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[发明专利]存储装置-CN201780055728.6有效
发明人：伊东干彦;小柳胜;中谷真史;奥野晋也;长坂繁辉;吉原正浩;梅泽明;筑山慧至;河崎一茂 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：实施方式的存储装置包含：第1存储芯片，包含第1电路、第1及第2端子；第2存储芯片，包含第2电路及第3端子；及接口芯片，包含第1及第2电压产生电路。所述第2存储芯片设置在所述第1存储芯片上方，所述接口芯片设置在所述第1存储芯片下方。所述第1端子的第1端部连接到所述第1电路，所述第1端子的第2端部连接到所述第1电压产生电路。所述第2端子的第3端部连接到所述第3端子，所述第2端子的第4端部连接到所述第2电压产生电路。所述第3端子的第5端部连接到所述第2电路，所述第3端子的第6端部经由所述第2端子连接到所述第2电压产生电路。在相对于所述第1存储芯片的表面垂直的方向上，所述第3端部不与所述第4端部重叠，所述第3端部与所述第6端部重叠。
存储装置

[发明专利]电压产生电路以及半导体装置-CN202010459265.3有效
发明人： 中谷真史 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：提供一种电压产生电路以及半导体装置，使用动态基准电压，高精度控制产生电压的上升。本发明的电压产生电路，包含：电荷泵，输出电压Vpump；调节器；以及控制电路。调节器包含：比较器，将电荷泵产生的电压Vdivide与基准电压Vref进行比较，并输出比较结果CMP_OUT；以及另一比较器，将电荷泵产生的电压Vdivide2与上升速度被控制的基准电压VrefRRC进行比较，并输出比较结果CMP2_OUT。控制电路基于CMP_OUT以及CMP2_OUT控制电荷泵。
电压产生电路以及半导体装置

[发明专利]温度补偿电路及使用其的半导体集成电路-CN202210767750.6在审
发明人： 中谷真史;平贺公久 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种生成经温度补偿的电流的温度补偿电路及使用其的半导体集成电路。本发明的温度补偿电路包含：第一PTAT电流源，具有第一发射极面积比，生成第一电流，所述第一电流具有与绝对温度成比例的第一温度系数；第二PTAT电流源，具有第二发射极面积比，生成第二电流，所述第二电流具有与绝对温度成比例的第二温度系数；调整电路，调整由第一PTAT电流源生成的电流；以及差分电路，输出由调整电路调整后的电流与由第二PTAT电流源生成的电流的差分。
温度补偿电路使用半导体集成电路

[发明专利]恒流电路及半导体装置-CN202011252907.9有效
发明人： 中谷真史 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种恒流电路及半导体装置，供给经温度补偿的恒流。本发明的恒流电路(100)包含BGR电路(110)、温度依存电流生成部(120)、基准电流生成部(130)以及输出电流生成部(140)来构成。BGR电路(110)生成电压依存性少的基准电压(VBGR)。温度依存电流生成部(120)生成正的温度系数的温度依存电流。基准电流生成部(130)利用基准电压(VBGR)及温度依存电流来生成经温度补偿的基准电流(IREF)。输出电流生成部(140)根据由基准电流生成部(130)所生成的基准电流(IREF)来生成输出电流。
流电半导体装置

[发明专利]振荡电路以及半导体集成电路-CN202110386825.1在审
发明人： 中谷真史;村上洋树 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种振荡电路以及半导体集成电路，能够抑制由于定电流电路的异常所引起的时钟信号的频率的上限。本发明的振荡电路包含定电流电路、振荡器以及电流限制电路。定电流电路根据电源电压而产生第1输出电流。电流限制电路接收第1输出电流及产生第2输出电流，且在电源电压下降到低于定电流电路的运作保证范围的下限时，限制第2输出电流的上限。振荡器根据第2输出电流而产生时钟信号。通过限制第2输出电流的上限，可限制时钟信号的最大频率。
振荡电路以及半导体集成电路

[发明专利]存储装置-CN201680089186.X在审
发明人：伊东干彦;小柳胜;中谷真史;吉原正浩;奥野晋也;长坂繁辉 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本实施方式的存储装置包含：第1存储芯片，包含第1电路、第1及第2端子；第2存储芯片，包含第2电路及第3端子；及接口芯片，包含第1及第2电压产生电路。所述第2存储芯片设置在所述第1存储芯片上方，所述接口芯片设置在所述第1存储芯片下方。所述第1端子的第1端部连接于所述第1电路，所述第1端子的第2端部连接于所述第1电压产生电路。所述第2端子的第3端部连接于所述第3端子，所述第2端子的第4端部连接于所述第2电压产生电路。所述第3端子的第5端部连接于所述第2电路，所述第3端子的第6端部经由所述第2端子连接于所述第2电压产生电路。在相对所述第1存储芯片的表面垂直的方向上，所述第3端部不与所述第4端部重叠，所述第3端部与所述第6端部重叠。
存储芯片端部连接电压产生电路电路存储装置端部重叠接口芯片表面垂直端子连接