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[实用新型]一种激光破壁孢子和细胞卧式靶标的多流道输入引流带-CN202321105663.0有效
发明人：周熹;张俊群;宁燕平;黄强;蔡娟娟;胡飞燕;王悦盈;刘畅 -专利权人：湖南源科联持企业管理有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C12M1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种激光破壁孢子和细胞卧式靶标的多流道输入引流带，包括输入Z形引流带和输出Z形引流带，所述输入Z形引流带和所述输出Z形引流带之间设有玻璃靶，所述输入Z形引流带和所述输出Z形引流带分别与所述玻璃靶连通，所述输入Z形引流带内设有多个挡板，所述输入Z形引流带内形成多个流道；试验证明了玻璃靶的扫描区域内物料流场能够出现湍流，湍流使得孢子或细胞在物料流体内的置换率得到提高，多流道被动湍流控制的实用新型目的得以实现；能够有效地减轻因层流现象引起的激光过度辐照热效应引起孢子内含物的活性物质被烧伤、炭化、汽化等破坏性作用和激光长时间辐照的光效应引起对孢子内含物活性物质的刺激、抑制及分解等破坏性作用。
一种激光孢子细胞卧式靶标多流道输入引流

[发明专利]半导体的镀膜方法-CN202210180284.1在审
发明人： 张俊群 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的镀膜方法，包括：对半导体进行清洁；在所述半导体上分三次沉积硅层；其中，第一次沉积的速率低于第二次沉积的速率，第二次沉积的速率低于第三次沉积的速率；在所述半导体上沉积DLC层。采用本发明实施例，能有效提高半导体表面镀膜的拉伸应力。
半导体镀膜方法

[发明专利]一种半导体晶圆的切割方法-CN202111590396.6在审
发明人： 张俊群 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆的切割方法，包括：将待切割的半导体晶圆粘接在切割机台上；控制刀片对半导体晶圆的正面进行切割，其中，切割深度为450μm～500μm；采用光刻胶在切割后的半导体晶圆的正面形成掩膜；将半导体晶圆放置在硅腐蚀槽中，通过硅腐蚀液对半导体晶圆的背面进行湿法刻蚀，其中，所述硅腐蚀液由硝酸、冰乙酸和60％浓度的氢氟酸以5:3:2的比例混合组成；去除刻蚀后的半导体晶圆的正面的光刻胶。采用本发明的技术方案能够有效减少半导体晶圆在切割过程中产生的内应力，从而减少了由于内应力作用而造成的半导体形变。
一种半导体切割方法

[发明专利]一种悬臂件的钻孔方法-CN202111590384.3在审
发明人： 张俊群 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B23B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种悬臂件的钻孔方法，包括：在待钻孔的悬臂件的表面上涂覆菲林；将掩模覆盖在悬臂件的表面，其中，所述掩模上的图形区域的大小与悬臂件表面上的通孔区域的大小相同，所述图形区域的位置与所述通孔区域的位置相对应；对所述通孔区域进行曝光和显影，以去除所述通孔区域内的菲林；将悬臂件放置在真空室内，对悬臂件的表面进行离子刻蚀，以在所述通孔区域形成通孔，其中，所述真空室内的压强为20mtorr～25mtorr，温度为20℃～25℃；去除刻蚀后的悬臂件表面的菲林。采用本发明的技术方案能够有效避免在钻孔过程中产生金属毛刺，并且有效防止悬臂件发生型变。
一种悬臂钻孔方法

[发明专利]半导体元件的处理方法-CN202110108116.7在审
发明人： 张俊群 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工领域，公开了一种半导体元件的处理方法，包括：用防静电薄膜将半导体元件固定在基板的一面上；其中，所述半导体元件的正面远离所述基板；对所述基板的远离所述半导体元件的一面进行离子刻蚀；将所述半导体元件与所述基板分离。采用本发明实施例，能够使得半导体元件通过基板得到应力的释放，从而有效减少半导体元件因应力产生的型变，并且不会对半导体元件造成损坏。
半导体元件处理方法

[发明专利]一种半导体的粘接方法-CN202011596162.8在审
发明人： 张俊群 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的粘接方法，包括：将半导体加载在真空室内的夹具上，并向真空室内持续通入氮气；其中，夹具的温度稳定在80℃～120℃，氮气的流量为2.5L/min～5.0L/min；通过激光发射装置对半导体进行第一次粘接处理；其中，激光发射装置的第一工作电压为2.5V～3.5V，第一工作时间为1.5S～2.0S；通过激光发射装置对半导体进行第二次粘接处理；其中，激光发射装置的第二工作电压小于第一工作电压，且第二工作电压为2.0V～3.0V，第二工作时间为0.2S～0.3S；通过激光发射装置对半导体进行第三次粘接处理；其中，激光发射装置的第三工作电压小于1.2V，第三工作时间为0.2S。采用本发明的技术方案能够在粘接时使得半导体逐步冷却，避免半导体损伤，从而提高产品质量。
一种半导体方法

[实用新型]一种电解槽导电装置-CN202121448058.4有效
发明人： 张俊群;阮俊;李贺松;肖劲;李慧花 -专利权人：中南力行科技有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C25C3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电解槽导电装置，包括电导杆和钢爪，钢爪包括横梁和导电爪，若干个导电爪平行设置，且均连接于横梁的一侧，横梁的另一侧设有补充横梁，且补充横梁连接电导杆用以通电，补充横梁设有中空部，以使靠近电导杆的导电爪的导电通路横截面积小于远离电导杆的导电爪的导电通路横截面积。通过在钢爪的横梁上设置补充横梁，增加横梁的整体厚度，并在补充横梁上设置中空部，中空部位于靠近电导杆的导电爪上方，用于缩小由电导杆至对应的导电爪的电流通路的截面积，从而降低至该导电爪的电流值，达到平衡所有导电爪接收电流值的目的，当电流值比较接近时，钢爪的各导电爪电流分布将会趋于均匀，从而提高电解槽的稳定性。
一种电解槽导电装置