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[发明专利]半导体晶圆加工用粘合片-CN201410222706.2在审
发明人：本田哲士;龟井胜利;盛田美希;高桥智一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆加工用粘合片，其在粘贴于半导体晶圆时、半导体晶圆加工时不会剥离，在加工后能够良好地剥离。本发明的半导体晶圆加工用粘合片对表面粗糙度Ra为0.1nm～1.0nm的半导体晶圆的粘合力在0.10N/20mm以上，对表面粗糙度Ra为13.0nm～16.0nm的半导体晶圆的粘合力在2.00N/20mm
半导体晶圆加工用粘合

[发明专利]半导体晶圆的洗净方法-CN201780012827.6在审
发明人：更级晋;高野智史 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体晶圆的洗净方法，使用含有SC‑2溶液的药液槽而洗净半导体晶圆，该洗净方法使用多个该药液槽，且在该多个药液槽所含有的SC‑2溶液之中，最后使用的药液槽所含有的SC‑2溶液中的HCl浓度为最低，而洗净该半导体晶圆。由此提供能于SC‑2洗净半导体晶圆时，不使半导体晶圆表面的金属杂质等级恶化，能提升微粒等级的半导体晶圆的洗净方法。
半导体晶圆洗净药液槽半导体晶圆表面方法使用金属杂质恶化

[发明专利]一种半导体晶圆的切割方法-CN202111590396.6在审
发明人：张俊群 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上；控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为450μm～500μm；采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成；去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。采用本发明的技术方案能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。
一种半导体切割方法

[发明专利]包括分叉存储器模块的高容量半导体器件-CN201910575708.2在审
发明人：杨旭一;马世能;张聪;邱进添 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明题为“包括分叉存储器模块的高容量半导体器件”。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括堆叠的集成存储器模块的晶圆。本发明技术的半导体器件可包括多个存储器阵列半导体晶圆和CMOS控制器晶圆，所述多个存储器阵列半导体晶圆和所述CMOS控制器晶圆一起作为单个集成闪存存储器半导体器件工作。在实施方案中，所述CMOS控制器晶圆可包括半导体管芯，所述半导体管芯包括与存储器阵列逻辑电路集成在一起的ASIC逻辑电路。
包括分叉存储器模块容量半导体器件

[发明专利]半导体结构的制造方法及晶圆承载装置-CN202310789467.8在审
发明人：陆洋;高宏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供的半导体结构的制造方法及晶圆承载装置中，半导体结构的制造方法通过在晶圆完成半导体工艺之后，在传回搬送腔之前，晶圆静电卡盘将执行完半导体工艺的晶圆以静电吸附方式固定在所述承载台的上表面，且晶圆静电卡盘上有残留电荷；在执行抽真空步骤同时晶圆升降机带动晶圆升起以使晶圆脱离所述承载台上表面以及使晶圆静电卡盘上的残留电荷与晶圆隔离，防止晶圆静电卡盘内的残留电荷转移到晶圆上。在完成半导体工艺后，抽真空步骤中增加一步晶圆升降机带动晶圆升起使晶圆与承载台上表面脱离，能够改善静电卡盘或阴极射线上有残留电荷转移到晶圆上的问题，进而解决了开机参数测试失效的问题，提升了半导体器件的良率
半导体结构制造方法承载装置

[发明专利]一种半导体晶圆的处理方法-CN201810009981.4在审
发明人：王献兵 -专利权人：苏州同冠微电子有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的处理方法，包括步骤：S101.在半导体晶圆的正面贴附UV膜；S102.对S101处理后的半导体晶圆的边缘进行修膜检验；S103.对S102处理后的半导体晶圆进行背面减薄；S104.对背面减薄后的半导体晶圆采用腐蚀液进行背面腐蚀；S105.用UV灯照射S104处理后的半导体晶圆，除去半导体晶圆正面贴附的UV膜；S106.对S105处理后的半导体晶圆背面蒸发金属化后检验。其有效克服了减薄后应力及损伤层的修复去除甚微或不彻底的问题，保证背面金属层与半导体晶圆之间的结合力，杜绝金属层掉落、翘曲现象的发生，保证产品的质量。
半导体晶圆背面减薄贴附背面半导体晶圆正面背面金属层蒸发金属腐蚀液结合力金属层损伤层掉落检验减薄翘曲去除保证腐蚀修复

[发明专利]热处理方法-CN202010639291.4在审
发明人：河原崎光;野崎仁秀 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：对半导体晶圆，通过卤素灯进行预加热后，通过来自闪光灯的闪光照射进行加热。即将进行闪光照射之前的半导体晶圆的温度由下部放射温度计测定。因为下部放射温度计对半导体晶圆的接收角为60°以上89°以下，所以无论成膜在半导体晶圆背面的膜的种类如何，下部放射温度计都能够准确地测定半导体晶圆的背面的温度。在闪光照射时，半导体晶圆的正面的上升温度由上部放射温度计测定。将通过下部放射温度计测定的半导体晶圆的背面温度与通过上部放射温度计测定的闪光照射时的半导体晶圆的正面的上升温度相加，而计算出半导体晶圆的正面温度。
热处理方法

[发明专利]用于在半导体晶圆的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置-CN201880079351.2有效
发明人： J·哈贝雷希特;R·施泰因;S·海因里希 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种用于在由单晶材料构成的半导体晶圆的正面上沉积外延层的方法，包括：提供半导体晶圆；将该半导体晶圆设置在基座上；借助于导向该半导体晶圆的正面和后面的热辐射将该半导体晶圆加热到沉积温度；在该半导体晶圆的正面上方引导沉积气体；和选择性地减小导向该半导体晶圆的后面的一部分热辐射的强度，其结果是在该半导体晶圆的边缘处的第一局部区域与相邻的第二局部区域相比，被更弱地加热，由于单晶材料的取向，在给定该半导体晶圆的均匀温度的情况下，
用于半导体面上沉积外延方法实施装置

[发明专利]晶圆级封装方法-CN201310675699.7在审
发明人：何作鹏;赵洪波;向阳辉;吴秉寰;陈怡骏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆级封装方法，包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括第一表面和第二表面，在所述半导体晶圆的第一表面形成凹槽；在所述半导体晶圆以及所述凹槽的底部和侧壁形成粘附辅助层；在所述粘附辅助层上形成隔绝层；沿着所述凹槽刻蚀所述隔绝层和粘附辅助层，去除所述凹槽底部的隔绝层和粘附辅助层，露出所述半导体晶圆；在所述隔绝层、所述凹槽的侧壁，以及所述凹槽底部裸露的半导体晶圆上形成金属互连线层；之后，在所述金属互连线层上形成焊盘、钝化层、焊球等结构，完成晶圆级封装。上述技术方案中，在半导体晶圆上形成一层粘附辅助层，之后，在于所述粘附辅助层上方形成所述隔绝层，从而有效提高所述隔绝层和半导体晶圆的结合强度。
晶圆级封装方法

[发明专利]一种半导体晶圆高效精度减薄方法-CN201710878968.8在审
发明人：周诗健;王海勇 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆高效精度减薄方法，包括以下步骤提供半导体晶圆，利用激光对晶圆边缘进行修整，去除圆角处部分材料形成弧线形倒角，该弧线形倒角底端距圆角弧顶的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角顶端距圆角结束端的距离为圆角倒角半径，该弧线形倒角所在圆圆心低于晶圆中心面；将涂覆液均匀涂覆在半导体晶圆正面以及边缘的倒角上，使涂覆液与半导体晶圆正面以及边缘的倒角紧密粘贴，在60℃温度下烘烤20min，涂覆液硬化形成覆盖层，对半导体晶圆上的芯片实现无缝隙保护；按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行粗磨；按现有的粗磨工艺对半导体晶圆进行精磨；用等离子水清洗去除裂化的覆盖层，即得减薄后的半导体晶圆。
一种半导体高效精度方法

[实用新型]一种半导体晶圆传送装置及其底座-CN201220617866.3有效
发明人：吴斌;胡彦杰;陈武伟 -专利权人：嘉盛半导体(苏州)有限公司
申请日： 2012-11-20 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体晶圆传送装置及其底座，包括用于盛放半导体晶圆的托盘，托盘包括中央承载部(15)、边缘承载部(13)和连接部(14)，托盘的外边缘设置有护栏(12)。该半导体晶圆传送装置，结构简单，易于制造，方便拿取，可充分保证晶圆在制造中的安全传送，传送方式灵活方便，可单片传送，也可多晶圆批量传送。当半导体晶圆传送装置放置在底座上时，底座上的支撑柱能够将半导体晶圆传送装置内的半导体晶圆顶出，方便拿取。
一种半导体传送装置及其底座

[发明专利]控制半导体晶圆在传输装置上定位停止的方法-CN202310057692.2有效
发明人：洪成都;任中辛 -专利权人：苏州桔云科技有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制半导体晶圆在传输装置上定位停止的方法，方法应用在传输半导体晶圆的传输装置中，传输装置包括驱动电机和该驱动电机同步控制的多个间隔分布的传输滚轮，方法包括：预先在所有传输滚轮形成的区域布设减速点、停止点和晶圆检测点，其中的减速点、停止点和晶圆检测点沿传输滚轮的正传输方向依次分布；在检测到半导体晶圆依次经过减速点、停止点和晶圆检测点后，触发驱动电机；在检测到半导体晶圆离开减速点后，控制驱动电机以同步驱动所有传输滚轮减速；在检测到半导体晶圆离开停止点后，控制驱动电机以同步驱动所有传输滚轮停止。本申请能够降低半导体晶圆在传输时停止定位异常的概率，确保半导体晶圆的定位稳定性。
控制半导体传输装置定位停止方法

[发明专利]一种半导体IC载板自动组合机的封装工具-CN202211696184.0有效
发明人：王松;徐娇凌;熊平;侯敏敏 -专利权人：方泰（广东）科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体IC载板自动组合机的封装工具，包括工作台、移动台、料盘和操作组件，所述工作台上开设有加工口，所述移动台用于承载半导体晶圆，移动台滑动安装于工作台的底部，所述料盘用于承载IC载板。本发明通过控制移动台移动，使移动台在半导体晶圆切割前处于第一位置，并在半导体晶圆切割后处于第二位置，移动台移动至第二位置后，半导体晶圆碎料从移动台上掉落，实现半导体晶圆碎料的统一收集；还设置有操作组件将切割后的半导体晶圆片从移动台移动至料盘上方，并将半导体晶圆片和IC载板键合，解决了现有技术中半导体晶圆封装时需要采用多种设备配合而导致的设备造价昂贵、半导体晶圆输送过程中精度较低的问题。
一种半导体 ic 自动组合封装工具

[发明专利]半导体晶圆输送器具-CN201380039787.6有效
发明人：六辻利彦;长田要 -专利权人：千住金属工业株式会社
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：如图1所示，能够在对半导体晶圆进行加热时实现对晶圆表面进行均匀加热的晶圆输送器具用于对规定大小的半导体晶圆进行保持且进行输送，该半导体晶圆输送器具包括：主体构件，其设有口径大于半导体晶圆的直径的开口部；支承构件，其至少为三个，具有规定的长度且具有与半导体晶圆的直径相对应地配置的多个销构件，而且，该支承构件朝向开口部的中心以直线状设于主体构件，该支承构件构成用于在自开口部的内缘部位突出的位置将半导体晶圆以同心圆状保持的保持机构
半导体输送器具

[发明专利]半导体结构和方法-CN201810722327.8在审
发明人：薛森鸿;陈步芳;王祥保 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-26 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：提供了一种用于为半导体晶圆提供支承的系统和方法。实施例包括从半导体晶锭分离半导体晶圆之前，在半导体晶锭形成期间引入空位增强原料。空位增强原料在半导体晶锭内以高密度形成空位，并且所述空位在诸如退火的高温度工艺期间在半导体晶圆内形成体微缺陷。这些体微缺陷有助于在后续工艺期间提供支承和增强半导体晶圆并且有助于减少或者消除可能出现的指纹覆盖。本发明还提供了半导体结构和方法。
空位半导体晶锭半导体晶圆半导体结构支承退火分离半导体后续工艺期间提供体微缺陷温度工艺微缺陷形成体晶圆指纹引入覆盖