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[发明专利]半导体发光元件和发光装置-CN202180003206.8在审
发明人：王瑜;蓝永凌;马明彬;唐超;周宏敏;董金矿;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及半导体发光元件和发光装置，包括半导体叠层，该半导体叠层包括：第一半导体层，具有n型掺杂；第二半导体层，位于所述第一半导体层上，具有p型掺杂，所述第二半导体层包括靠近第一半导体层的第一表面和远离第一半导体层的第二表面；有源层，位于所述第一半导体层和第二半导体层之间，所述有源层包括靠近第一半导体层的第三表面和靠近第二半导体层的第四表面；其特征在于：该半导体叠层还包括氢杂质，该氢杂质的浓度至少包括靠近有源层的第一峰值和远离有源层的第二峰值，所述第二峰值大于第一峰值。本发明的发光元件具有高亮度的性能。
半导体发光元件装置

[发明专利]半导体发光元件及发光装置-CN202310307788.X在审
发明人： 蓝永凌;卓佳利;蔡吉明;张中英;李志明 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及发光装置，该发光元件的外延结构至少包括由下至上叠置的第一半导体层结构、超晶格结构层、有源层以及第二半导体层结构，有源层为多重量子阱结构，第二半导体层结构为P型掺杂层，P型掺杂物扩散至所述有源层及所述超晶格结构层，P型掺杂物在有源层中形成一骤降区及一缓降，并且P型掺杂物在有源层及超晶格结构层中的扩散深度不大于500nm。Mg原子扩散浓度的最大值出现在距离有源层表面20nm～35nm的范围内。通过控制Mg原子的扩散深度以及扩散浓度的变化，可以有效降低Mg原子对MQW的影响，提高MQW的质量，进而提高有源层中电子空穴的复合效率，提高外延层的内部量子效率，实现发光二极管的高发光效率。
半导体发光元件装置

[发明专利]一种发光二极管及制作方法-CN202111422872.3在审
发明人：汤恒;蓝永凌;黄文宾;史志结;周宏敏;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管及制作方法，该发光二极管包括图形化衬底及位于图形化衬底上的LED芯片，该图形化衬底包括具有若干个凸起的基板，凸起包括叠置的锥体及台体，带有锥体的图形化衬底更有利于发光二极管出光效率的提升，同时凸起的侧壁表面及基板的表面沉积有缓冲层，缓冲层可以改善基板与外延层的晶格失配，从而提高外延生长的质量，得到较好的表面状况以及外延片均匀性，从而提高外延层的发光效率。同时，缓冲层有利于使LED芯片形成倾斜的侧壁，从而增加LED芯片的侧面面积，提高侧面的反光，进一步提高出光效率。
一种发光二极管制作方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN202010228719.6有效
发明人： 蓝永凌;李政鸿;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管，包括依次层叠：衬底；第一导电型半导体层、应力释放层、有源层、第二导电型半导体层、第一电极和第二电极；其特征在于：所述第一阱层包括含In的材料层，第二阱层包括含In的材料层，所述第一垒层包括含Al或者不含Al的材料层，所述第二垒层包括含Al的材料层，所述第二垒层为多层材料层，所述多层材料层均为包括含Al的材料层。本发明可以提升有源层的生长质量，提高发光效率。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管组件-CN201810470874.1有效
发明人： 蓝永凌;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件领域，尤其涉及一种可控制“V”形缺陷大小及密度的氮化物发光二极管组件，通过于N型层和有源层之间设置依次第一缺陷调控层、第二缺陷调变层和第三缺陷调变层，在调控“V”形缺陷的大小及密度的同时，也调控器件由于缺陷较多而产生的抗静电能力降低问题。通过三层缺陷调控层的协同作用，不仅控制了“V”形缺陷的密度及大小，提升了电洞注入效率，同时也降低电子迁移速率与减少电子溢流，降低器件的Efficiency Droop效应，提升电子电洞于有源层中分布的均匀性，有效降低器件的非辐射复合辐射，提升发光效率。
一种氮化物发光二极管组件

[发明专利]一种氮化物半导体发光元件及其制作方法-CN202110222164.9在审
发明人： 蓝永凌;汤恒;李政鸿;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-02-28 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，尤其涉及氮化物半导体发光元件及其制作方法，其中氮化物半导体发光元件包括N型半导体层、活性层和P型半导体层，活性层和P型半导体层之间具有空穴注入层以及第一电子阻挡层，第一电子阻挡层的一侧或者两侧可以具有铝组分高于第一电子阻挡层且厚度小于第一电子阻挡层的其他电子阻挡层，用于阻挡电子，提高发光元件的发光效率。
一种氮化物半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]一种氮化物发光二极管-CN201711188772.2有效
发明人： 蓝永凌;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、N型氮化物层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型氮化物层，其特征在于：所述N型氮化物层与多量子阱发光层之间设置有n型碳原子调变层，所述n型碳原子调变层包括位于N型氮化物层上的第一调变层、第二调变层，且第一调变层的碳原子含量大于第二调变层的碳原子含量。透过此层n型碳原子调变层可降低电子迁移率，可有效的改善电子空穴于多量子阱发光层的分布不均,也可降低电子溢流现象。
一种氮化物发光二极管

[实用新型]一种半导体发光元件-CN201921324044.4有效
发明人： 蓝永凌;林兓兓;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及半导体发光元件，包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、发光层、电子阻挡层、P型层、P型接触层以及分别与P型接触层和N型层电性连接的P电极和N电极，其特征在于：所述P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层。本实用新型设置P型接触层包括AlGaN层和AlInGaN层，其中AlInGaN层由于In元素的加入，其功函数与金属或金属氧化物的功函数更接近，可以降低接触电阻,提高电洞注入效率；同时由于AlGaN层较AlInGaN层的能阶更高，可以有效加速电洞从P型接触层向发光层流动，提升电子电洞复合机率,提高发光效率。
本实用新型发光层功函数电洞金属或金属氧化物半导体发光元件降低接触电阻半导体领域电子阻挡层电性连接电子电洞发光效率复合机率依次层叠有效加速注入效率缓冲层衬底能阶流动

[发明专利]一种半导体发光元件及其制备方法-CN201710638217.9有效
发明人： 蓝永凌;蔡吉明;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件及其制备方法，本发明通过在最终势垒层与电子阻挡层之间低温生长高能级的第一盖层和第二盖层，第一盖层为相对低温生长的未掺杂层，用于降低P型杂质扩散至多量子阱结构层导致发光效率降低，第二盖层为电洞注入层，其掺杂有高浓度的P型杂质以提升电洞注入效应，同时，利用第一盖层和第二盖层较高的能级，有效降低了电子溢流，提升半导体元件的发光效率。
一种半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种多量子阱结构及其发光二极管-CN201710252090.7有效
发明人：江汉;蓝永凌;黄文宾;宋长伟;黄理承;寻飞林;林兓兓;蔡吉明;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多量子阱结构及其发光二极管，该多量子阱结构包括应力释放层、电子收集层和发光层，所述发光层包括若干个交替生长的势垒层和势阱层，其中至少一个势垒层为GaN/Al_xIn_yGa_(1‑x‑y)N/GaN结构，0＜x≤1，0≤y＜1，其余势垒层为GaN结构；该发光二极管至少包括一衬底，及依次位于衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱结构层、电子阻挡层、P型层和P型接触层。本发明通过在多量子阱结构的各层中设置禁带宽度高于GaN的势垒层，相当于把现有结构中的电子阻挡层分散于多量子阱结构层中，对电子起到分散阻挡的作用，增强电子阻挡效果，改善大电流密度下电子溢流现象及由此引起的Droop效应，提高发光二极管的出光效率。
一种多量结构及其发光二极管

[实用新型]一种多量子阱结构及其发光二极管-CN201821603752.7有效
发明人： 蓝永凌;林兓兓;蔡吉明 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电技术领域，尤其涉及一种多量子阱结构及采用该多量子阱结构构成的发光二极管，本实用新型于势阱层之后，插入一层InAlGaN调节层来降低势阱层与势垒层之间的晶格失配，同时，于势阱层之后，利用InAlGaN调节层的高能障特征有效降低电子溢流。再利用势垒层第一AlGaN层/AlN层/第二AlGaN的结构逐步提高能障，可持续降低晶格失陪，降低电子溢流，提升多量子阱层的内量子效率，增加发光二极管的出光效率。
多量子阱结构发光二极管势阱层本实用新型调节层势垒层溢流光电技术领域多量子阱层内量子效率出光效率晶格失配再利用晶格能障半导体

[发明专利]一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构的制备方法-CN201510978815.1有效
发明人：张佳胜;蔡吉明;黄文宾;蓝永凌;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构的制备方法，其中，所述方法包括以下步骤：提供一衬底；沉积缓冲层于所述衬底之上；沉积N型掺杂半导体层于所述缓冲层之上；沉积发光层于所述N型掺杂半导体层之上；沉积材料为Al_x0In_y0Ga_1‑x0‑y0N的P型掺杂空穴注入层于所述发光层之上；沉积材料为Al_x1In_y1Ga_1‑x1‑y1N的电子阻挡层与材料为Al_x2In_y2Ga_1‑x2‑y2N的空穴调整层交替堆叠组成的多层结构于所述空穴注入层之上,其中，y₀＞x₀＞0，x₁＞y₁＞0，x₂≥y₂＞0，x₁＞x₂≥x₀，y₀＞y₂＞y₁；沉积P型掺杂半导体层于多层结构之上，形成外延结构。
一种具有电子阻挡空穴调整外延结构制备方法

[发明专利]一种发光二极管-CN201610098089.9有效
发明人： 蓝永凌;张家宏;林兓兓;黄文宾 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，其依次包括N型层、量子阱层、P型层，其特征在于：于所述量子阱层一侧或者两侧插入一缓冲层，所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层，且所述第一缓冲层的晶格常数与第二缓冲层的晶格常数相同。本发明通过设计晶格常数相同的第一缓冲层和第二缓冲层，使缓冲层内无极化效应，进而改善N型层与量子阱层、P型层与量子阱层之间的晶格失配，减少量子阱层的极化效应。
一种发光二极管

[发明专利]一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构-CN201510978761.9有效
发明人：张佳胜;蔡吉明;黄文宾;蓝永凌;林兓兓;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构，从下至上依次包括缓冲层、N型掺杂外延层、发光层和P型掺杂外延层，其特征在于：所述发光层与P型掺杂外延层之间还包含材料为Alx0Iny0Ga1‑x0‑y0N的P型掺杂空穴注入层和复数个子组合层堆叠形成的多层结构；所述每一个子组合层由材料为Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N的电子阻挡层与材料为Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N的空穴调整层组成，其中，y0＞x0＞0，x1＞y1＞0，x2≥y2＞0，x1＞x2≥x0，y0＞y2＞y1。所述空穴注入层中的P型杂质通过延迟效果和在后续高温的条件下的扩散作用进入临近空穴注入层的子组合层内。调整多层结构中铝和铟的组分含量，形成良好的电子阻挡性能，并降低电阻值，提供有效空穴注入来源，改善芯片的抗静电性能。
一种具有电子阻挡空穴调整外延结构

[发明专利]一种氮化物发光二极体结构-CN201510062588.8有效
发明人： 蓝永凌;张家宏;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物发光二极体结构，包括衬底、缓冲层、N型层、应力释放层、量子阱发光层、P型层，其中，在所述N型层与应力释放层之间插入一生长温度等于或低于量子阱发光层生长温度的电场分散层，所述电场分散层为n型掺杂的多层氮化镓结构；利用不同浓度掺杂的GaN层逐步降低电场聚集，使电流均匀分散，从而提高氮化物半导体组件的静电耐压特性，降低组件在使用过程中的失效率，增加使用的可靠性，延长使用寿命。
一种氮化物发光二极体结构

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