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[实用新型]半导体晶圆-CN201721029201.X有效
发明人： M·J·塞登;野间崇;斋藤和弘 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体晶圆。提供了一种半导体晶圆，该半导体晶圆包括围绕该半导体晶圆的周边的边缘支撑环和在该半导体晶圆的表面上在边缘支撑环内形成的导电层。本实用新型解决的一个技术问题是改善具有边缘支撑环的半导体晶圆的凸起。本实用新型实现的一个技术效果是提供改进的半导体晶圆。
半导体

[发明专利]半导体晶圆-CN201811352302.X在审
发明人：许耀文;高境鸿;王柏仁;蔡宗翰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种半导体晶圆和一种半导体晶圆制造方法。该晶圆包括支撑基材、半导体基材和接触层。支撑基材具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体基材设置在支撑基材的第一表面上，其中半导体基材是配置以形成多个元件。接触层设置在支撑基材的第二表面上以接触支撑基材，其中接触层是配置以接触静电吸盘，且接触层的电阻率小于支撑基材的电阻率。在半导体晶圆制造方法中，首先提供原始晶圆。随后，通过使用植入操作或沉积操作形成接触层。
支撑基材接触层半导体晶圆半导体基材第一表面第二表面电阻率晶圆静电吸盘植入沉积配置制造

[发明专利]半导体晶圆-CN201510150748.4有效
发明人：松本康伸;铃木正树;麻生诚;森田宏 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供将多品种拼版的半导体晶圆，并且提供能够容易识别相同芯片尺寸的不同品种的半导体晶圆。在半导体晶圆的外周形成有除外区域（7），其内侧被区分为品种不同的区域（A、B、C、D）。半导体芯片区域（A、B、C、D）以边界（22、23、24）分开，在边界（21、22、23、24）的两端附近配置有标记芯片（1、2、3、4）。
半导体

[实用新型]半导体晶圆-CN202220705854.X有效
发明人：郭茂峰;田文;陈浩;陈亚珍;沈铭;赵进超;李士涛 -专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：公开了一种半导体晶圆，包括：第一晶圆，第一晶圆包括依次层叠设置的外延层、第一欧姆接触层、反射镜层和第一键合层；第二晶圆，包括键合衬底以及位于键合衬底上的第二键合层；第一键合层和第二键合层彼此接触；第一键合层的尺寸小于第一晶圆的尺寸本申请调节第一键合层和第二键合层的尺寸小于第一晶圆、键合衬底的尺寸，在键合过程中避免低熔点金属向半导体晶圆的边缘四周溢出，改善半导体晶圆边缘的粘连现象，降低后续的剥离过程中出现碎片现象或者剥离困难的现象，提高半导体晶圆的工艺良率。
半导体

[发明专利]半导体晶圆-CN201980012502.7在审
发明人：山本大贵;池尻圭太郎 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-02-06 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：作为一个实施方式，提供一种半导体晶圆(1)，其具备：以Si作为主要成分的基板(10)，在基板(10)上形成的、以AlN层(11a)作为最下层的缓冲层(11)，以及在缓冲层11上形成的、包含Ga的氮化物半导体层
半导体

[发明专利]半导体晶圆-CN201880047476.7在审
发明人：须山本比吕;高桥宏典;中村共则 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种适于动作状态的检查的半导体晶圆。晶圆为具有多个芯片形成区域的半导体晶圆，且具备：形成于芯片形成区域内的内存单元，及形成于芯片形成区域外的检查用器件；检查用器件具有：光电二极管，其接收用于内存单元的动作确认的泵浦光的输入，并输出对应于该泵浦光的电信号
半导体

[发明专利]半导体晶圆-CN201880047460.6在审
发明人：须山本比吕;高桥宏典;中村共则 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种适于动作状态的检查的半导体晶圆。晶圆为具有多个芯片形成区域的半导体晶圆，且具备：形成于芯片形成区域内的内存单元；及形成于芯片形成区域内的检查用器件，且检查用器件具有：光电二极管，其接收用于内存单元的动作确认的泵浦光的输入，并输出对应于该泵浦光的电信号
半导体

[实用新型]半导体晶圆-CN202223200065.X有效
发明人：顾兴冲;何磊;高超 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：半导体晶圆包括N衬底、第一P基底、第二P基底、氧化物层和原硅酸四乙酯层。该第一P基底位于N衬底的第一侧上。第二P基底位于N衬底的第二侧上，该第二侧与第一侧相对。氧化物层位于邻近第一P基底。
半导体

[发明专利]半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法-CN201310258539.2在审
发明人：王万礼;邓小社;王根毅;黄璇 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种半导体晶圆背面工艺和功率器件的形成方法。其中，所述半导体晶圆背面工艺包括：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆的正面贴膜；利用物理机械磨削工艺对所述半导体晶圆的背面进行机械减薄；对进行过机械减薄的半导体晶圆进行浸泡式腐蚀。本发明提供的半导体晶圆背面工艺中，在对半导体晶圆进行的浸泡式腐蚀中，对所述半导体晶圆背面各处的腐蚀量都是一致的，膜的拉力引起的半导体晶圆的变化对被各处腐蚀量没有影响，能够保证腐蚀后半导体晶圆厚度的均匀性，同时释放应力，能够避免半导体晶圆在剥膜后不发生翘曲，避免半导体晶圆在后续流通中发生碎片，保证晶圆后续工艺的正常流通。
半导体背面工艺功率器件形成方法

[发明专利]用于晶圆接合的方法和化合物半导体晶圆-CN202210089630.5在审
发明人： S·汉普;M·豪博尔德;K·凯默;N·西森 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开涉及用于晶圆接合的方法和化合物半导体晶圆。例如，一种用于晶圆接合的方法，包括：提供包括第一主面的半导体晶圆；在半导体晶圆中制造至少一个半导体器件，其中半导体器件被布置在第一主面处；在半导体晶圆中生成沟槽和腔体，使得至少一个半导体器件仅通过至少一个连接柱连接到半导体晶圆的其余部分；将半导体晶圆布置在载体晶圆上，使得第一主面面对载体晶圆；将至少一个半导体器件附接到载体晶圆；以及通过断开至少一个连接柱将半导体器件从半导体晶圆移除。
用于接合方法化合物半导体

[发明专利]半导体晶圆及其整平方法和封装方法-CN201410854216.4在审
发明人：赵立新;蒋珂玮 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆及其整平方法和封装方法。其中，半导体晶圆的整平方法包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括形成有若干半导体芯片的功能面和与所述功能面相对的背面，所述半导体晶圆具有翘曲变形；之后在所述半导体晶圆的背面形成应力层，所述应力层对晶圆产生应力作用，从而可降低所述晶圆边缘与中心的高度差的绝对值，即减小半导体晶圆的翘曲度，提高半导体晶圆的平整度，进而可提高半导体晶圆的封装的效果以及半导体晶圆的切割效果，以提高切割半导体晶圆后形成的各芯片的良率。
半导体及其平方封装方法

[发明专利]半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法-CN201810309530.2在审
发明人：柳田正道;松浦伸悌 -专利权人：力祥半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法。半导体装置制造方法包括：准备半导体晶圆的预备步骤；去除半导体晶圆的厚度部分的去除步骤；以及分割半导体晶圆的分割步骤。在去除步骤中，以半导体晶圆的第二表面部分隆起的凸肋状部位作为对准标记，使得切割刀能与半导体晶圆对齐。本发明公开的半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法可简化处理与切割半导体晶圆的对准步骤。
半导体晶圆半导体装置去除制造第二表面对准标记简化处理预备步骤切割刀凸肋状对齐分割隆起切割对准

[发明专利]在半导体剥离工艺中装片的方法-CN201910767702.5在审
发明人：徐慧军;徐浩;徐成耀 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体剥离工艺中装片的方法，其包括如下步骤：提供一半导体晶圆；晶圆取放装置移动至所述半导体晶圆处，并推动所述半导体晶圆，其中，在所述晶圆取放装置接触所述半导体晶圆时，所述晶圆取放装置相对于所述半导体晶圆的速度为零，以避免所述半导体晶圆震动；所述晶圆取放装置带动所述半导体晶圆移动至预设位置。本发明的优点在于，不存在所述晶圆取放装置撞击所述半导体晶圆的情况，所述半导体晶圆不会由于与所述晶圆取放装置接触而发生震动，从而避免在形成的目标衬底的表面处产生缺陷；同时，也可防止半导体晶圆受到撞击而导致键合片分离及半导体晶圆边缘损伤的情况发生
半导体晶圆取放装置晶圆剥离工艺半导体震动边缘损伤预设位置表面处键合片移动衬底

[发明专利]半导体晶圆破裂的发生率降低方法-CN202110982250.X在审
发明人：藤濑淳;小野敏昭;多久岛武 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：提出晶圆制造工序或元件形成工序中降低半导体晶圆破裂的发生率的方法。是抑制半导体晶圆破裂的发生率的方法，其特征在于，在从半导体锭制造半导体晶圆而在被制造的半导体晶圆上形成半导体元件的工艺中，在第1工序和第2工序之间具备第3工序，在前述第1工序中，在上述半导体晶圆处会形成伤痕，在前述第2工序中，对经过该第1工序的半导体晶圆施加应力而半导体晶圆会破裂，在前述第3工序中，进行弯曲试验来判定半导体晶圆是否破裂，将未破裂的半导体晶圆向前述第2工序搬运，前述弯曲试验为，将与上述第2工序中对半导体晶圆施加的应力对应的应力对半导体晶圆施加
半导体破裂发生率降低方法

[发明专利]一种半导体晶圆的清洗方法-CN201710879304.3在审
发明人：江富杰;张飞凡 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的清洗方法，包括以下步骤提供半导体晶圆，半导体晶圆的正面涂布一层光刻胶；向半导体晶圆正面的光刻胶注入离子掺杂，以硬化该光刻胶；用浓氢氟酸溶剂刻蚀半导体晶圆背面的层次；去除半导体晶圆正面的光刻胶；旋转半导体晶圆并使兆声波发生器从半导体晶圆边缘向半导体晶圆中心运动并过半导体晶圆中心点，在兆声波发生器的运动过程中，改变兆声波发生器在半导体晶圆表面停留的时间；再向半导体晶圆的边缘表面喷涂去离子水和稀氢氟酸对所述半导体晶圆外表面进行清洗；对上述清洗的半导体晶圆进行吹干处理，吹干处理采用的气体为氮气，所述吹干处理采用的温度范围为45℃～65℃，所述吹干处理采用的时间范围为80s～160s。
一种半导体清洗方法

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