑制电路和差模噪声抑制电路；所述双脉冲产生电路的输出端与所述高电平移位电路的输入端连接，所述高电平移位电路的输出端与所述噪声抑制电路的输入端连接；所述噪声抑制电路的输出端与触发器的输入端连接；所述触发器的输出端与所述栅驱动电路的输入端连接。本发明提供的电路改善了现有的驱动电路可靠性差，易烧毁的技术问题，提高了电路可靠性。
一种高压栅极驱动电路集成电路

[发明专利]一种过温保护电路及方法-CN202310269912.8在审
发明人：林兴奎;蔡小五;高马利;高悦欣;夏瑞瑞;张磊;李博 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请公开了一种过温保护电路及方法，该过温保护电路包括基准电流模块、温度检测模块、电流比较模块；基准电流模块的输出端与电流比较模块的输入端连接；温度检测模块的输出端与电流比较模块的另一输入端连接，本申请利用电流比较模块将接收到的正温度系数电流以及基准电流进行比较，得到比较结果，并根据比较结果调整过温保护电路的输出电压VOUT，不需要通过三极管的基极‑发射极电压进行温度检测，因此过温保护电路不具有检测温度的固有缺点(即检测精度会受到制造工艺偏差的影响)，提升了过温保护电路的检测精度。
一种保护电路方法

[发明专利]一种功率器件的电流保护装置电路及功率驱动器件-CN202111572365.8在审
发明人：丁利强;蔡小五;夏瑞瑞;高马利;高悦欣;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件的电流保护装置电路及功率驱动器件，所述电路包括：功率器件芯片，包括功率器件；驱动芯片，包括误差放大器；功率器件芯片，设置有控制引脚以及第一电流检测引脚，控制引脚与功率器件的控制端连接，第一电流检测引脚通过目标走线与功率器件的源端连接，其中，目标走线产生目标寄生电阻；驱动芯片，设置有输出引脚以及第二电流检测引脚，误差放大器的正相输入端接入参考电压，误差放大器的反相输入端与第二电流检测引脚连接，误差放大器的输出端与输出引脚连接；其中，第一电流检测引脚与第二电流检测引脚连接，控制引脚与输出引脚连接。本方案能够有效提高功率器件的电流检测精度。
一种功率器件电流保护装置电路驱动

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490309.X在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；薄栅氧层，所述薄栅氧层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述薄栅氧层覆盖所述掺杂区域。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111490307.0在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管，包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域；隔离绝缘氧化层，所述隔离绝缘氧化层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧，且所述隔离绝缘氧化层覆盖所述掺杂区域；遮挡层，所述遮挡层设置在所述隔离绝缘氧化层远离所述衬底片的一侧。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种双极型晶体管及制备方法-CN202111516210.2在审
发明人：金美晨;李晓静;李多力;蔡小五;王士平;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请公开一种双极型晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，能够提高双极型晶体管的抗辐照性能。双极型晶体管，包括：衬底片，所述衬底片包括至少两个掺杂区域，至少一个所述掺杂区域作为双极型晶体管的负电极，所述负电极用于接入负电位；器件保护层，所述器件保护层设置在所述衬底片具有掺杂区域的一侧；导电层，所述导电层设置在所述器件保护层远离所述衬底片的一侧，所述导电层与所述负电极电连接。
一种双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种过流阈值可外部调控的过流保护电路-CN202310267481.1在审
发明人：张磊;蔡小五;夏瑞瑞;高马利;高悦欣;党建英;林兴奎;李博 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G05F1/573 文献下载
摘要：本发明提供一种过流阈值可外部调控的过流保护电路，其中，电流基准模块的输出端与电流比较模块的基准输入端相连；电流比较模块的N个比较输入端与电流检测模块的N个检测端一一对应相连；电流比较模块的N个输出端与控制模块的N个输入端一一对应相连；控制模块的输出端与电流检测模块的控制端相连；电流检测模块的使能端作为过流保护电路的使能端；电流检测模块的输出端作为过流保护电路的输出端；结合电流基准模块、电流比较模块、电流检测模块和控制模块，使过流保护电路产生N个过流阈值，还能够通过输入使能信号对不同的过流阈值进行调控，能够大大降低电路的静态功耗，提升电路的可靠性和稳定性。
一种阈值外部调控保护电路

[发明专利]一种模拟开关电路-CN202111333670.1在审
发明人：王士平;蔡小五;韩添;赵发展;刘海南;郝乐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请公开一种模拟开关电路，涉及电路技术领域，能够在传输信号超过模拟开关电路的电源电压时，正常实现关断功能，避免模拟开关电路的失效问题。模拟开关电路，包括：传输模块，所述传输模块包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极用于接入待传输信号；第一电平移位模块，所述第一电平移位模块的第一输入端用于接入控制信号，所述第一电平移位模块的第二输入端用于接入所述待传输信号，所述第一电平移位模块的输出端与所述第一PMOS管的栅极电连接；所述第一电平移位模块用于在所述控制信号为控制所述第一PMOS管关闭的高电平信号，且所述待传输信号大于所述控制信号时，保持所述第一PMOS管的源极与栅极的电位相同。
一种模拟开关电路

[发明专利]一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备-CN202010103234.4有效
发明人：夏瑞瑞;蔡小五;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;高悦欣;罗家俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一P阱区、第一N阱区和第二P阱区；依次排布的第一P+区、第一N+区、第二P+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区和第五N+区；第一P+区和第一N+区位于第一P阱区中，第二P+区和第二N+区位于第一N阱区中，第三N+区位于第一N阱区和第二P阱区连接处，第四N+区和第五N+区位于第二P阱区中；第一P+区和第一N+区与阴极导通连接；第二P+区和第二N+区与阳极导通连接。本发明提供的结构，电路和设备，用以解决现有技术中集成电路的ESD防护存在的防护响应过慢的技术问题。提供了一种响应迅速的ESD保护结构。
一种触发电压 esd 保护结构集成电路设备

[发明专利]一种SOI FinFET器件及其制作方法-CN202010276290.8有效
发明人：王大成;蔡小五;刘海南;罗家俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种SOI FinFET器件及其制作方法，其中所述SOI FinFET器件包括：衬底，在衬底上具有掺杂形成成组的源区和漏区；每一组源区和漏区之间的上方为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域中的任一区域；第一区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层；第二区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第一掺杂层、第二掺杂层、TiN层以及填充层；第三区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第二掺杂层、TiN层以及所述填充层；第四区域的衬底上方依次设置为高K介质层、第二掺杂层以及填充层。本发明的SOI FinFET器件不存在厚的功函数层，P型器件栅极金属填充问题得到了很好的改善。
一种 soi finfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种ESD保护结构、集成电路及电子设备-CN202010089396.7有效
发明人：夏瑞瑞;蔡小五;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;高悦欣;罗家俊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ESD保护结构、集成电路和电子设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一N阱区和第一P阱区；位于第一N阱区中的第一N+区、第一P+区、第二N+区和第二P+区；位于第一N阱区和第一P阱区连接处的第三N+区；位于第一P阱区中的第四N+区、第三P+区、第五N+区和第四P+区；第一电阻、第一电容、第一反相器和第二反相器。本发明提供的结构，电路和设备，用以解决现有技术中集成电路的ESD防护存在的保护线路不周全和防护响应过慢的技术问题。提供了一种全面保护，响应迅速的ESD保护结构。
一种 esd 保护结构集成电路电子设备

[发明专利]一种电流检测电路及方法-CN202110376838.0有效
发明人：韩添;赵发展;蔡小五;卜建辉;单梁 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电流检测电路及方法，包括：功率管提供当前负载电流；检测管输出检测电流；第一电阻将检测电流转换成初始检测电压；电压放大器输出当前放大检测电压；电压比较器在映射表中查找当前放大检测电压所属的目标放大电压检测范围；信号处理器基于目标放大电压检测范围在映射表中查找对应的参考电流比，基于参考电流比生成对应的控制信号；体偏产生电路基于控制信号向检测管输出目标输出电压；目标输出电压用于将当前电流比调整为参考电流比；如此，当负载电流产生变化时，信号处理器可根据参考电流比实时调整体偏产生电路的目标输出电压，检测管根据目标输出电压将调整当前电流比，提高电流检测的精度和范围，降低检测电流的功耗。
一种电流检测电路方法

[发明专利]一种具有快速瞬态响应和低负载调整率的线性稳压器-CN202111474528.9有效
发明人：高马利;蔡小五;郝宁;丁利强;高悦欣;夏瑞瑞;赵发展 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有快速瞬态响应和低负载调整率的线性稳压器，包括误差放大器、输出功率管、第一反馈电阻、第二反馈电阻、输出电容、栅极控制电路和漏极充放电通路；所述栅极控制电路用于在所述负载输出端的电压变化时，改变所述输出功率管的栅极电压；所述漏极充放电通路用于在所述负载输出端的电压变化时，为所述输出功率管的漏极提供充电通路或放电通路，使所述负载输出端的电压稳定。本发明提供的线性稳压器具有快速瞬态响应，且负载变化范围宽，负载调整率低，电路稳定性较好。
一种具有快速瞬态响应负载调整线性稳压器

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