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[实用新型]用于晶圆盒的上下料机构及全自动湿法单片晶圆清洗设备-CN202321005762.1有效
发明人：左国军;蔡嘉雄;陈大鹏;邱开宇;王雨 -专利权人：创微微电子（常州）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型属于清洗技术领域，具体涉及一种用于晶圆盒的上下料机构及全自动湿法单片晶圆清洗设备，通过平台，和限位组件，所述限位组件设置在所述平台的顶面上，所述限位组件适于在晶圆盒放置在所述平台上时对晶圆盒进行限位；旋转组件，所述旋转组件设置在所述平台的底面上，所述旋转组件适于带动所述平台旋转，以带动晶圆盒旋转；实现了对于晶圆盒的限位，以在带动晶圆盒旋转时避免晶圆盒发生晃动，并且通过旋转晶圆盒可以调整晶圆盒的角度，以便于通过机械手将晶圆放入晶圆盒中。
用于晶圆盒上下机构全自动湿法单片清洗设备

[实用新型]一种晶圆定位结构及全自动湿法清洗设备-CN202321005633.2有效
发明人：左国军;邱开宇;陈大鹏;王雨;蔡嘉雄 -专利权人：创微微电子（常州）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型属于清洗技术领域，具体涉及一种晶圆定位结构及全自动湿法清洗设备，通过载板，所述载板上沿载板的径向方向开设有若干移动长孔；若干定位机构，所述定位机构与所述移动长孔对应，所述定位机构设置在所述载板的下方，并且所述定位机构伸出对应的移动长孔；所述定位机构适于在所述移动长孔内同步移动，以调整各定位机构与载板中心的距离，适配相应尺寸的晶圆；实现了适配不同尺寸的晶圆，便于对不同尺寸的晶圆在干燥或者湿法清洗前进行定位。
一种定位结构全自动湿法清洗设备

[发明专利]一种实时检测晶圆清洗设备、使用方法及检测方法-CN202310899812.3在审
发明人：许峯嘉;蔡嘉雄;陈大鹏;殷正旭 -专利权人：创微微电子（常州）有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于晶圆清洗技术领域，具体涉及一种实时检测晶圆清洗设备，包括：夹持部；若干转动设置在所述夹持部上方的喷淋臂，所述喷淋臂的端部设置有喷淋嘴；转动设置在所述夹持部上方的救货部；若干第一检测部，所述第一检测部设置在所述喷淋臂上，所述第一检测部适于检测所述喷淋嘴的喷液状态；第二检测部，所述第二检测部设置在所述夹持部的上方，所述第二检测部适于检测夹持部上的晶圆本体的清洗状态；终端控制器，所述终端控制器分别与所述喷淋臂的驱动装置、所述救货部的驱动装置、所述第一检测部和所述第二检测部电性连接，通过终端控制器，能够在发生异常时，控制救货部喷出救货介质来实现晶圆本体的补救。
一种实时检测清洗设备使用方法方法

[发明专利]用于形成绝缘体上半导体（SOI）衬底的方法-CN201910456703.8有效
发明人：吴政达;蔡嘉雄;卢玠甫;刘冠良;周世培;郑有宏;杜友伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请的各种实施例涉及一种用于形成具有厚器件层和厚绝缘层的绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。在一些实施例中，该方法包括形成覆盖处理衬底的绝缘层，并在牺牲衬底上外延形成器件层。将牺牲衬底接合到处理衬底，使得器件层和绝缘层位于牺牲衬底和处理衬底之间，并且去除牺牲衬底。去除包括对牺牲衬底实施蚀刻直到到达器件层。因为器件层通过外延形成并转移到处理衬底，所以器件层可以形成为具有大的厚度。此外，因为外延不受绝缘层厚度的影响，所以绝缘层可以形成为具有大的厚度。本发明实施例涉及用于形成绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法。
用于形成绝缘体上半导体 soi 衬底方法

[发明专利]一种晶圆清洗设备及供液方法-CN202210906452.0有效
发明人：许峯嘉;蔡嘉雄;徐柏翔 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司;创微微电子（常州）有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B08B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆清洗设备及供液方法，其中的一种晶圆清洗设备，包括供液系统、若干依次层叠的罩盖、与所述供液系统连通的喷淋系统、适于放置晶圆的旋转系统、设置于所述罩盖下方的收集系统和升降驱动系统；所述喷淋系统适于向晶圆表面喷洒清洗液；所述收集系统适于收集晶圆清洗过程中产生的气体和液体；所述升降驱动系统位于所述收集系统下方，适于顶起或放下所述罩盖，通过升降驱动系统依次顶起或放下罩盖，进而多重药剂能够从各罩盖之间对晶圆进行清洗，避免各药剂交叉污染。
一种清洗设备方法

[发明专利]用于形成绝缘体上半导体衬底的方法-CN202210221859.X在审
发明人：郑有宏;李静宜;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开提供一种用于形成绝缘体上半导体衬底的方法。所述方法包含以下操作。接纳回收衬底。在所述回收衬底上形成第一多层结构。在所述第一多层结构中形成沟槽。执行横向蚀刻以移除所述沟槽的侧壁的部分以在所述第一多层结构中形成凹槽。用外延层密封所述沟槽及所述凹槽，且在所述第一多层结构中形成潜在开裂界面。在所述第一多层结构上方形成第二多层结构。将所述回收衬底的所述装置层接合到载体衬底上方的绝缘体层。沿所述潜在开裂界面劈裂所述第一多层结构，以将所述回收衬底与所述第二多层结构、所述绝缘体层及所述载体衬底分离。暴露所述装置层。
用于形成绝缘体上半导体衬底方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210150371.2在审
发明人：陈祈铭;陈奎铭;刘柏均;喻中一;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法至少包括以下步骤。提供牺牲衬底。在牺牲衬底上形成外延层。在外延层上形成刻蚀终止层。将碳原子植入到刻蚀终止层中。在刻蚀终止层上形成顶盖层以及元件层。将处置衬底接合到元件层。从处置衬底移除牺牲衬底、外延层以及具有碳原子的刻蚀终止层。
半导体装置制造方法

[发明专利]形成绝缘体上半导体衬底的方法-CN202210128234.9在审
发明人：陈祈铭;陈逸群;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种形成绝缘体上半导体(SOI)衬底的方法包括：在第一衬底上形成第一介电层；在第二衬底上形成缓冲层；在第二衬底之上的缓冲层上形成半导体盖；在缓冲层中形成分裂平面；在形成分裂平面后在半导体盖上形成第二介电层；将第二衬底上的第二介电层接合到第一衬底上的第一介电层；沿缓冲层中的分裂平面执行分裂工艺；从半导体盖移除第一分裂缓冲层；以及从第二衬底移除第二分裂缓冲层。
形成绝缘体上半导体衬底方法

[发明专利]一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法-CN202010126052.9有效
发明人：邓信甫;许峯嘉;庄海云;李志峰;蔡嘉雄 -专利权人：至微半导体（上海）有限公司;江苏启微半导体设备有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法，包括：步骤S1、将待干燥晶圆片置入晶圆容纳室内并使每个晶圆片均置入对应的洗涤槽内且相互之间间隔以形成晶圆片间隙；步骤S2、将恒温恒压气体供应器的输出端口与第一入口密封连接并使第一入口按照通气调整策略向干燥腔室内部通入恒温恒压气体以提高晶圆片干燥效率；步骤S3、惰性气体经第一入口沿经过晶圆片的至少三条气体流通路径流动至干燥腔室内远离第一入口的一侧，并于该一侧流入夹层区的内部；步骤S4、惰性气体在夹层区内远离第一入口一侧流入至靠近第一入口另一侧后经由第一出口排出。本发明通过夹层区的设计以及气体流通路径的改善，提高了晶圆干燥效率。
一种用于提升干燥效率方法

[实用新型]一种升降结构、单晶圆清洗机构及单晶圆清洗设备-CN202221160394.3有效
发明人：许峯嘉;蔡嘉雄;徐柏翔 -专利权人：创微微电子（常州）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B08B11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种升降结构、单晶圆清洗机构及单晶圆清洗设备，涉及半导体加工设备技术领域。该所述升降结构包括驱动组件和至少一个升降组件。所述驱动组件包括驱动部和至少一个抵接体，所述抵接体与所述驱动部连接；所述抵接体顶部具有抵接面，所述抵接面在预设方向上呈起伏状。所述升降组件一端与所述抵接面抵接，所述驱动部驱动所述抵接体沿所述预设方向运动，以使所述升降组件沿所述抵接面移动。本实用新型提供的单晶圆清洗机构采用了上述的升降结构；本实用新型提供的单晶圆清洗设备采用了上述的单晶圆清洗机构。本实用新型提供的升降结构、单晶圆清洗机构及单晶圆清洗设备可以改善现有技术中升降同步性差的技术问题。
一种升降结构单晶圆清洗机构设备

[实用新型]一种清洗设备-CN202221156623.4有效
发明人：许峯嘉;蔡嘉雄;徐柏翔 -专利权人：创微微电子（常州）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种清洗设备，涉及半导体工艺设备技术领域。该清洗设备还包括第一收集结构和第二收集结构。第一收集结构包括第一主体、第一通道和第二通道。第一通道用于接入收集容器，以收集清洗剂清洗晶圆后产生的液态产物。第二收集结构包括第二主体和第三通道；第三通道用于接入负压收集装置，以在第三通道形成负压。第一主体位于第二主体上方；第二通道贯穿第一主体与第三通道连通。本实用新型提供的清洗设备可以改善现有技术中清洗晶圆时容易造成交叉污染的技术问题。
一种清洗设备

[发明专利]一种槽体结构及防止其晃动偏移的方法-CN202010125613.3有效
发明人：邓信甫;庄海云;蔡嘉雄;陈佳炜;王雪松 -专利权人：至微半导体（上海）有限公司;江苏启微半导体设备有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种槽体结构及防止其晃动偏移的方法，槽体结构包括外部框架，外部框架内部设置有用于晶圆清洗和干燥的槽体，槽体顶部设置为敞口结构，槽体的两侧分别设置有两个圆柱形支撑柱，支撑柱与外部框架连接的位置设置有固定于外部框架内壁上的支撑复位机构，槽体顶部匹配有两组对开的顶盖机构，外部框架外表面设置有用于驱动顶盖机构进行开合的驱动机构。本发明能够有效使槽体在晃动后复位，尽可能的减小槽体晃动的偏移量，以解决现有的用于晶圆清洗和干燥槽体晃动偏移的问题。
一种结构防止晃动偏移方法

[发明专利]一种用于晶圆干燥的提升氮气移除水分子的能力的方法-CN202010125638.3有效
发明人：邓信甫;庄海云;蔡嘉雄;徐铭;陈佳炜 -专利权人：至微半导体（上海）有限公司;江苏启微半导体设备有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆干燥的提升氮气移除水分子的能力的方法，包括在干燥腔室外侧壁设计一维持热氮气稳定的热动能的阳极氧化保温层，且所述阳极氧化保温层内嵌有辅助型管式加热器用于进行辅助加热；以及，通过在干燥腔室外侧壁和干燥腔室内侧壁分别置入用于侦测温度的电子温度计并联动侦测对应于内外两侧的温度差异来控制辅助型管式加热器的加热，以达成对干燥腔室内热氮气的温度的控制以及调节；还包括将干燥腔室底部设计成带有向下的倾斜角度的锥形结构以使得异丙醇液体在排放时可形成螺旋式流动分布。本发明提供了一种能够提升加热氮气移除水分子的能力的方法。
一种用于干燥提升氮气水分子能力方法

[发明专利]一种升降结构、单晶圆清洗机构、方法及设备-CN202210522748.2在审
发明人：许峯嘉;蔡嘉雄;徐柏翔 -专利权人：创微微电子（常州）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B08B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种升降结构、单晶圆清洗机构、方法及设备，涉及半导体加工设备技术领域。该所述升降结构包括驱动组件和至少一个升降组件。所述驱动组件包括驱动部和至少一个抵接体，所述抵接体与所述驱动部连接；所述抵接体顶部具有抵接面，所述抵接面在预设方向上呈起伏状。所述升降组件一端与所述抵接面抵接，所述驱动部驱动所述抵接体沿所述预设方向运动，以使所述升降组件沿所述抵接面移动。本发明提供的单晶圆清洗机构采用了上述的升降结构，且能执行本发明提供的单晶圆清洗方法；本发明提供的单晶圆清洗设备采用了上述的单晶圆清洗机构。本发明提供的升降结构、单晶圆清洗机构、方法及设备可以改善现有技术中升降同步性差的技术问题。
一种升降结构单晶圆清洗机构方法设备

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN202110584600.7在审
发明人：刘冠良;程仲良;陈升照;林勇志;蔡嘉雄;赵皇麟;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成芯片,包含布置在衬底上方的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间延伸的多个第一沟道结构。第一栅极电极布置在第一沟道结构之间，且第一保护层布置在第一沟道结构中的最顶部第一沟道结构上方。第二晶体管包含在第二源极/漏极区与第三源极/漏极区之间延伸的多个第二沟道结构。第二栅极电极布置在第二沟道结构之间，且第二保护层布置在第二沟道结构中的最顶部第二沟道结构上方。集成芯片更包含布置在衬底与第一沟道结构和第二沟道结构之间的第一内连线结构以及耦合到第二源极/漏极区且布置在第一栅极电极和第二栅极电极上方的接触插塞结构。
集成芯片及其形成方法

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