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[发明专利]一种利用氮化硼钝化增强二维半导体光致发光强度的方法-CN202211353127.2在审
发明人：袁永刚 -专利权人：德阳红外科技创新中心有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，尤其涉及一种利用氮化硼钝化增强二维半导体光致发光强度的方法。在本发明的方案中，采用了机械剥离法制备二维半导体层和钝化层，并且采用氮化硼作为钝化层，将氮化硼用作二维半导体层的钝化层。利用表面平滑且无悬挂键的氮化硼作为二维半导体的钝化层，减少了二维半导体的表面缺陷，提高了二维半导体中载流子辐射复合效率，最终提高了二维半导体的光致发光强度。
一种利用氮化钝化增强二维半导体光致发光强度方法

[发明专利]半导体器件的数据存储方法和数据追查方法、电子设备-CN202310748730.9在审
发明人：王统;黄清华 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的数据存储方法和数据追查方法、电子设备，涉及数据追查技术领域，用于目前对半导体器件的数据追查存在数据追查精准度低的问题。其中，半导体器件的表面具有半导体器件的批次信息。该数据追查方法包括：获取半导体器件的批次信息。获取与半导体器件的批次信息对应的芯片的批次信息、以及半导体器件中至少一个芯片的标识信息。基于芯片的批次信息和至少一个芯片的标识信息，确定半导体器件中至少一个芯片的第一级测试数据。
半导体器件数据存储方法追查电子设备

[发明专利]一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置-CN201410038081.4有效
发明人：黄河;葛洪涛;李海艇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过增加去除虚拟连接件以及在虚拟连接件原来的位置形成介电填充的步骤，可以提高形成的电感的品质因数，进而可以提高整个半导体器件的性能。本发明的半导体器件，由于在电感的下方的不存在位于金属间介电层内的虚拟互连件，因此可以提高电感的品质因数，进而可以提高整个半导体器件的性能。本发明的电子装置，使用了上述半导体器件，因而同样具有上述优点。
一种半导体器件制造方法电子装置

[实用新型]半导体元件-CN201220469027.1有效
发明人：韩福彬 -专利权人：杰群电子科技（东莞）有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体电子元器件技术领域，特别涉及一种半导体元件；其结构包括引线框架、半导体芯片和封装外壳，所述半导体芯片装载在所述引线框架，所述半导体芯片封装在所述封装外壳内，所述半导体芯片与所述引线框架的引脚通过导线连接，所述引脚设置为焊盘，且设置于所述封装外壳底面；本实用新型缩小了半导体元件的体积，减少了半导体元件在PCB板上需要的布局空间，布局紧凑，减少了材料的使用量，降低成本，同时，缩短引脚的长度，降低通电状态的电阻
半导体元件

[实用新型]一种PIN结构核电池-CN202022442243.4有效
发明人：张玲玲 -专利权人：无锡华普微电子有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种PIN结构核电池，包括半导体材料衬底，所述半导体材料衬底的上部由下而上依次形成P型半导体层、阳极金属层、放射性同位素层；所述半导体材料衬底的下部形成沟槽结构，所述沟槽结构的上面形成N型半导体层，所述沟槽结构的下面形成阴极金属层；其中，所述N型半导体层位于所述半导体材料衬底下方。
一种 pin 结构核电

[实用新型]半导体元件的测试组件-CN202223168946.8有效
发明人：韩世杰;沈超 -专利权人：杭州长川科技股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本申请涉及半导体测试技术领域，提供一种半导体元件的测试组件。该半导体元件的测试组件包括测试基座、支撑基板和半导体元件；测试基座构造有贯通的测试腔；支撑基板连接于测试基座并位于测试腔的一腔口处，且支撑基板构造有导引部；半导体元件容设于测试腔中，半导体元件的一侧具有若干间隔布置的测试端子本申请提供的半导体元件的测试组件，提高了半导体元件上测试端子与检测端子之间的对准精度，保证较高的检测效果。
半导体元件测试组件

[发明专利]一种制备有机大面积单晶阵列的方法-CN202310249979.5在审
发明人：胡智敏;屈芙蓉;夏洋;权业浩;王欣;李楠;卢维尔;张凌云;赵丽莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备有机大面积单晶阵列的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供预处理完成的硅柱，其中，硅柱上具有预设形貌；在硅柱的第一面上滴涂有机半导体溶液；将衬底倒置于硅柱的第一面上，并向第一面施加预设压力，在真空环境内进行加热，获得制备完成的有机半导体单晶阵列。本发明解决了现有技术中有机半导体单晶阵列制备质量较低的技术问题，达到了提升有机半导体大面积单晶阵列制备质量的技术效果。
一种制备有机大面积阵列方法

[实用新型]一种免疫生物传感器-CN202121331395.5有效
发明人：吉鹏勃;张素英 -专利权人：西安柯莱特信息科技有限公司;山东第一医科大学（山东省医学科学院）
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：本实用新型涉及生物传感器技术领域，具体提供了一种免疫生物传感器，包括：基底、半导体层、带电荷薄膜部、第一电极、第二电极，半导体层置于基底上，带电荷薄膜部置于半导体层上，第一电极和第二电极置于半导体层上带电荷薄膜部的两侧，带电荷薄膜部不与第一电极、第二电极接触；应用时，带电荷薄膜部吸附被检测体，释放热量，改变所述半导体层的导电特性，通过测量所述半导体层导电特性的变化实现生物探测。由于带电荷薄膜部吸附不同的病毒时，均能产生热量，所以本实用新型具有较弱的针对性，能够对不同的病毒实现探测，这有利于本实用新型在病毒检测技术领域的推广应用。
一种免疫生物传感器

[发明专利]半导体结构及其制作方法、电容检测方法-CN201911207315.2在审
发明人：肖瑟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构及其制作方法、电容检测方法，该半导体结构包括：深掺杂阱，与半导体衬底具有不同的掺杂类型，且包裹于半导体衬底内，以使深掺杂阱在堆叠方向上的两相对侧面分别与半导体衬底形成PN结；环形掺杂部，且形成于半导体衬底内；栅极绝缘层，设置于半导体衬底上；栅极，设置于栅极绝缘层背离半导体衬底的一侧，且栅极在半导体衬底上的正投影位于深掺杂阱以外；介电层，设置于半导体衬底上；第一探针垫，设置于介电层背离半导体衬底的一侧，第一探针垫在半导体衬底上的的正投影位于深掺杂阱内；导线，连接于第一探针垫与栅极之间。该半导体结构可以被准确、方便的测量栅极与半导体衬底之间的电容。
半导体结构及其制作方法电容检测方法

[发明专利]混合式垂直功率器件、制备方法及电子设备-CN202210286889.9在审
发明人：曾健忠 -专利权人：天狼芯半导体（成都）有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种混合式垂直功率器件、制备方法及电子设备，混合式垂直功率器件包括漂移层、第一半导体区、第一隔离区、第二半导体区、第一掺杂半导体柱、第二掺杂半导体柱、功函数金属、介电层、第三半导体区、第四半导体区，其中，第一半导体区、第一隔离区、第二半导体区依序形成于漂移层的下表面，介电层的上表面形成第三半导体区和第四半导体区，第三半导体区通过第一掺杂半导体柱与第一漂移区连接，第四半导体区通过第二掺杂半导体柱与第二漂移区连接
混合式垂直功率器件制备方法电子设备

[发明专利]半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法-CN202310524359.8在审
发明人：孙鹏;张良;张景;赵泽 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池的制备技术领域，具体提供一种半导体衬底层的形成方法和异质结电池的制备方法。半导体衬底层的形成方法，包括：提供初始半导体衬底层；在初始半导体衬底层的至少一侧表面形成缓冲半导体层，所述缓冲半导体层呈非晶态；形成缓冲半导体层之后，进行扩散退火处理，以在缓冲半导体层由非晶态逐渐转化为晶态的过程中使得部分厚度的缓冲半导体层中形成掺杂层；在进行扩散退火处理的过程中，还形成位于掺杂层背离所述缓冲半导体层的一侧表面的氧化层；去除氧化层以及去除掺杂层，初始半导体衬底层、剩余的缓冲半导体层共同形成半导体衬底层。本发明提供的半导体衬底层的形成方法可以提高对半导体衬底层的吸杂能力。
半导体衬底形成方法异质结电池制备

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211379293.X在审
发明人：蔡吉明;曾明俊;黄少华;彭康伟;林素慧;龙思怡;王鸿伟;张中英 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层具有台面、相对的下表面和上表面，半导体叠层包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层位于第一半导体层和第二半导体层之间，台面是指第一半导体层的未被发光层覆盖的表面，第一半导体层在台面处具有贯通部，贯通部自第一半导体层的上表面贯穿至第一半导体层的下表面，第一电极至少设置在贯通部内以电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层借此，通过贯通部的设置，使得通过第一电极注入的电流能够从第一半导体层的侧壁注入，进而降低操作电压。
发光二极管发光装置

[发明专利]半导体发光元件和发光装置-CN202180003206.8在审
发明人：王瑜;蓝永凌;马明彬;唐超;周宏敏;董金矿;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件和发光装置，包括半导体叠层，该半导体叠层包括：第一半导体层，具有n型掺杂；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，具有p型掺杂，所述第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面和远离第一半导体层的第二表面；有源层，位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，所述有源层包括靠近第一半导体层的第三表面和靠近第二半导体层的第四表面；其特征在于：该半导体叠层还包括氢杂质，该氢杂质的浓度至少包括靠近有源层的第一峰值和远离有源层的第二峰值
半导体发光元件装置

[实用新型]半导体结构-CN201922132369.9有效
发明人：肖瑟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：深掺杂阱，与半导体衬底具有不同的掺杂类型，且包裹于半导体衬底内，以使深掺杂阱在堆叠方向上的两相对侧面分别与半导体衬底形成PN结；环形掺杂部，且形成于半导体衬底内；栅极绝缘层，设置于半导体衬底上；栅极，设置于栅极绝缘层背离半导体衬底的一侧，且栅极在半导体衬底上的正投影位于深掺杂阱以外；介电层，设置于半导体衬底上；第一探针垫，设置于介电层背离半导体衬底的一侧，第一探针垫在半导体衬底上的的正投影位于深掺杂阱内；导线，连接于第一探针垫与栅极之间。该半导体结构可以被准确、方便的测量栅极与半导体衬底之间的电容。
半导体结构

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201410163805.8有效
发明人：于书坤;韦庆松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件的制造方法，进行应力临近技术处理的步骤之前，包括去除一定厚度的大栅极硬掩膜的步骤。该方法通过在进行应力临近技术处理的步骤之前增加去除一定厚度的大栅极硬掩膜的步骤，可以提高金属栅极的高度和均一度，最终提高半导体器件的性能和良率。
一种半导体器件制造方法