专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]对准标记-CN202010686298.1在审
  • 冯耀斌;陆聪 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2020-07-16 - 2020-10-13 - G03F9/00
  • 本发明提供一种对准标记,包括至少一个对准标记单元,每个对准标记单元包括沿第一方向设置的多个对准分割段,每个对准分割段被设置为第一图形结构或第二图形结构,并且所述第一图形结构与所述第二图形结构为凹槽结构和凸起结构中的一者所述多个对准分割段可响应入射光线而产生多个不同级次衍射光,且第0级衍射光的强度不大于10,第3级衍射光的强度不小于50。
  • 对准标记
  • [实用新型]对准标记-CN201420148077.9有效
  • 王娉婷;奚民伟 - 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2014-03-28 - 2014-08-13 - H01L23/544
  • 本实用新型揭示了一种对准标记,用于背照式影像传感器制作过程中的对准,所述对准标记设置于晶圆正面,包括一对第一标记,分别位于以晶圆缺口所在直径的两侧的一个区域中,所述区域中心连线经过晶圆中心,并与所述直径呈55°夹角,所述区域靠近晶圆边缘,为沿连线方向长度小于等于11mm,垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形,位于所述直径左侧的区域到缺口的距离小于位于右侧的区域到缺口的距离;所述第一标记包括多个第二标记。本实用新型的对准标记能够避免占据额外的单元(shot),从而避免了对良率的影响,此外,由于不需要涉及特殊标记,简化了制作流程,提高了生产效率。
  • 对准标记
  • [实用新型]对准标记-CN201920252479.6有效
  • 曹盛宗 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-02-28 - 2019-11-15 - H01L23/544
  • 一种对准标记,包括:基底;位于基底上的对准标记,所述对准标记存在损坏处;修补层,对所述对准标记的损坏处进行修补,将存在修补层的对准标记作为新的对准标记。修补后的对准标记不存在缺陷或者即使存在缺陷,该缺陷已经不足以影响对准,因而将修补后的对准标记作为新的对准标记进行对准时,使得对准过程可以顺利进行,同时保证对准的精度。
  • 对准标记修补对准修补层基底保证
  • [发明专利]对准标记对准标记的检测方法和对准标记检测装置-CN201410025187.0有效
  • 岳力挽;伍强 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-01-20 - 2017-11-03 - H01L23/544
  • 本发明提供了一种对准标记对准标记的检测方法和对准标记检测装置,其中,所述对准标记的检测方法包括提供晶圆,所述晶圆上具有第一标记图形和第二标记图形,其中,所述第一标记图形包括沿第一方向平行分布的多个条状图形,所述第二标记图形包括沿第二方向平行分布的多个条状图形,所述第二方向垂直于所述第一方向;检测所述第一标记图形和所述第二标记图形,分别获得与所述第一标记图形和所述第二标记图形对应的第一电学信号和第二电学信号;根据所述第一电学信号和所述第二电学信号获得所述第一标记图形和所述第二标记图形的位置信息。本发明对准标记的检测方法的效率高。
  • 对准标记检测方法装置
  • [发明专利]光刻标记对准标记对准方法-CN202010832174.X有效
  • 童立峰;李铭;陈继华 - 上海华力微电子有限公司
  • 2020-08-18 - 2022-11-04 - G03F9/00
  • 本发明提供一种光刻标记对准标记以及对准方法。所述光刻标记包括:遮光结构和感光结构。所述遮光结构上设有多个盲孔,所述感光结构填充于多个所述盲孔内并且能够在一定光照下消失。基于同一发明构思,本发明还提供一种对准标记,包括第一对准标记和第二对准标记,所述第二对准标记包括至少一个所述光刻标记。当机台提供的光束照射于所述第二对准标记上,所述感光结构消失,则所述盲孔暴露。因盲孔的底面低于所述遮光结构的表面以满足机台的测量范围,从而使得在保障所述光刻标记厚度的同时,能够通过所述盲孔精准测得所述第二对准标记相对于所述第一对准标记的偏移量,进而能够实现各衬底层之间的位置对准
  • 光刻标记对准方法
  • [发明专利]对准标记图像制作方法、对准标记测量方法及测量装置-CN201911380080.7有效
  • 陈跃飞;徐兵 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2019-12-27 - 2022-08-19 - G01B11/24
  • 本发明提供了一种对准标记图像制作方法、对准标记测量方法及测量装置,其中,对准标记图像制作方法中首先获取包含目标对准标记的图像,然后截取包含目标对准标记的目标区域,生成子图,并计算目标对准标记的尺寸,最后绘制对准标记图像对准标记测量方法中首先采用如上所述的对准标记图像制作方法,基于金属掩模上的一目标对准标记制作对准标记图像,并获取金属掩模的图像,然后将金属掩模的图像与对准标记图像进行比对,筛选出所有与目标对准标记相匹配的对准标记,最后计算各个对准标记的位置。本发明中的对准标记测量方法通过在线制作对准标记图像,提高了测量结果的可信度,缩短了测量时间,而且扩大了测量装置的适用范围。
  • 对准标记图像制作方法测量方法测量装置
  • [实用新型]一种光刻对准标记和包括其的半导体结构-CN202122468558.0有效
  • 郭艳华;方宇;余坚;周源;侯振威 - 北京燕东微电子科技有限公司
  • 2021-10-13 - 2022-05-31 - H01L23/544
  • 本申请公开一种光刻对准标记和包括其的半导体结构。该对准标记包括:粗对准标记区和精对准标记区,形成在衬底上的第一结构层中,其中粗对准标记区包括阵列排布的粗对准标记,精对准标记区包括阵列排布的精对准标记,并且其中粗对准标记和精对准标记分别包括明场对准标记和/或暗场对准标记,明场对准标记在平行于衬底的平面上的尺寸大于覆盖第一结构层的第二结构层的厚度,暗场对准标记在平行于衬底的平面上的尺寸被配置为使得相邻暗场对准标记之间的区域在平行于衬底的平面上的尺寸大于第二结构层的厚度根据待形成的第二结构层的厚度,设置明场对准标记和/或暗场对准标记的尺寸,从而使得光刻机能够识别到有效图形并进行高精度的对准曝光。
  • 一种光刻对准标记包括半导体结构
  • [发明专利]重叠对准标记和具有该重叠对准标记的基片-CN201410100759.7有效
  • 李天慧 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-03-18 - 2018-03-23 - H01L23/544
  • 本申请提供了一种重叠对准标记和具有该重叠对准标记的基片。重叠对准标记设置于基片上,基片包括基础层和设置于基础层上的多个片层,重叠对准标记包括基础层对准标记,基础层对准标记设置于基础层的标记区域上;片层对准标记,各片层对准标记设置于相应的片层上,其中,设置有片层对准标记的各片层中至少两个片层通过相应的片层对准标记和同一个基础层对准标记之间的位置关系实现与基础层的对准在本申请的重叠对准标记布置方式下,更多的标记区域如划线槽的区域被释放出来,节约了重叠对准标记占用的标记区域。
  • 重叠对准标记具有
  • [发明专利]一种晶圆键合动态标定方法及装置-CN202210055323.5在审
  • 赵雄峰;张豹 - 北京华卓精科科技股份有限公司
  • 2022-01-18 - 2022-06-03 - H01L21/68
  • 本发明公开一种晶圆键合动态标定方法及装置,方法包括:传送晶圆至对应的晶圆载片装置上,获取晶圆信息,晶圆信息包括晶圆坐标系下的对准标记位置;判断对准标记识别装置、标定标记的位置是否都与对应晶圆的对准标记位置对齐,如果不对齐则分别控制对准标记识别装置和标定标记移动到都与对应晶圆的对准标记对齐,然后分别通过标定标记来标定对准标记识别装置的偏差量;对准标记识别装置分别识别晶圆的对准标记获得对准标记的偏差量,综合对准标记识别装置的偏差量,以及对准标记的偏差量来控制晶圆移动,使得一对晶圆的对准标记对准。本发明提前将标定标记对准标记识别装置同步移动到对准标记相同的位置,可以大大降低对准误差,从而提高晶圆键合精度。
  • 一种晶圆键合动态标定方法装置
  • [发明专利]对准标记及掩膜版-CN201610012639.0在审
  • 李冲;丰亚洁;何艳;吕本顺;郭霞 - 北京工业大学
  • 2016-01-09 - 2016-04-06 - G03F1/42
  • 本发明涉及一种对准标记和掩膜版,其中对准标记包括基准标记单元和对准标记单元,基准标记单元包括角度基准标记单元、纵向基准标记单元和横向基准标记单元,该对准标记单元包括角度对准标记单元、纵向对准标记单元和横向对准标记单元,其中,该角度基准标记单元为十字形状,该角度对准标记单元包括4个角度对准标记元素,该4个角度对准标记元素分别与角度基准标记的4个直角接近配合,用以在旋转角度参量上精确对准。本发明适用于微电子流程中任意图形的套刻工艺中,可以将套刻的掩膜版与待加工的样品精确对准,具有广泛的实用意义。
  • 对准标记掩膜版
  • [发明专利]对准衬底的方法-CN201010259592.0有效
  • 吴昇勋;卢成和;朴岘克;安致弘 - AP系统股份有限公司
  • 2010-08-19 - 2011-03-30 - H01L21/68
  • 提供一种衬底对准方法。所述方法包含将衬底安置在衬底对准设备上;确定是否识别出衬底的对准标记;以及在识别出所有对准标记的位置的条件下,基于识别出的对准对准衬底,在未识别出一半以上的对准标记的位置的条件下,产生对准出错信号,或在识别出至少一半的对准标记的位置的条件下,基于识别出的对准标记的位置来确定未识别出的对准标记的位置,且使用未识别出的对准标记的经确定的位置和识别出的对准标记的位置来对准衬底。通过预测未识别出的对准标记的位置,即使未识别出对准标记中的一些,仍可迅速地确认对所述对准标记的识别,且可有效地对准衬底。
  • 对准衬底方法

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