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[发明专利]版图优化方法-CN201911193288.8有效
发明人：宋康;陈翰;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种版图优化方法，包括：加入多个亚分辨率辅助图形形成版图图形；将版图图形拆分成多个区域；获得每个亚分辨率辅助图形的坐标信息；建立亚分辨率辅助图形的坐标信息与多个方向上的光强度的分布曲线；得到每个亚分辨率辅助图形的宽度，同时获得每个亚分辨率辅助图形的主导因子；得到亚分辨率辅助图形的宽度的最优尺寸；以最优尺寸的宽度对应的亚分辨率辅助图形作为参考，将其他亚分辨率辅助图形的宽度进行扩大或缩小动作，得到优化后的亚分辨率辅助图形；将多个区域的优化后的亚分辨率辅助图形进行拼接；筛选尺寸小于设定值的优化后的亚分辨率辅助图形，得到优化后的版图图形。优化了亚分辨率辅助图形，最终优化了版图图形。
版图优化方法

[发明专利]一种模拟凹角目标图形生成的优化方法-CN202010446364.8有效
发明人：何怡飞;张辰明;陈翰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种模拟凹角目标图形生成的优化方法，将整体版图作为输入，对L型拐角图形进行偏移和合并生成第一目标图形；进行偏移操作后生成第二目标图形；将第一目标图形和第二目标图形作异或运算，判断L型拐角图形是否产生异常穿透；根据异常穿透产生的位置，在第一目标图形添加补充图形生成优化后的目标图形；对优化后的目标图形进行OPC修正。本发明有效计算出异常穿透的位置和间距，从而准确在异常穿透处添加补充图形，消除了异常穿透对目标图形的影响后进行OPC修正，OPC修正后实现最终优化，降低了工艺风险。
一种模拟凹角目标图形生成优化方法

[发明专利]对光学邻近修正光学模型筛选和评估的方法-CN202310473518.6在审
发明人：孟春霞;张辰明;孟鸿林;魏芳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种对光学邻近修正光学模型筛选和评估的方法，提供测试图形以及用于光学邻近修正的光学模型；获取所有需要评估的测试图形在一种光学模型下的拟合图像以及在晶圆上的曝光后图像；根据拟合图像和曝光后图像获取对比图像；根据对比图像获取拟合图像和曝光后图像之间的各种参数差异；根据各种参数差异设置加权评价函数，设置加权评价函数的阈值，之后判断测试图形是否符合阈值；符合阈值的测试图形为适应该种光学模型；不符合阈值的测试图形则修正光学模型，重复上述步骤至不符合阈值的测试图形符合阈值；将各测试图形适用的光学模型导入至光学模型图形库。本发明可以缩短光学邻近修正迭代时间，提高光学邻近修正对所有图形的修正精度。
光学邻近修正模型筛选评估方法

[发明专利]滤除图形匹配度误报错的方法-CN201810840252.3有效
发明人：顾婷婷;陈翰;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种滤除图形匹配度误报错的方法，包括：步骤1，进行图形匹配度检查，输出匹配区域；步骤2，在匹配区域中设置检查区域；步骤3，检查区域去除矩形的匹配区域形成temp1图形；步骤4，检查区域去除所有匹配区域形成temp2图形；步骤5，检查区域去除所有匹配区域的延伸图形形成temp3图形；步骤6，temp1图形去除temp2图形形成temp4图形；步骤7，temp2图形与temp4图形有共同边的图形形成temp5图形；步骤8，temp5图形去除temp3图形形成第一类图形；步骤9，temp2图形中选取宽度大于设定值的第二类图形；步骤10，步骤8和步骤9的图形合集为最终需检查的图形。本发明通过异或处理和图形挑选可以有效地滤除图形匹配度检查中的误报错，大幅提升效率，并且不受SRAM图形特征影响。
图形匹配度误报错方法

[发明专利]一种网格图形统一尺寸的方法、存储介质及计算机设备-CN202010576089.1有效
发明人：何大权;陈翰;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种网格图形统一尺寸的方法、存储介质及计算机设备，网格图形统一尺寸的方法包括，选择具有若干个第一宽度图形线和若干个第二宽度图形线的第一目标图形，其中，第一宽度图形线的线宽等于第二宽度图形线的线宽加上图形尺寸精度；根据第一目标图形中图形线的交叉点及第二宽度图形线，将至少一个第二宽度图形线的线宽扩增至第一宽度图形线的线宽。本发明提供的网格图形统一尺寸的方法，根据网格交叉图形的凹凸选择需要调整尺寸的图形线的边线，充分考虑了需要调整尺寸的图形线与同一方向相邻图形线的位置关系，在统一网格线尺寸的同时，能够保证网格图形中的图形线的边线不产生偏移。
一种网格图形统一尺寸方法存储介质计算机设备

[发明专利]一种确定OPC最小分割长度的方法-CN202011325662.8有效
发明人：牛东华;张辰明;何大权;魏芳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种确定OPC最小分割长度的方法，通过对一系列测试图形分别设置不同的图形边分割长度，并计算测试图形基于模型的OPC仿真值与晶圆上光阻CD数据的差，然后求出均方根，当均方根出现最小值时所对应图形分割长度即为测试图形边最小分割长度。解决了基于模型的OPC中对目标版图图形不能合理分段而导致OPC修正精度不高的问题，提高了产品良率。
一种确定 opc 最小分割长度方法

[发明专利]晶圆表面电荷消除装置及方法-CN201910777052.2有效
发明人：孟春霞;陈翰;张辰明;孟鸿林;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆表面电荷消除装置，其外壳形成一密闭腔体；隔板固定在外壳中部，其展开时使外壳形成的密闭腔体隔离为密闭上腔室及密闭下腔室；下腔室处的外壳侧壁设置有能打开及关闭的晶圆放置门；上极板设置在上腔室内并平行于隔板；外壳为绝缘材质；上极板及隔板均为导电材质；上极板连接有上电极；隔板连接有下电极；下腔室内放置有电荷量测装置及能升降及旋转的工作台；上腔室的侧壁设置通气接口。本发明还公开了该晶圆表面电荷消除装置的晶圆表面电荷消除方法。本发明能消除晶圆表面电荷对制造和量测等流程产生干扰，减少工艺缺陷，提高量测图形精度。
表面电荷消除装置方法

[发明专利]过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质-CN202010104683.0有效
发明人：夏国帅;张辰明;陈翰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种过曝图形漏报错的检查方法、计算机设备及存储介质，检查方法将OPC修正后的目标版图作为第一检查对象，其中，第一检查对象中的校正图形呈M×N分布；根据第一检查对象所在的区域和校正图形所在的区域，计算得到第二检查对象的若干个待检查区域，待检查区域与校正图形的区域邻接或相离；对第二检查对象作基于面积的OPC修正后检查，判断是否有存在面积大于预设阈值的过曝图形。本发明提供的过曝图形漏报错的检查方法将桥接检查变成区域范围的面积检查，可以有效的检出过曝图形现象；能及时反馈OPC修正后的检查结果，使其在OPC处理过程中能够进一步的优化程序，使工艺窗口能够最大化。
图形漏报检查方法计算机设备存储介质

[发明专利]接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法-CN202010891829.0有效
发明人：胡青;何大权;张辰明;魏芳;朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：提供OPC图形，所述OPC图形上具有接触孔区域；在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形；步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，通过移动亚分辨率辅助图形，以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用，进一步的调节接触孔区域的光强分布，强化边角轮廓和増加曝光焦深，使得接触孔的边缘误差得到改善，如此，改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。
接触光刻工艺热点光学邻近修正方法

[发明专利]目标版图优化方法-CN202211343908.3在审
发明人：何大权;魏芳;陈翰;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种目标版图优化方法，包括：对第一金属层图形使用标准模型进行OPC修正得到第一OPC图形；对第一OPC图形使用工艺窗口模型模拟得到模拟图形，并从中标记出桥接图形和断线图形；选择第一金属层和桥接图形接触的第一图形边并移动第一距离得到第二金属层图形；选择第二金属层图形与断线图形接触的第二图形边并移动第二距离得到第一目标图形；选择第一目标图形与桥接图形接触的第三图形边并向图形内部方向移动第一距离，得到第三金属层图形；选择第三金属层图形与断线图形接触的第四图形边并向图形外部方向移动第二距离，得到第二目标图形；对第二目标图形基于标准模型和工艺窗口模型进行OPC修正，得到第二OPC图形。
目标版图优化方法

[发明专利]目标版图图形的形成方法-CN202211343858.9在审
发明人：孟鸿林;张辰明;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种目标版图图形的形成方法，包括：获取集成电路的版图布局数据，依据最小器件和最小特征图形匹配规则进行数据重构获得第一数据；在第一数据的版图布局数据中，根据存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行动态切割成多个初始版图布局图形块；根据补偿规则分别对存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行调整，以得到每个版图布局图形块的目标图形；对每个版图布局图形块的目标图形分别进行OPC处理，并将所有经过OPC处理后的版图布局图形块进行拼接；使用逻辑回归模型从拼接后的版图布局图形中提取掩模板数据。本发明提高了版图布局图形块位置划分的准确度。
目标版图图形形成方法

[发明专利]OPC修正方法-CN202211343909.8在审
发明人：赵宝燕;陈翰;张辰明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种OPC修正方法，包括：根据硬掩模转移特性准备硬掩模上的OPC测试图形，使用该硬掩模对晶圆进行光刻，并根据光刻图形数据建立第一模型；输入初始金属层；提供标准模型和第二模型；依次使用标准模型和第二模型对初始金属层进行OPC修正，以得到修正后的金属层；从修正后的金属层中挑选出对第一模型敏感的图形作为第一图形，受第一模型影响较小的图形作为第二图形，剩余的初始金属层作为第三图形；使用第一模型对第一图形进行OPC修正得到第四图形；使用第一模型对第二图形进行OPC修正得到第五图形；使用标准模型对第四图形和第五图形进行OPC修正；第三图形、第四图形和第五图形作为修正后的目标图形。
opc 修正方法

[发明专利]OPC方法、系统及存储介质-CN202210685001.9在审
发明人：齐雪蕊;孟鸿林;吴徐丽;陈翰;张辰明;魏芳 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种OPC方法，其用于版图block layer图形修正，包括：读取OPC相关的block layer图形；选出完全位于block layer内区域的图形A和完全位于block layer外区域的图形B，以及横跨block layer内区域和block layer外区域的图形C；若m≤n，则将图形C归为图形A，block layer内区域的图形为A’＝A+C；若m＞n，则将图形C归为图形B，block layer外区域的图形为B’＝B+C；OPC以及OPCverify时对block内外的图形A’和B’分别进行spec设定。本发明可以避免光学临近效应修正问题和OPCverify阶段的误报错问题，减少人工复核工作量，提高OPC效率。
opc 方法系统存储介质

[发明专利]一种流体导流装置及晶圆清洗方法-CN202211343860.6在审
发明人：孟春霞;张辰明;孟鸿林;魏芳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种流体导流装置，包括：主体结构，其内侧壁从下至上依次设置有第一环形凹槽、第二环形凹槽和第三环形凹槽；形成于主体结构中的喷气组件，用于对晶圆的侧面喷射气体以隔断晶圆上下两侧清洗液的相互渗入；形成于主体结构中的吸气组件，用于在第一环形凹槽和第三环形凹槽中产生负压气流以引导晶圆上下两侧的清洗液按照设定方向排出。本发明还提供一种基于所述流体导流装置的晶圆清洗方法。本发明提供的装置和方法，实现了晶边的清洗液和晶背清洗液的分隔和导流，避免了晶背的清洗液和晶边的清洗液溅射到光刻胶层上进而影响光刻胶层厚度均匀性的问题。
一种流体导流装置清洗方法

[发明专利]检测晶圆通孔缺陷的方法及装置-CN202011015046.2有效
发明人：孟春霞;张辰明;朱骏;魏芳;陈翰;孟鸿林 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种直接检测通孔通断状态的方法及装置，该装置可以由碳纳米管探针组成阵列模板，通过在碳纳米管探针上加上预设数值的电压，对准并向下移动探针到达孔层底部，由于孔层完全开通或有介质层残留时，底部的材料导电性不同，这样通过探针上电压的变化就可以直接检测出通孔的通断状态，用当站直接检测的数据来反馈前面工艺参数是否合适，解决目前孔层检测在填充金属后才可以检测，反馈滞后的问题。
检测圆通缺陷方法装置

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