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[发明专利]一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器-CN201010224459.1无效
发明人：乔忠良;薄报学;张斯玉;高欣;曲轶;芦鹏;李占国;李辉;刘国军;李梅;王玉霞 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器，是利用半导体激光器高、低阶模的不同传输特点，通过在传统半导体激光器外延片P面上，经过光刻、刻蚀等工艺制作带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器。该结构条形半导体激光器适合于任何波长、不同条宽的高亮度半导体激光器的制作，制备出的半导体激光器具有输出发散角小、发光亮度高等优点，对于促进这类高亮器件在相关领域中的应用具有重要意义。
一种带有模式滤波器亮度条形半导体激光器

[发明专利]一种高频宽禁带半导体驱动电路-CN202011448904.2在审
发明人：段建华;杨志 -专利权人：国创新能源汽车智慧能源装备创新中心（江苏）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频宽禁带半导体驱动电路，属于半导体开关技术领域，包括驱动电路和宽禁带半导体S2，驱动电路用于驱动宽禁带半导体S2；驱动电路包括开通驱动电阻单元、下拉电阻单元、关断回路单元、高频低阻抗回路单元和限制负压单元；宽禁带半导体S2的KS极连接地线，解决了新兴的宽禁带半导体开关器件驱动电路容易受到干扰，引起开关误动作的技术问题，本发明针对宽禁带半导体开关器件开关速度极快，驱动电路容易受到干扰，提出了一种驱动电路来降低干扰，提高宽禁带半导体开关器的可靠性，本发明既限制了宽禁带半导体开关器的Drain极与Source极间动作造成的正尖，防止了宽禁带半导体误动作，又限制了动作造成的负尖，防止了宽禁带半导体损坏。
一种频宽半导体驱动电路

[发明专利]一种半导体制冷器及其制备方法-CN202211187215.X在审
发明人：刘峰铭;陈可;黄议 -专利权人：广西自贸区见炬科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：本发明涉及了半导体制冷器技术领域，具体提供了一种半导体制冷器及其制备方法，旨在解决现有的半导体制冷器密封技术中填充的材料和填充方法，会造成制冷量损失且制冷面温度均匀性差、密封效果不稳定、降低半导体制冷器的性能和缩短半导体制冷器的使用寿命问题所述半导体制冷器的结构由上到下依次为上层陶瓷基板、P‑N型半导体颗和下层陶瓷基板；在所述上层陶瓷基板和下层陶瓷基板之间的内部空间内完全填充气凝胶；所述一种半导体制冷器的制备方法及步骤。实现了半导体制冷器防潮绝缘性能要求，降低了半导体制冷器的制冷量损失、提高了制冷面温度均匀性和整体性能以及延长了半导体制冷器的使用寿命。
一种半导体制冷及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201510131193.9有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底内的具有第一导电类型的阱区；位于所述半导体衬底表面上的若干鳍片；位于相邻所述鳍片之间的所述半导体衬底上的隔离结构；位于所述隔离结构底部的半导体衬底内的具有第二导电类型的扩散区本发明的半导体器件包括形成于浅沟槽隔离结构底部的半导体衬底内的扩散区，该扩散区位于阱区内，与阱区构成ESD二极管，用于FinFET器件的静电放电保护。与现有技术相比，本发明的扩散区不受鳍片横截面尺寸的影响，其主要依赖于浅沟槽隔离结构的尺寸，因此该半导体器件具有强鲁棒性，可提供更好的ESD防护性能。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]一种基于半导体技术的温度控制方法及装置-CN201610145513.0在审
发明人：解超;唐明鹏;耿士华 -专利权人：山东超越数控电子有限公司
申请日： 2016-03-15 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明涉及计算机散热技术领域，特别涉及一种基于半导体技术的温度控制方法及装置。本发明的一种基于半导体技术的温度控制方法及装置，其采用半导体制冷技术，针对性的设计部分控制电路，依据不同的温度环境自动调节半导体的加热或制冷，可满足特种计算机在不同温度环境下的启动和工作，该技术采用软硬件结合的方式
一种基于半导体技术温度控制方法装置

[发明专利]一种技术图谱中技术领域的自动识别方法-CN202010558503.6在审
发明人：华斌;宋平;陆启宇;张琪祁;赵三珊 -专利权人：国网上海市电力公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G06F16/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种技术图谱中技术领域的自动识别方法，包括数据集准备、数据预处理、分类模型样本准备步骤、多标签分类模型构建、技术领域识别步骤。与现有技术相比，本发明针对传统关键字检索存在的缺点，构建了多标签分类的训练集，充分考虑文档之间的语义相似性，解决多义词、近义词等问题，可以排除文档中的噪音影响。
一种技术图谱领域自动识别方法

[发明专利]周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器-CN201610279706.5在审
发明人：陈泳屹;贾鹏;秦莉;宁永强;王立军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器属于半导体激光芯片技术领域，目的在于解决现有技术存在的分布反馈半导体激光器制备困难、成本高昂问题。本发明在半导体激光芯片上制作周期性金属接触；可以通过刻蚀、氧化、载流子注入等手段在周期性金属接触之间制作侧向电流限制区，也可以在芯片端面制作高反膜或减反膜。本发明可以实现高功率窄线宽的半导体激光单管或者线阵输出，也可作为种子光源应用于其他半导体激光器，或产生双波长或者频率梳激射的半导体激光，或用于进行非线性光学效应，也可以获得波长稳定的半导体激光泵浦光源。
周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010857806.8在审
发明人：吕寅准;高建峰;李俊杰;刘卫兵;卢一泓 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在去除位于沟道区之间、以及沟道区与半导体衬底之间的牺牲层的过程中，损伤到源/漏区，降低半导体器件性能的技术问题。所述半导体器件包括：半导体衬底、有源区、栅堆叠和侧墙。有源区位于半导体衬底上，有源区包括沟道区、以及位于沟道区两侧的源/漏区。至少位于沟道区的侧壁的栅堆叠，以及位于栅堆叠两侧的侧墙。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体纳米结构和制造方法及其应用-CN200910312160.9有效
发明人：刘洪刚;刘新宇;吴德馨 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用，属于半导体材料制备技术领域。所述半导体纳米结构包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层和半导体纳米功能区；所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上；所述单晶硅衬底上具有图形化窗口，所述第一缓冲层形成于所述图形化窗口中的单晶硅衬底上，所述半导体籽晶材料层形成于所述第一缓冲层上；所述第二缓冲层和半导体纳米功能区形成于所述介质薄膜上。本发明半导体纳米结构在硅衬底上集成生长时，其载流子迁移率、几何特征与异质结构都能满足高性能CMOS技术与硅基光电集成的要求。
半导体纳米结构制造方法及其应用

[发明专利]半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件-CN202110305281.1有效
发明人：刘中华;杨国文;李颖;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件腔面及其制备方法和半导体器件，涉及半导体器件技术领域，包括如下步骤：利用划线角度30～40°、划线速度(20A+20)～(20A+40)mm/s在半导体器件表面的无图案区构建沿第一方向的、长度为(0.05A‑0.1)～(0.05A‑0.05)mm的划线，并在第一平面内形成预制裂纹；在形成该预制裂纹后，在第一方向上，利用预制裂纹形成半导体器件的腔面；其中A为半导体器件在第一方向上的长度。与现有技术相比，获得较深的预制裂纹，减少预制裂纹的数量，降低对半导体器件的芯片区的影响，制备的半导体器件腔面平整光滑，提高性能、良品率和生产效率。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110461719.5有效
发明人：陆芃;任洪宇;李博;刘凡宇;李多力;卜建辉;刘海南;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决基于SOI平台的MOSFET器件由于埋氧层中易产生大量辐射诱发的陷阱俘获电荷，从而影响前端MOSFET的性能的问题。所述半导体器件包括：SOI衬底；自下而上层叠形成在SOI衬底上的电荷俘获结构以及第一半导体层，电荷俘获结构为介质层叠层结构；以及形成在SOI衬底的第二半导体层上的体接触电极，当体接触电极被施加电压时，电荷俘获结构用于俘获第一半导体层的电荷所述半导体器件制造方法用于制造包括上述技术方案所提的半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种环栅半导体器件及制作方法、电子设备-CN202010399411.8有效
发明人：李永亮;李俊杰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种环栅半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过在衬底与源漏区之间形成隔离层，以抑制源漏漏电，无须使用成本较高的绝缘体上硅衬底，降低了半导体器件的制作成本。环栅半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的堆叠结构；堆叠结构包括源漏区以及与源漏区连接的至少一层纳米线或片；环栅半导体器件还包括形成在衬底和源漏区之间的隔离层；隔离层采用选择性氧化处理形成。环栅半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的环栅半导体器件。本发明提供的环栅半导体器件应用于电子设备中。
一种半导体器件制作方法电子设备

[实用新型]一种功率半导体模块桥臂单元-CN202220401918.7有效
发明人：朱楠;徐贺;邓永辉;史经奎 -专利权人：致瞻科技（上海）有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种功率半导体模块桥臂单元，属于功率半导体的设计技术领域。所述桥臂单元包括：衬底；金属敷层，设置于所述衬底的上表面；功率半导体芯片，设置于所述金属敷层上；门极驱动电阻芯片，设置于所述金属敷层上，与所述功率半导体芯片连接且一一对应；半导体阻容吸收芯片，设置于所述金属敷层上通过上述技术方案，本实用新型提供的一种功率半导体模块桥臂单元通过在衬底上设置多个门极驱动电阻芯片，且与功率半导体芯片一一对应连接，使得每个门极驱动电阻芯片能够单独吸收门极振荡电压，从而提高了功率半导体模块工作的稳定性
一种功率半导体模块单元

[实用新型]半导体致冷装置-CN200720100683.3无效
发明人：汪洋;高军 -专利权人：汪洋
申请日： 2007-02-14 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型属于致冷装置技术领域，开了一种半导体致冷装置。其主要技术特征为：包括有设置在保温箱体的顶部，由半导体致冷组件和其热端的散热装置、冷端的传冷装置组成的半导体致冷器，半导体致冷组件水平设置在保温箱体的顶部，散热装置在半导体致冷组件的上部、传冷装置在半导体致冷组件的下部本实用新型提供的半导体致冷装置，将半导体致冷组件水平设置在保温箱体的顶部，且散热装置在上、传冷装置在下，这样热传导的方向热量自然向上，冷量自然向下，热循环不需转向，从而顺应了液体、气体热升冷降的流动特性
半导体致冷装置

[发明专利]p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法-CN201780094095.X在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法，涉及于微电子技术领域。该p型半导体的制造方法包括以下步骤：制备p型半导体(31)；在p型半导体(31)上制备保护层(32)，其中保护层(32)为AlN或AlGaN；以及在保护层(32)的保护下对p型半导体(31)进行退火。这样，在后续对p型半导体(31)进行高温退火处理的过程中，保护层(32)能够保护p型半导体(31)免于挥发、形成高质量的表面形貌。
半导体制造方法增强器件及其