“光刻曝光设备”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5508009个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]浸润式光刻的方法及其处理系统-CN201110461339.8有效
发明人：张庆裕;游大庆;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。
浸润光刻方法及其处理系统

[发明专利]浸润式光刻的方法及其处理系统-CN200610100019.9无效
发明人：张庆裕;游大庆;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。
浸润光刻方法及其处理系统

[发明专利]一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质-CN201910526117.6有效
发明人：崔佳明;朱岳彬;廖飞红 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻设备及其控制方法、装置和存储介质，其中光刻设备的控制方法包括：位于曝光区的一运动台在曝光工序中匀速运动时，运动台的匀速速度为第一速度，控制另一运动台在非曝光区运动的速度小于或等于第一预设速度，第一预设速度小于第一速度，使得导轨的振动较小，进而保证在曝光区进行曝光工序的运动台受到的扰动尽可能小，使两个运动台之间的串扰尽可能被消除，保证运动台的曝光精度。
一种光刻设备及其控制方法装置存储介质

[发明专利]光刻设备-CN201680036158.1有效
发明人： A·H·凯沃特斯;E·J·阿勒马克;S·C·R·德克斯;S·N·L·唐德斯;W·E·恩登迪杰克;F·J·J·简森;R·W·L·拉法雷;L·M·勒瓦希尔;J·V·奥弗坎普;N·坦凯特;J·C·G·范德桑登 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-04-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻设备，包括被配置成投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统，光刻设备进一步包括用于对衬底进行冷却的冷却设备，其中冷却设备包括位于衬底台的上方且与曝光区域相邻的冷却元件，
光刻设备

[发明专利]基于晶片的光源参数控制-CN202210210593.9在审
发明人： E·A·梅森;O·祖里塔;G·A·瑞克斯泰纳;W·E·康利 -专利权人：西默有限公司
申请日： 2017-10-04 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：例如，一种光刻方法包括从光源产生脉冲光束；使脉冲光束跨光刻曝光设备的衬底扫描以用脉冲光束曝光衬底，包括用脉冲光束曝光衬底的每个子区域。子区域是衬底的整个区域的一部分。对于衬底的每个子区域，接收与衬底的子区域相关联的光刻性能参数；分析所接收的光刻性能参数，并且基于该分析，修改脉冲光束的第一光谱特征，并且保持脉冲光束的第二光谱特征。
基于晶片光源参数控制

[发明专利]用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法-CN201910742905.9在审
发明人：王辉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于定义光刻图形侧壁形貌的光刻工艺方法，包括：步骤一、进行掩模版设计，在掩模版上形成有掩模版图形，掩模版图形用于定义光刻图形；光刻图形具有侧壁，在掩模版图形上设置有定义光刻图形的侧壁形貌的掩模版侧面图形结构，掩模版侧面图形结构具有使曝光光强逐渐变化的结构；步骤二、在需要曝光的基底上涂布光刻胶；步骤三、采用掩模版对光刻胶进行曝光，进行显影形成光刻图形，在曝光过程中，掩模版侧面图形结构通过使曝光光强逐渐变化来定义光刻图形的侧壁形貌本发明能定义光刻图形侧壁形貌，方便形成侧面倾斜的光刻图形侧壁。
光刻图形掩模版侧壁形貌掩模版图形图形结构侧面逐渐变化曝光光侧壁掩模版设计光刻工艺曝光过程曝光光刻胶后烘基底显影

[发明专利]曝光方法及曝光装置、晶圆的处理方法-CN202310708273.0在审
发明人：周曙亮 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构的曝光装置及曝光方法、晶圆的处理方法。所述曝光方法包括如下步骤：提供晶圆，所述晶圆的表面上覆盖有负性光刻胶层，所述负性光刻胶层中包括待曝光区域；对所述负性光刻胶层中的所述待曝光区域进行曝光处理；判断所述待曝光区域是否全部曝光，若否，则对所述晶圆上全部所述负性光刻胶层进行补充曝光处理
曝光方法装置处理

[发明专利]一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法-CN201110250286.5有效
发明人：魏芳;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法，其中，包括以下步骤：建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；采集原始光刻版图数据；确定一烘烤上限温度，对光刻胶进行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤的数据，建立第一OPC模型；确定一烘烤下限温度，对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤下限温度数据，建立第二OPC模型；利用原始光刻版图数据，分别对所述第一OPC模型、所述第二OPC模型进行光刻规则检查，确定是否存在光刻缺陷。本发明通过建立曝光后不同烘烤温度下的OPC模型，可以确定在温度不同时光刻后图形所产生的变化，一旦缺陷或尺寸变化存在很严重的问题时，可以进一步调整温度，确立新的工艺条件。
一种新型利用曝光烘烤 opc 模型检验光刻工艺方法

[发明专利]一种异型表面上纳米尺寸的光刻方法和光刻设备-CN201010541614.2无效
发明人：陆冰睿;陈宜方;刘冉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-11-12 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米光刻技术领域，具体为一种异型表面上纳米尺寸的光刻方法和光刻设备。本发明将近场光刻和纳米反压印相结合，其步骤包括：在已制作好光刻掩模图形的石英衬底上旋涂紫外光刻胶，使用平行紫外光从掩模板背面曝光后显影，完成对光刻胶的近场光刻，接着利用纳米反压印的方法将曝光后的光刻胶转移到目标衬底上，即达到利用近场光刻和纳米反压印相结合的方法实现在任意衬底上产生光刻胶图形的目的。
一种异型表面上纳米尺寸光刻方法设备

[实用新型]GPP工艺光刻机-CN201721492867.9有效
发明人：王志明 -专利权人：常州市华诚常半微电子有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体芯片制造技术领域，尤其是一种GPP工艺光刻机，包括第一冷光源曝光箱、第二冷光源曝光箱和光刻台，两曝光箱为开口不漏光长方形箱体，且设有箱门、箱盖、散热口和热气排风接口，第一冷光源曝光箱开口对面箱壁设有对位孔并置于光刻台桌面上方，第二冷光源曝光箱置于光刻台桌面下方，两个箱体开口合扣，光刻台中央设有一孔洞，孔洞连通两个曝光箱，第一冷光源曝光箱与第二冷光源曝光箱之间打造为曝光室，曝光室内设有电机，电机连接传动皮带，传动皮带两端分别伸入第一冷光源曝光箱和第二冷光源曝光箱，该光刻机成本低、效率高、操作方便。
曝光箱冷光源光刻光刻机孔洞传动皮带开口半导体芯片制造本实用新型长方形箱体电机连接排风接口箱体开口对位孔曝光室散热口台桌面合扣漏光伸入箱壁箱盖箱门连通热气电机曝光室内

[发明专利]一种直写式光刻机拼接方法-CN201910815602.5在审
发明人：赵美云 -专利权人：合肥芯碁微电子装备有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直写式光刻机拼接方法，属于半导体光刻机图形图像处理、拼接技术领域，包括在曝光前，设定曝光模式为N行M列DMD同时曝光模式；将光刻版图划分为与N行M列DMD对应的N×M个高度的曝光区，且满足相邻行DMD对应的曝光区域之间的重叠区域为d纳米；利用各DMD进行曝光处理，并对所有输出的曝光图形进行直写式光刻数据的处理，得到灰度叠加数据；将每个DMD与直写式精密平台进行匹配，直写式精密平台利用光学成像原理，进行灰度的拼接，将光刻版图呈现在曝光的基底上。本发明采用N行M列DMD同时曝光，并通过灰度图的拼接提升拼接精度，达到光刻图形分段曝光的可能性，提高产能。
拼接光刻直写曝光精密平台曝光模式灰度半导体光刻机光学成像原理图形图像处理直写式光刻机叠加数据光刻图形曝光处理曝光区域曝光图形重叠区域灰度图曝光区相邻行产能基底分段匹配输出

[发明专利]一种拼接曝光方法、装置及系统-CN202111114272.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海度宁科技有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种投影光刻方法、装置及系统。该方法包括：将硅片或基板设置为包含第1个至第N个曝光场的待曝光对象；光源通过照明系统形成照明光；曝光时，照明光通过掩模版的视场图案，经物镜系统将掩模视场图案投影至硅片或基板当前曝光场对应的曝光区域，在光刻胶材料上进行光刻，以形成曝光场图案；通过所述照明光将所述掩模版的视场图案轮换投影至曝光场对应的曝光区域，以曝光完成硅片或基板上所有第1至第N个曝光图案，N为大于等于1的自然数。本发明能够通过小视场物镜实现传统投影光刻机高分辨率、大尺寸掩模版的投影光刻需求，大大降低了现有技术中投影光刻机的成本。
一种拼接曝光方法装置系统

[发明专利]一种光刻曝光方法、装置和光刻系统-CN201911384018.5有效
发明人：陈烈;陈文枢;于亮 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-12-28 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种光刻曝光方法、装置和光刻系统。该光刻曝光方法，包括：获取衬底上所有集成电路单元中所有对位标记的预设标记位置和实际标记位置；按照预设的多种固定分组类型，分别对衬底上阵列排布的多个集成电路单元进行划分；计算各种固定分组类型在最佳的掩模曝光调整参数下的集成电路单元组合的合格率；按照预设评价函数，确定最优的固定分组类型；根据最优的固定分组类型以及各集成电路单元对应的最佳的掩模曝光调整参数，生成控制信号以控制光刻机对衬底上的集成电路单元进行曝光。本发明实施例解决了现有的光刻曝光方法光刻效率较低的问题，可以提高曝光效率，实现曝光良率和曝光效率的兼顾，有助于提升曝光制程的产率。
一种光刻曝光方法装置系统

[发明专利]直写光刻镜头角度的测量方法、计算设备及存储介质-CN202310564580.6在审
发明人：陈志特;王华;黄海浩;张少勋 -专利权人：广东科视光学技术股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种直写光刻镜头角度的测量方法、计算设备及存储介质，该直写光刻镜头角度的测量方法包括：控制直写光刻机的光刻镜头对沿z轴方向位于光刻镜头下方的感光标尺光刻至少两个标定图案；控制同一对位相机分别拍摄至少两个标定图案，得到至少两个标定图像；根据至少两个标定图像分别确定对应标定图案中目标特征点在曝光坐标系的目标位置坐标；根据目标位置坐标计算至少两个目标特征相对曝光坐标系的分布角度，将分布角度作为镜头投射区域的投射角度通过该方法，有利于减小由于直写光刻设备、对位相机、曝光平台之间相对位移产生的位置误差对角度标定误差的影响，使得镜头投射区域的投射角度更准确，有利于电路基板的光刻图案的准确性。
光刻镜头角度测量方法计算设备存储介质

[发明专利]一种纳米栅的制备方法-CN201610608428.3在审
发明人：吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;郭红雨;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米栅的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域；在清洗好的衬底材料表面悬涂第一光刻胶，并烘烤、曝光，并用第一光刻胶对应的第一显影液显影实现第一纳米栅；涂第二光刻胶，并在一定的恒温条件下烘烤、曝光，曝光图形相对于B中的图形向右边或向左边平移，并用第二光刻胶对应的第二显影液显影实现第二纳米栅，第一纳米栅与第二纳米栅有重叠部分；采用电子束蒸发设备沉积得到栅金属；剥离后得到金属栅；方法简单，通过多次曝光且曝光过程中左右移动实现
一种纳米制备方法

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条