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[发明专利]一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法-CN202210149529.4在审
发明人：邹家宝;何萌;卢维尔;谭明生;夏洋;刘涛;冷兴龙;屈芙蓉;赵丽莉;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高原子层沉积多层膜膜厚控制精度的方法，S100：在反应腔室中放置样品和陪片；S200：进行原子层沉积，获得多层膜样品；S300：获得膜层生长数据；S400：对比实际膜厚与理论膜厚，获得平均生长速率；S500、S600：当平均生长速率不满足第一生长速率变化趋势时，进行误差数据排除，重复S400‑S600；S700：将平均生长速率作为初始生长速率；S800：保持工艺条件不变，调整工艺参数，重复S100‑S700；S900：获得多层膜器件。解决了现有技术对原子层沉积多层膜膜厚控制方法的研究相对较少，导致控制精度不高，存在无法获得理想的多层膜膜厚控制精度的技术问题。
一种用于提高原子沉积多层膜膜厚控制精度方法

[发明专利]一种制备有机大面积单晶阵列的方法-CN202310249979.5在审
发明人：胡智敏;屈芙蓉;夏洋;权业浩;王欣;李楠;卢维尔;张凌云;赵丽莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备有机大面积单晶阵列的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供预处理完成的硅柱，其中，硅柱上具有预设形貌；在硅柱的第一面上滴涂有机半导体溶液；将衬底倒置于硅柱的第一面上，并向第一面施加预设压力，在真空环境内进行加热，获得制备完成的有机半导体单晶阵列。本发明解决了现有技术中有机半导体单晶阵列制备质量较低的技术问题，达到了提升有机半导体大面积单晶阵列制备质量的技术效果。
一种制备有机大面积阵列方法

[发明专利]X射线膜型波带片及其制备方法-CN202310283475.5在审
发明人：谭明生;卢维尔;吴雨菲;夏洋;赵丽莉;屈芙蓉;李楠;何萌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：本公开提出了一种X射线膜型波带片的制备方法，包括：在圆柱状的中心衬底的表面使用原子层沉积技术和分子层沉积技术在中心衬底的表面交替沉积第一薄膜材料和第二薄膜材料，形成厚度逐层递减的薄膜环带；使用聚焦离子束切割法对环带进行切割抛光，得到X射线膜型波带片；其中，第一薄膜材料包括明环薄膜材料，第二薄膜材料包括暗环薄膜材料，第一薄膜材料还包括明环掺杂材料和/或第二薄膜材料还包括暗环掺杂材料。本公开还提出了一种X射线膜型波带片结构，包括中心衬底、薄膜环带。
射线波带片及其制备方法

[发明专利]一种制备有机大面积单晶阵列的装置-CN202310270065.7在审
发明人：胡智敏;屈芙蓉;夏洋;权业浩;王欣;李楠;卢维尔;张凌云;赵丽莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作大面积有机单晶阵列的装置，涉及半导体技术领域，装置包括：腔体，腔体具有一腔内空间；置样组件设于腔内空间预设高度；观样组件穿过腔体的第一预设位置设于置样组件的一侧；计算机控制组件和观样组件以及置样组件连接；真空度控制组件和腔体连通；电源控制组件，电源控制组件与置样组件电连接；通过计算机控制组件观察观样组件的样品状态，以及控制置样组件；通过真空度控制组件控制腔内空间的真空度；通过电源控制组件为置样组件提供电能。本发明解决了现有技术中存在通过有机半导体制备工艺所获有机半导体单晶阵列的均匀性较差的技术问题，达到了提高有机半导体单晶阵列制备均匀性的技术效果。
一种制备有机大面积阵列装置

[发明专利]一种ALD-CVD两步法生长二碲化钨薄膜的方法-CN202111531697.1在审
发明人： 屈芙蓉;张雨萌;夏洋;王晶;唐陈丰;仵思笛;刘涛;卢维尔;何萌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种ALD‑CVD两步法生长二碲化钨薄膜的方法，其中，所述方法包括：用无水乙醇超声清洗蓝宝石衬底，氮气吹干；以六氟化钨和乙硅烷作为前驱体，在所述蓝宝石衬底上采用原子层沉积法生长钨薄膜；切割并用无水乙醇超声清洗长有钨膜的所述蓝宝石衬底，烘干；以钨粉为原料，采用化学气相沉积法对所述钨膜进行碲化，完成二碲化钨薄膜的生长。解决了现有技术中在制备钨薄膜过程中，无法准确控制制备厚度的技术问题。
一种 ald cvd 步法生长二碲化钨薄膜方法

[发明专利]一种光电化学湿法腐蚀装置-CN202310249985.0在审
发明人：谭明生;卢维尔;吴雨菲;夏洋;屈芙蓉;赵丽莉;何萌;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种光电化学湿法腐蚀装置，其特征在于，包括：光电化学反应池的第一预设位置具有第一开孔；晶圆片的一面部署于光电化学反应池的外侧覆盖第一开孔；欧姆接触阳极电极，分布于所述晶圆片的另一面，其中，晶圆片的另一面与晶圆片的一面在空间中呈相对位置；夹板，夹板的一面开设有第一凹槽，第一凹槽的尺寸与晶圆片的形状尺寸相适应，夹板和光电化学反应池固定连接，将晶圆片固定于所述第一凹槽中；光源，光源通过第一开孔照射在晶圆片的一面；阴极模块，阴极模块置于光电化学反应池的腐蚀液中。解决了现有技术中的光电化学腐蚀装置导致半导体上的背部欧姆接触电极被腐蚀，存在长时刻蚀适应性较弱的技术问题。
一种光电化学湿法腐蚀装置

[实用新型]一种用于剥离半导体芯片背膜的顶针装置-CN202222531529.9有效
发明人：殷清亮;屈芙蓉 -专利权人：重庆市鹰富机械制造厂
申请日： 2022-09-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于剥离半导体芯片背膜的顶针装置，属于半导体芯片顶针技术领域，以解决现有技术存在顶针按压力难以控制，易导致顶针发生弯曲变形，包括：基体，所述基体一端面设置有安装槽，所述安装槽内设置有三个以上的弹簧一；封盖体，所述基体上设置有安装槽的一端面与所述封盖体固定连接，所述封盖体设置有多个导向孔；探针，所述探针设置在安装槽内，所述弹簧一的一端抵接在安装槽内，所述弹簧一另一端抵接在探针一端，所述探针滑动设置在导向孔中，所述导向孔、探针、弹簧一数量一致。
一种用于剥离半导体芯片顶针装置

[发明专利]一种在石墨烯表面沉积高质量Al2-CN202110950479.5在审
发明人： 屈芙蓉;唐陈丰;仵思笛;夏洋;范天庆;张雨萌;刘涛;卢维尔;李楠 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种在石墨烯表面沉积高质量Al2O3薄膜的制备方法，其中，方法包括：将石墨烯衬底进行清洗后放入原子层沉积腔室；往所述原子层沉积腔室通入H2O分子进行预处理；分别通入铝前驱体和氧前驱体，进行原子层沉积过程，通过控制不同循环数，得到所需要的薄膜厚度；沉积完成后，将所述原子层沉积腔室的温度降为室温，取出Al2O3薄膜样品。解决了现有技术预处理手段都会对石墨烯表面造成一定的物理破坏或者引入不需要的种子层、官能团以及其他杂质，从而使得石墨烯基器件达不到人们所期望的效果的技术问题。
一种石墨表面沉积质量 al base sub

[发明专利]一种碘化亚铜薄膜的制备方法-CN202010432624.6有效
发明人：明帅强;李楠;赵丽莉;何萌;卢维尔;夏洋;文庆涛;高雅增;冷兴龙;李培源;屈芙蓉;刘涛 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种碘化亚铜薄膜的制备方法，涉及半导体器件技术领域，所述方法包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得碘化亚铜薄膜；沉积完所述碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
一种碘化薄膜制备方法

[发明专利]一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法-CN202010431946.9有效
发明人：明帅强;赵丽莉;李楠;何萌;卢维尔;夏洋;高雅增;文庆涛;李培源;冷兴龙;刘涛;屈芙蓉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂的碘化亚铜薄膜的制备方法，包括:在原子层沉积反应腔室中放置衬底，将所述反应腔室抽真空并开始进行加热处理，其中，加热对象包括基底、反应腔室、管路、反应源；所述衬底包括硅、蓝宝石、玻璃中的一种；待所述加热对象稳定在特定温度时，往所述原子层沉积反应腔室内通入铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入碘源0.001‑5s，吹扫1‑180s，往所述反应腔室内通入所述铜源0.001‑5s，吹扫1‑180s，通入掺杂源0.001‑5s，吹扫1‑180s，在反应腔室中进行原子层沉积，获得掺杂的碘化亚铜薄膜，其中，所述杂质源包括氯源、溴源中的一种；沉积完所述掺杂的碘化亚铜薄膜后，让所述基底在真空中自然冷却到室温后取出；得到均匀的掺杂的碘化亚铜薄膜置于真空干燥箱中备用。
一种掺杂碘化薄膜制备方法

[发明专利]一种X射线显微成像系统及其厚度渐变式菲涅尔波带片-CN202110033929.4在审
发明人：高雅增;卢维尔;夏洋;刘涛;冷兴龙;李楠;屈芙蓉;赵丽莉;何萌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线显微成像系统及其厚度渐变式菲涅尔波带片，包括：波带片本体；中心丝结构，所述中心丝结构位于所述波带片本体的中心位置处；M层膜光栅，所述M层膜光栅采用第一沉积方式沉积于所述中心丝结构外部，且与所述中心丝结构同心设置，且，所述M层膜光栅包括P个第一类环带膜层和Q个第二类环带膜层；其中，P个所述第一类环带膜层和Q个所述第二类环带膜层依次交替设置，且，P个所述第一类环带膜层和Q个所述第二类环带膜层的厚度各不相同。提高了菲涅尔波带片衍射成像效率和分辨率，达到通过所述菲涅尔波带片获得的X射线对样品的高质量成像的技术效果。
一种射线显微成像系统及其厚度渐变式菲涅尔波带片

[发明专利]一种多层膜菲涅尔波带片的设计方法及系统-CN202110033950.4在审
发明人：高雅增;卢维尔;夏洋;刘涛;冷兴龙;李楠;屈芙蓉;赵丽莉;何萌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层膜菲涅尔波带片的设计方法及系统，获得第一光源能量信息；获得所述多层膜菲涅尔波带片的应用焦距；获得所述多层膜菲涅尔波带片的分辨率信息；确定菲涅尔波带片的最外环宽度；确定多层膜菲涅尔波带片的半径；确定所述多层膜菲涅尔波带片的环带宽度；获得所述第一光源下菲涅尔波带片衍射效率，根据所述菲涅尔波带片衍射效率确定第一材料和第一厚度范围；根据所述第一材料、第一厚度范围、多层膜菲涅尔波带片的半径、多层膜菲涅尔波带片的环带宽度，构建多层膜菲涅尔波带片的模型。解决了现有技术中对于高分辨率的多层膜菲涅尔波带片的设计方法仍然不够完善，缺少高分辨率多层膜菲涅尔波带片设计方法的技术问题。
一种多层膜菲涅尔波带片设计方法系统

[发明专利]一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法-CN202011073261.8在审
发明人：范天庆;屈芙蓉;冯嘉恒;夏洋;何萌;高圣;明帅强;李国庆;刘晓静;陶晓俊;沈云华 -专利权人：昆山微电子技术研究院
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积方法，包括以下步骤：在预处理衬底上分别通入钼前驱体和硫前驱体，进行原子层沉积，得到高质量二硫化钼薄膜；所述钼前驱体选自氯化钼，所述硫前驱体选自硫化氢；或所述钼前驱体选自双(叔丁基)双(二甲基氨基)钼，所述硫前驱体选自二硫化二甲基。本发明采用上述种类的钼源和硫源，利用电子层沉积技术可以获得高质量二硫化钼薄膜。该方法能选择多种前驱体，具有较高的可行性。该方法能够满足目前所需的高质量，大范围，层数可控的条件，对于二硫化钼薄膜的研究和应用有着重大意义。该方法制备的薄膜的保形性好，且表面均匀。
一种质量二硫化钼薄膜原子沉积制备方法

[发明专利]一种微流道网络芯片-CN201811149868.2有效
发明人：解婧;屈芙蓉;邢建鹏;刘金虎;李超波;夏洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微流道网络芯片，涉及电子技术领域，包括八层结构，其中中间层模具和中间流道层相互交替布设，在中间层模具层设置有汇总蓄液池，制备出具有较大深宽比、侧壁陡峭、表面平整的微型化微流道网络。可以构建适用于多种微小样本的高通量、微型化、高性能微流道网络芯片，能够适用于多种终端应用，可以广泛应用于生物、化学、医学分析等科研及工程领域。
一种微流道网络芯片

[发明专利]原子层沉积设备-CN202010886205.X在审
发明人：范天庆;屈芙蓉;冯嘉恒;夏洋;高圣;刘晓静;李国庆;陶晓俊;沈云华;明帅强 -专利权人：昆山微电子技术研究院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积设备，包括反应腔室；和反应腔室相连通用于向反应腔室内通入反应气体的气源装置；设置在反应腔室内部用于承载待反应样品的样品盘；设置在反应腔室内部的加热装置；加热装置用于对待反应样品表面沉积形成原子层薄膜持续按照预定温度持续加热预定时间，以便待反应样品在加热后退火。本申请中相对于常规的原子层沉积设备而言，在设备的反应腔室内部增加了加热装置，该加热装置用于在样品表面沉积形成原子层之后，对原子层薄膜进行高温退火加热，使得该原子层薄膜由非晶态转换成晶态结构，同时也能够避免高温对前驱体分解造成原子层无法沉积完全的问题，进而在一定程度上提高了原子层沉积设备沉积产生原子层的质量。
原子沉积设备

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