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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711352376.9有效
发明人：张乃千;宋晰;顾庆钊;吴星星 -专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、半导体层、介质层、源极、栅极和漏极。其中，所述栅极在靠近所述半导体层的一侧具有第一弧形面。所述介质层上开设有与所述栅极对应的栅槽，所述栅极的材料填充于该栅槽，所述栅槽与所述栅极接触的侧面的至少一部分为第二弧形面，该第二弧形面从介质层远离半导体层的表面往半导体层方向延伸。本发明实施例中通过这样半导体器件结构，可以使得半导体器件的电势梯度变得更加平缓。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种半导体器件-CN201921077722.1有效
发明人：夏黎明;曹志强 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件。该半导体器件包括半导体基体、设置在所述半导体基体下表面的负极金属膜以及设置在所述半导体基体上表面的正极金属电极，所述正极金属电极包括从上到下依次设置的第一Au金属层、第一Pt金属层和第一Ti金属层，所述负极金属膜包括从下至上依次设置的第二本实用新型提供的半导体器件，能够有效增加金属与半导体基体的接触性能，降低串阻，进而提高半导体器件的整体工作性能。
金属层半导体基体半导体器件本实用新型负极依次设置正极金属金属膜电极半导体技术领域整体工作性能从上到下接触性能上表面下表面金属

[发明专利]一种半导体基材的表面处理方法-CN201810249734.1在审
发明人：郎鑫涛 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体基材的表面处理方法，首先采用超声波对半导体基材进行预清洗，以清除半导体基材表面的污迹，然后采用离子束刻蚀预清洗后的半导体基材，以提高半导体基材表面的清洁度，再采用磁控溅射在刻蚀后的半导体基材上沉积硅过渡层，以提高后续工序中类金刚石膜与半导体基材之间的结合性能，接着在沉积硅过渡层后的半导体基材上沉积类金刚石膜，以获得均匀致密的覆盖层，最后在沉积类金刚石膜后的半导体基材上掺杂氟，以提高半导体基材的疏水疏油性，从而避免水汽、液体、油污等积聚在半导体基材的表面，从而改善半导体的性能。
半导体基材沉积类金刚石膜半导体基材表面硅过渡层预清洗半导体技术领域清洁度离子束刻蚀磁控溅射后续工序结合性能均匀致密污迹超声波覆盖层疏油性水汽刻蚀疏水油污半导体掺杂积聚

[发明专利]一种半导体铝板加工工艺-CN202211605526.3在审
发明人：华巍;张峰 -专利权人：深圳市华航铝业航材有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B05D7/14 文献下载
摘要：本发明涉及半导体铝技术领域，将半导体基板固定在工作台上后，通过对半导体基板底部吹气，将半导体基板吹平，通过将半导体基板加入到清洗液中清洗，清洗完成后，将半导体基板放在烘箱中进行加热干燥处，干燥后，且公开了半导体铝板加工工艺，通过分布均匀的惰性气流将半导体基板进行吹平，然后清洗液将半导体基板进行清洗，然后半导体基板放置于烘箱内部加热吹三十分钟烘干，然后将半导体基板顶部涂覆聚酰亚胺，对半导体基板进行应力调整，防止半导体基板再次发生翘曲
一种半导体加工工艺

[实用新型]一种半导体制冷器及带有温度探头的半导体制冷器-CN202122827407.X有效
发明人：谢晋毅;陈玉成;曾广锋;高涛 -专利权人：东莞先导先进科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体制冷器，旨在保证温度探头的检测精度，其技术方案：一种半导体制冷器，包括本体，所述本体的表面设有第一金属图案、第二金属图案，外设温度探头、与本体进行热交换的外设器件分设在所述第一金属图案、第二金属图案上；还提出一种带有温度探头的半导体制冷器，属于半导体制冷技术领域。
一种半导体制冷带有温度探头

[发明专利]主振光放大器-CN200410006180.0无效
发明人：薄报学;高欣;李辉;张晶;刘国军;姜会林 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2004-03-05 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：主振光放大器属于半导体光电子技术领域。该领域已知技术要么器件结构复杂、工艺难度大，要么器件的光束质量差、输出功率低。本发明之主振光放大器由半环形腔激光器主振光源通过耦合波导与锥形半导体光放大器单片集成而成。可应用于大功率、近衍射极限半导体激光光源领域。
主振光放大器

[实用新型]一种快速点胶封装的半导体封装装置-CN202320779174.7有效
发明人：林河北;詹骐泽;张传发;孟凡宇;伯纯宇 -专利权人：东莞市金誉半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B05C13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速点胶封装的半导体封装装置，涉及半导体封装装置技术领域，该半导体封装装置旨在解决现有技术下半导体封装装置不能快速调节移动点胶的技术问题，该半导体封装装置包括装置工作台、安装在装置工作台下端的半导体控制调节运输组件、连接于半导体控制调节运输组件的调节卡紧放置组件；装置工作台上侧设置有快速调节移动点胶封装组件，半导体控制调节运输组件内部包括有下端控制箱体，下端控制箱体外侧安装有第一驱动电机，第一驱动电机的输出端设置有第一调节丝杆，该半导体封装装置通过调节卡紧放置组件可以对半导体零件起到固定卡紧运输的效果，利用快速调节移动点胶封装组件能够起到快速调节移动点胶的效果。
一种快速封装半导体装置

[发明专利]一种检测半导体晶圆钝化层上针孔缺陷的方法-CN202010140845.6在审
发明人：张南;华佑南;李晓旻 -专利权人：胜科纳米（苏州）有限公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种检测半导体晶圆钝化层上针孔缺陷的方法，通过对所述晶圆的钝化层渗透荧光分子来检测。本发明提供的检测半导体晶圆钝化层上针孔缺陷的方法，利用荧光分子渗透到针孔里，通过荧光观察来检测半导体晶圆钝化层上的针孔缺陷。
一种检测半导体钝化针孔缺陷方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202211320509.5在审
发明人：潘嘉;吴长明;杨继业;陈思彤 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，应用于半导体技术领域。具体的，在本发明提出了一种半导体结构的制备方法中，其通过先形成SGT器件结构的多晶硅栅，然后在形成该结构的屏蔽栅，从而提出一种更有利于半导体制程中应力改善的SGT制备方法。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种基于金属基板的半导体制冷片、散热器及其制作方法-CN202210851637.6在审
发明人：曾健明 -专利权人：曾健明
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制冷技术领域，提供一种基于金属基板的半导体制冷片、散热器及其制作方法，其中，半导体制冷片包括：包括：第一金属基板，半导体粒子，半导体粒子通过焊接金属层固定设置在第一金属基板的一侧；外接金属层，外接金属层焊接在第一金属基板背离半导体粒子的一侧；外接金属层与第一金属基板之间的作用力、焊接金属层与第一金属基板之间的作用力相互抵消。解决现有技术中的金属基板制冷片在生产过程中金属基板变形而导致半导体粒子容易断裂损坏的问题。
一种基于金属半导体制冷散热器及其制作方法

[发明专利]半导体结构、半导体结构的制备方法及装置-CN202310006876.6在审
发明人：李蒙;吴天成 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法及装置，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的性能差、良率低的技术问题，该半导体结构包括基底、介质层和绝缘膜，介质层设置于基底上，介质层内间隔设置有多个导电结构本申请能够降低相邻的导电结构之间的寄生电容的电容值，从而提升半导体结构的性能，进而提高半导体结构的良率。
半导体结构制备方法装置

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202210147400.X在审
发明人：金志勋;高建峰;杨涛;李俊峰;刘卫兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，通过形成在金属互连层内的应力抵消层来抑制基底和金属互连层翘曲，从而防止基底和金属互连层在后续半导体制造工艺中破碎，便于半导体制造工艺的进行。所述半导体器件包括基底、金属互连层和应力抵消层。基底包括外围区和单元区。金属互连层形成在基底上，金属互连层覆盖外围区和单元区。应力抵消层形成在相应金属互连层内。应力抵消层用于抑制基底和金属互连层翘曲。所述半导体器件的制造方法用于制造上述技术方案所提供的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种光子集成芯片及其制备方法-CN202211593670.X有效
发明人：张昭宇;黄要然;龚元昊;谢文韬 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种光子集成芯片及其制备方法，旨在解决光子集成芯片集成度较低的问题。为此目的，本发明的光子集成芯片包括：基底以及设置在基底上的激光器和硅波导结构，其中，激光器包括半导体谐振腔，该半导体谐振腔与硅波导结构面内耦合，半导体谐振腔包括三五族半导体发光材料区。通过将半导体谐振腔与硅波导结构面内耦合，有利于实现大规模单片集成且提高集成密度，解决了现有技术中三五族半导体激光器与硅光芯片集成困难、集成度低的问题。
一种光子集成芯片及其制备方法

[实用新型]功率半导体模块老化座装置-CN201920866504.X有效
发明人：孙元鹏;孙浩强;张文亮 -专利权人：山东阅芯电子科技有限公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种老化座装置，尤其是一种功率半导体模块老化座装置，属于功率半导体老化试验的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述功率半导体模块老化座装置，包括老化板，在所述老化板上设置若干允许功率半导体模块嵌置的底座以及若干位于底座内的连接器，功率半导体模块嵌置在底座内且通过模块限位机构与底座紧固连接时，功率半导体模块能与所嵌置底座内的连接器电连接。本实用新型结构紧凑，能方便实现功率半导体模块与底座之间的装配，提高测试效率，降低测试成本，安全可靠。
功率半导体模块老化装置

[发明专利]半导体结构的处理方法-CN202010166572.2在审
发明人：李世鸿 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构的处理方法。所述半导体结构的处理方法包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括基底以及位于所述基底表面区域的若干个刻蚀结构；形成至少覆盖所述刻蚀结构内壁的过渡层，所述过渡层用于减少流体对所述刻蚀结构的毛细管力及当作修复倒塌结构的牺牲层；干燥所述半导体结构；去除所述过渡层。本发明减少了刻蚀结构在清洗过程中出现坍塌或变形的概率，改善了半导体结构的性能，提高了半导体器件的产率和良率。
半导体结构处理方法