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[发明专利]原子层沉积装置及原子层沉积方法-CN202011089730.5在审
发明人：郭世根;项金娟;刘青 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积方法。本申请的原子层沉积装置包括反应室、晶片承载器和多个喷嘴，晶片承载器设于反应室的内部，用于在同一平面内承载多个晶片，多个喷嘴设于晶片承载器的上方的反应室的侧壁或顶壁，用于向反应室内通入第一前驱体、第二前驱体和净化气体根据本申请的原子层沉积装置，能够同时在多个晶片表面形成原子层，提高晶片生产效率，同时保证原子层的沉积厚度和范围的均匀性，提高晶片质量。
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置和原子层沉积方法-CN202210319589.6在审
发明人：周向前 -专利权人：前微科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积装置和原子层沉积方法，原子层沉积装置包括第一反应床主体、第二反应床主体、一对第一高压装置、一对第二高压装置和一对工作装置，第一反应床主体和第二反应床主体沿第一方向相对间隔设置，
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置和原子层沉积方法-CN201410183662.7有效
发明人：长井博之;桑山哲朗 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及原子层沉积装置和原子层沉积方法。原子层沉积装置包括可密封的沉积室；保持部，被配置为在沉积室中保持包括沉积表面的基板；供应机构，包括连接至供应气体的气体供应源的导入部，并且被配置为将导入导入部的气体从与沉积表面相对的位置处供应至沉积室；
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置和原子层沉积方法-CN202080060774.7有效
发明人：龟田直人;三浦敏德;花仓满 -专利权人：株式会社明电舍
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：在ALD装置(1)的腔室(2)中，位于面对成膜表面(10a)的位置处的喷头(4)设置有在沿着成膜表面的两个方向(也称为“两个成膜表面方向”)上以预定间隔交替布置以便面对成膜表面(10a)的原料气体喷射口(41)和OH*形成气体喷射口(42)。OH*形成气体喷射口(42)中的每个设置有通过其喷射臭氧气体的第一喷射口(42a)和通过其喷射不饱和烃气体的第二喷射口(42b)。通过从原料气体喷射口(41)中的每个喷射原料气体以及从OH*形成气体喷射口(42)中的每个的第一喷射口和第二喷射口(42a、42b)分别喷射臭氧气体和不饱和烃气体，同时使成膜物体(10)沿着成膜表面(10a)在两个成膜表面方向上移动，在成膜表面(10a)上形成氧化膜(11)。
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层刻蚀设备和原子层刻蚀方法-CN202010298307.X有效
发明人：牛晨;韦刚 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01J37/04 文献下载
摘要：本发明提供一种原子层刻蚀设备和原子层刻蚀方法，该设备包括反应腔室、设置在反应腔室顶部的上电极机构和设置在反应腔室中的基座，还包括中间电极机构，该中间电极机构包括电极板组件和与电极板组件电连接的中间射频电源本发明提供的原子层刻蚀设备，其不仅可以提高工艺均匀性，而且有助于实现活化气体和刻蚀气体的隔离。
原子刻蚀设备方法

[发明专利]原子层沉积装置及原子层沉积方法-CN200710112662.8无效
发明人：李名言;吴孝哲;蔡文立 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种原子层沉积装置及原子层沉积方法，原子层沉积装置包含具有多个次反应室的反应室、输送装置及多个晶片载台，所述次反应室配置于输送路径上，输送装置沿输送路径输送多个晶片载台，以使每一晶片载台依序与各次反应室相对配合形成密闭的反应环境其中，各次反应室中分别维持一合适反应的化学气氛状态，藉由使每一欲沉积的晶片依序通过各次反应室中相搭配的不同气氛来完成不同步骤的原子层沉积工艺。
原子沉积装置方法

[发明专利]原子层沉积装置及原子层沉积系统-CN201580010609.X有效
发明人：曹生贤 -专利权人： VNI斯陆深株式会社
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种原子层沉积装置及原子层沉积系统，在把多个矩形基板支撑于一个基板支撑部的状态下，借助相对于气体喷射部的相对旋转而在基板表面形成薄膜，从而能够减小装置的安装空间，显著提高生产速度；本发明提供一种原子层沉积装置
原子沉积装置系统

[发明专利]原子层沉积方法和原子层沉积设备-CN03823818.7无效
发明人：古尔特基·S·桑赫;特鲁格·特里·多恩 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2003-09-26 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子层沉积方法，包括将多个半导体晶片放置进原子层沉积室内。沉积前体被与容纳在沉积室中的各个晶片相关联的各个气体入口喷射出，以在容纳在沉积室中的晶片上形成相应的单层。原子层沉积设备包括低于大气压的装载室、低于大气压的传递室和多个原子层沉积室。还披露了其他的方面和实施方式。
原子沉积方法设备

[发明专利]原子层沉积-CN201380029364.6在审
发明人： G.阿马拉藤加;Y.乔伊;S.希瓦雷迪;N.布朗;C.科利斯 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：一种通过使用原子层沉积过程将材料沉积到基底上的方法，其中所述沉积过程包括第一沉积步骤、第一沉积步骤后的第二沉积步骤和在所述第一沉积步骤和第二沉积步骤之间的至少一分钟的延迟。
原子沉积

[发明专利]集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）-CN201610017911.4在审
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）-CN202011156060.4在审
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)-CN201810642746.0有效
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]原子层生长装置及原子层生长方法-CN201780035105.2有效
发明人：鹫尾圭亮;松本竜弥 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；能够上下移动的载物台(14)，其设置在成膜容器(11)内，并保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台(14)的上升停止，并通过与载物台
原子生长装置方法

[发明专利]原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置-CN202211341710.1有效
发明人：邵大立;齐彪;马敬忠 -专利权人：上海星原驰半导体有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积喷淋装置。一种原子层沉积喷淋装置，包括若干个第一导气柱阵列，每个第一导气柱阵列包括若干个第一导气柱；若干个第二导气柱阵列，每个第二导气柱阵列包括若干个第二导气柱；第一导气柱阵列和第二导气柱阵列间隔交替排布；冷却组件上述原子层沉积喷淋装置，既能避免化学反应前驱体在原子层沉积喷淋装置内发生热分解，又能避免化学反应前驱体在原子层沉积喷淋装置内发生冷凝。
原子沉积设备喷淋装置

[发明专利]原子层生长装置及原子层生长方法-CN201780035099.0有效
发明人：鹫尾圭亮;松本竜弥 -专利权人：株式会社日本制钢所
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；载物台(14)，其保持基板(100)并可上下移动；基座(50)，其被保持在载物台(14)上，并且保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台
原子生长装置方法

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