“山本大贵”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]马达装置-CN202310094905.9在审
发明人：绪方直树;城雄太郎;山本大贵 -专利权人：株式会社美姿把
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02K5/16 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高轴承构件固定于壳体的强度、进而抑制减速机构的晃动的马达装置。本发明由于装配于壳体(41)且从轴方向支撑滚珠轴承(36)(外圈(36b))的轴方向另一侧的轴承支撑构件(37)包括从轴方向支撑滚珠轴承(36)(外圈(36b))的轴方向另一侧的整周的环状支撑部(37c)(环状平坦面(37d))，故而在横向力作用于旋转轴(34)的情况下，能够抑制滚珠轴承(36)相对于壳体(41)的倾斜。由此，能够提高滚珠轴承(36)固定于壳体(41)的强度，进而能够抑制减速机构(SD)的晃动。
马达装置

[发明专利]马达装置-CN202310104375.1在审
发明人：吉田靖;山本大贵;城雄太郎 -专利权人：株式会社美姿把
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02K5/24 文献下载
摘要：本发明提供一种使针对电噪声的对策更充分而能够进一步抑制对车载设备(车载音响等)造成的不良影响的马达装置。由于以覆盖壳体(41)的方式设置第一导电板(61)及第二导电板(62)，故而能够防止电噪声被放射至壳体(41)的外部，进而能够使针对电噪声的对策更充分。由此，能够进一步抑制对车载音响等车载设备造成的不良影响。而且，由于通过第一固定构件(42a)、第二固定构件(42b)将第一导电板(61)、第二导电板(62)分别电连接且集中固定，故而也能够提高天窗马达(20)的组装性。
马达装置

[发明专利]金属－树脂间润滑用润滑脂组合物-CN202210307852.X在审
发明人： 山本大贵;浅井佑介;纲基次郎 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C10M169/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属－树脂间润滑用润滑脂组合物。提供树脂－金属间的润滑性优异的润滑脂组合物、以及通过使用该润滑脂组合物来抑制摩擦/磨损、能实现产品的操作性提高和长寿命化的树脂滑动构件和树脂/金属间滑动构件。一种用于树脂制的滑动面的树脂润滑用润滑脂组合物G，含有：氟系基础油(40℃下的运动粘度为300mm2/s以上)和合成烃油作为基础油、氟系增稠剂和锂皂增稠剂或锂复合皂增稠剂作为增稠剂、氟系表面活性剂作为添加剂、以及极压添加剂，以及一种树脂滑动构件(滑动开关101)，其具有使用了该润滑脂组合物G的树脂制的滑动面。
金属树脂润滑润滑脂组合

[发明专利]电荷俘获评价方法以及半导体元件-CN201880054957.0有效
发明人：角岛邦之;星井拓也;若林整;筒井一生;岩井洋;山本大贵 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：作为一个实施方式，提供一种电荷俘获评价方法以及半导体元件，包括以下步骤：对具有HEMT结构的半导体元件(1)的源电极(15)及漏电极(16)与基板(10)之间施加符号与阈值电压的符号相同且大小为阈值电压的大小以上的初始化电压，从陷阱能级中逐出已被俘获的电荷，来将俘获状态初始化；以及在俘获状态的初始化后，对在源电极(15)与漏电极(16)之间流动的电流进行监视，并对电荷捕获、电流崩塌及电荷放出中的至少一个进行评价。
电荷俘获评价方法以及半导体元件

[发明专利]低发尘高速旋转用润滑脂组合物及封入有该润滑脂组合物的轴承-CN202080072273.0在审
发明人：浅井佑介;高田真太郎;山本大贵 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C10M169/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在转速超过30000rpm的超高速/高温环境下为低发尘/长寿命、且低温转矩低的润滑脂组合物，以及提供一种通过应用该润滑脂组合物能实现低发尘/长寿命、低的低温转矩的滚动轴承和具备该滚动轴承的马达。本发明的润滑脂组合物含有：作为基础油的氟油、酯油以及聚α－烯烃油；以及作为增稠剂的氟系增稠剂、脲系增稠剂以及钡复合皂增稠剂，其中，润滑脂组合物以特定比例含有这些各成分，本发明的滚动轴承是封入有所述润滑脂组合物的滚动轴承，本发明的马达是具备所述滚动轴承的马达。
低发尘高速旋转润滑脂组合封入轴承

[发明专利]插入结合结构、电气连接箱及线束-CN201911060262.6有效
发明人：富田景;山本大贵;酒井杰 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H02G3/08 文献下载
摘要：本发明抑制插入力过度变大并确保保持力。本发明的插入结合结构具备：基座部(24)，与结合部件(50)的厚度方向上的一侧的表面(51)接触；夹持部(30)，与结合部件(50)的另一侧的表面(52)对置；刚性支承部(35)，以沿着与结合部件(50)的厚度方向交叉的方向并且沿着将结合部件(50)插入的插入方向的方式肋状地设置于夹持部(30)，并且与结合部件(50)的另一侧的表面(52)对置；以及弹性支承部(40)，刚性低于刚性支承部(35)，并且以能够在结合部件(50)的厚度方向上弹性形变且沿着插入方向的方式肋状地设置在夹持部(30)，弹性支承部(40)与结合部件(50)的另一侧的表面(52)接触。
插入结合结构电气连接

[发明专利]接合器插接帽的容纳结构、电气连接箱以及线束-CN201911190629.6有效
发明人：富田景;山本大贵 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H02G3/16 文献下载
摘要：本发明能够确保容易进行组装作业。接合器插接帽的容纳结构具备：将多条电线(40)的导体部(41)彼此连接并盖上接合器插接帽(30)而成的多条电线束(45)、通过将多条电线束(45)所具有的多个接合器插接帽(30)一体地卷绕从而对多个接合器插接帽(30)进行捆束的捆束部件(50)以及插入有被捆束部件(50)捆束的状态下的多个接合器插接帽(30)并且将该多个接合器插接帽(30)一体地容纳的容纳部(20)。
接合插接容纳结构电气连接以及

[发明专利]半导体基板以及半导体基板的检查方法-CN201580059596.5有效
发明人：山田永;山本大贵;笠原健司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板以及半导体基板的检查方法，其中，在使用外延生长法在Si基板上形成III族氮化物半导体层的情况下，满足该III族氮化物半导体层要求的耐电压等特性，并且，在确保薄膜电阻等物性值的面内均匀性的同时翘曲量小。本发明提供一种半导体基板，其中，硅基板上的氮化物晶体层具有：反应抑制层，抑制硅原子与III族原子的反应；应力产生层，产生压缩应力；以及活性层，形成电子元件，反应抑制层、应力产生层以及活性层从硅基板侧起按反应抑制层、应力产生层、活性层的顺序配置，应力产生层具有：第1晶体层，块状晶体状态下的晶格常数为a1；以及第2晶体层，位于与所述第1晶体层的活性层侧相接的位置，且块状晶体状态下的晶格常数为a2(a1＜a2)。
半导体以及检查方法

[发明专利]半导体晶圆-CN201980012502.7在审
发明人： 山本大贵;池尻圭太郎 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2019-02-06 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：作为一个实施方式，提供一种半导体晶圆(1)，其具备：以Si作为主要成分的基板(10)，在基板(10)上形成的、以AlN层(11a)作为最下层的缓冲层(11)，以及在缓冲层11上形成的、包含Ga的氮化物半导体层12，AlN层(11a)的上表面的凹坑密度大于0且小于2.4×1010cm‑2。
半导体

[发明专利]电线固定结构、电气接线箱以及线束-CN201911030583.1在审
发明人：富田景;山本大贵 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H02G3/08 文献下载
摘要：本发明的课题是抑制电线的咬入问题。本发明的电线固定结构具有：通过将供电线(60)穿过的电线孔(30)分割而成的第1半孔部(31)和第2半孔部(35)；从电线孔(30)的轴心方向观察时的形状以沿着第1半孔部(31)的形状形成且从第1半孔部(31)沿着电线孔(30)的轴心方向延伸的电线固定部(40)；以及通过将电线(60)和电线固定部(40)一体地卷绕从而将电线(60)固定于电线固定部(40)的固定部件(50)，电线固定部(40)的在第1半孔部(31)的周向上形成的范围形成于第1半孔部(31)的周向上的电线固定部(40)的两端部(41)与第1半孔部(31)的周向上的两端部(32)分离的范围。
电线固定结构电气接线以及

[发明专利]层叠基板的测定方法、层叠基板及测定装置-CN201680019642.3有效
发明人： 山本大贵;山本武继;笠原健司 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明提供一种测定方法，所述方法对依次具有基底基板、吸收层及被测层的层叠基板进行测定，被测层具有单一或多层被测单层，所述方法具有下述步骤：通过从被测层所处的这侧照射包含波长短于界限波长的光的入射光、并测定反射光，从而取得界限波长以下的波长中的相互独立的2n(n为被测层中包含的被测单层的层数，为1以上的整数)个以上的反射光关联值的步骤，以及，使用2n个以上的反射光关联值，针对被测层中包含的各被测单层，计算与被测单层有关的值的步骤；作为界限波长，使用将吸收层的消光系数k以波长λ(单位为nm)的函数k(λ)的形式表示时的一次微分dk(λ)/dλ的绝对值成为消光微分界限值以下的波长范围内的最大波长。
层叠测定方法装置

[发明专利]半导体层的电性缺陷浓度评价方法以及半导体元件-CN201880054972.5在审
发明人：角岛邦之;星井拓也;若林整;筒井一生;岩井洋;山本大贵 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：作为一个实施方式，提供一种半导体层的电性缺陷浓度评价方法，包括以下步骤：对包括作为半导体层的GaN层(12)的半导体元件(1)施加电压并测定电流；以及使用测定出的电流的值来导出GaN层(12)中的电性缺陷浓度。
半导体缺陷浓度评价方法以及元件

[发明专利]树脂润滑用润滑脂组合物和树脂滑动部件-CN201910505184.X在审
发明人：浅井佑介;山本大贵;北岛啄也;纲基次郎 -专利权人：美蓓亚三美株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C10M169/00 文献下载
摘要：本发明提供对树脂滑动面的附着性和润滑特性优异的润滑脂组合物、以及使用该润滑脂组合物而抑制了摩擦·磨损、实现长寿命化的树脂滑动部件。一种树脂润滑用润滑脂组合物(G)以及具有使用了该润滑脂组合物(G)的树脂制的滑动面的树脂滑动部件(滑动开关101)，该树脂润滑用润滑脂组合物(G)含有作为基础油的氟系基础油和合成烃油、作为增稠剂的氟系增稠剂和锂皂增稠剂或锂复合皂增稠剂、作为添加剂的极压添加剂。
润滑脂组合物增稠剂树脂滑动部件树脂润滑滑动基础油氟系极压添加剂锂皂增稠剂合成烃油滑动开关润滑特性锂复合皂长寿命附着性树脂制树脂磨损添加剂摩擦

[发明专利]半导体衬底及电子器件-CN201780080522.9在审
发明人： 山本大贵;长田刚规 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明提供半导体衬底，其具有衬底、由第III族氮化物的单一或多个结晶层形成的氮化物结晶层、和盖帽层，前述衬底、前述氮化物结晶层及前述盖帽层按照前述衬底、前述氮化物结晶层、前述盖帽层的位置顺序设置，前述盖帽层为具有结晶性的氮化硅层，并且具有5nm以上的厚度。另外，提供半导体衬底，其中，前述氮化物结晶层的与前述盖帽层接触的层及其附近的层作为场效应晶体管的活性层发挥功能，前述盖帽层为具有结晶性的氮化硅层，并且具有将前述场效应晶体管的栅极包埋的厚度以上的厚度。
盖帽层衬底氮化物结晶半导体场效应晶体管氮化硅层结晶性第III族氮化物电子器件顺序设置活性层结晶层包埋

[发明专利]半导体衬底-CN201780073869.0在审
发明人： 山本大贵;长田刚规 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供半导体衬底，其具有缓冲层，所述缓冲层具有将由Al_xGa_1‑xN形成的第一晶体层及由Al_yGa_1‑yN形成的第二晶体层重复层叠而成的层叠结构，对缓冲层的截面在包含单一的第一晶体层的观察区域中进行TEM观察时，以深度D作为变量的HAADF‑STEM强度I(D)于深度Dmin处显示极小值Imin，于深度Dmax(Dmax＞Dmin)处显示极大值Imax，在位于比Dmin浅的位置的单调递减区域中I(D)从Imax与Imin的中间值Imid到Imin为止的深度方向距离DD1、与在位于比Dmin深的位置的单调递增区域中I(D)从Imin到Imax为止的深度方向距离DD2满足DD1≤0.3×DD2的条件。
缓冲层晶体层深度方向距离半导体层叠结构衬底提供单调递减单调递增观察区域衬底重复

1
2
下一页»
尾页
共 17 条