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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及使用其的便携式设备-CN201611127563.2有效
发明人： 柳田正道;小谷野雅史;松浦伸悌;新井宽己 -专利权人：力智电子股份有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种可实现封装尺寸小型化或薄型化，同时维持MOSFET特性，且可降低导通电阻值的半导体装置及使用其的便携式设备。半导体芯片10的栅极电极26及28被配置于封装2的长边方向(纸面X轴方向)的2个侧面2A及2B附近，而与栅极电极26及28倒装(flip‑chip)封装的栅极端子13及14沿封装2的长边方向延伸，且从2个侧面2A及2B往外部引出。通过此构造，可使半导体芯片尺寸相对于封装尺寸得以最大化，进而可使作为模块的元件特性为高性能化。
半导体装置使用便携式设备

[发明专利]半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法-CN201810309530.2在审
发明人： 柳田正道;松浦伸悌 -专利权人：力祥半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法。半导体装置制造方法包括：准备半导体晶圆的预备步骤；去除半导体晶圆的厚度部分的去除步骤；以及分割半导体晶圆的分割步骤。在去除步骤中，以半导体晶圆的第二表面部分隆起的凸肋状部位作为对准标记，使得切割刀能与半导体晶圆对齐。本发明公开的半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法可简化处理与切割半导体晶圆的对准步骤。
半导体晶圆半导体装置去除制造第二表面对准标记简化处理预备步骤切割刀凸肋状对齐分割隆起切割对准

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710088556.0无效
发明人： 柳田正道;龟山工次郎;冈田喜久雄 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体基板的纵向流过大电流的纵型MOS晶体管或IGBT等半导体装置中，为了使接通电阻变小，需要进行薄膜化。在这种情况下，伴随着热处理只能薄膜化到半导体基板不弯曲的范围，接通电阻的减小有限。在本发明中，在半导体基板(1)的背面侧形成沟孔等的开口部(11)。然后，与该开口部(11)的底部电连接而形成漏极(12)。在这种情况下，由于电流路径对应于开口部(11)的深度而变短，故容易实现低的接通电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200510125451.9无效
发明人： 柳田正道;万代忠男 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体装置，现有的单片双型MOSFET由于构成使漏极区域共通的两个MOSFET的芯片并列的结构，故漏极区域的电阻值高，装置的导通电阻的降低有限。本发明的半导体装置，将第一源极电极连接的第一MOS晶体管和第二源极电极连接的第二MOS晶体管在一个芯片上相邻交替地配置。在第一源极电极及第二源极电极上分别施加不同的电位，两MOS晶体管通过一个栅极端子进行开关控制。由于电流沿槽周围流动，故可降低导通电阻。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510098147.X无效
发明人： 柳田正道;久保博稔;东条润一郎;斋藤洋明;恩田全人 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，沟道层通过进行杂质的离子注入及扩散形成，在形成沟道层后，进行栅极氧化膜形成等高温的热处理工序，故产生了杂质浓度分布深，且由于硼的耗尽使杂质浓度分布产生偏差的问题。本发明中，在形成槽、栅极氧化膜及栅极电极后，通过进行加速电压不同的高加速离子注入，形成沟道层。沟道层是不进行基于热处理的扩散的杂质注入层，通过由高加速离子注入机进行多次的离子注入，可使槽深度方向的杂质浓度大致均匀。可降低对特性没有影响的第二区域，因此，得到所需最小限度的深度的沟道层。由此，可使槽较浅，谋求低电容化，可通过减薄外延层，实现低导通电阻化。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]绝缘栅型半导体装置及其制造方法-CN200510107043.0有效
发明人：久保博稔;东条润一郎;斋藤洋明;恩田全人;岩田哲;柳田正道 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法，为降低槽型MOSFET的电容，在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是，绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同，可抑止接缝的产生等，可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅，由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用，故可提供低电容的绝缘栅型器件。
绝缘半导体装置及其制造方法

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