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[发明专利]一种新型曝光机-CN202110751162.9有效
发明人：陈铭;李金水;朱世敏 -专利权人：深圳市华鼎星科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及曝光设备技术领域，尤其是涉及一种新型曝光机，包括沿光刻胶传送方向依次设置的放卷装置、曝光装置以及收卷装置，曝光装置包括机架、固设于机架顶部的光刻板、固设于光刻板下方的曝光机构以及盖板机构，盖板机构包括盖设于光刻板顶面的框架、软性压片组件、抽真空组件以及升降组件，软性压片组件封盖于框架内侧，以令光刻板、框架以及软性压片组件可共同形成一抽真空腔体，抽真空组件固设于机架上且与抽真空腔体相连通，升降组件固设于机架上且用于驱动框架沿竖向升降本申请能够将光刻胶与光刻板之间的残留空气压出，以提高光刻胶的平整度，从而提高光刻胶的曝光效果。
一种新型曝光

[发明专利]衬底模型参数计算方法、光刻设备及控制光刻过程的设备-CN201210041207.4无效
发明人： I·里尤利纳;H·J·G·西蒙斯;M·G·田纳;P·J·赫利斯;M·范柯莫纳德;S·C·T·范德山登;D·M·斯劳特布姆 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算衬底的模型参数的方法、光刻设备和用于控制光刻设备的光刻过程的设备。具体地，本发明涉及估计光刻设备的模型参数和控制光刻设备的光刻过程。使用光刻设备跨经晶片执行曝光。最后，使用所估计的模型参数来控制光刻设备以曝光衬底。
衬底模型参数计算方法光刻设备控制过程

[发明专利]改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法-CN201910499184.3在审
发明人：陈瑶;王波 -专利权人：浙江水晶光电科技股份有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法，涉及光刻工艺技术领域，本发明提供的改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法包括对基底进行烘烤；将烘烤后的基底进行匀胶处理；对匀胶后的基底进行曝光处理；对曝光后的基底进行曝光后烘；对曝光后烘的基底进行静置冷却；对基底进行显影。本发明提供的改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法无需使用基底表面增粘剂，通过匀胶前对基底的烘烤，以及曝光后的烘烤以及烘烤后的静置冷却，能够有效的提高了基底与光刻胶之间的粘附度，满足工艺要求，无需额外增加设备模组
基底光刻胶粘附度烘烤光刻匀胶曝光静置冷却后烘工艺要求光刻工艺基底表面曝光处理增加设备增粘剂模组显影

[发明专利]光刻曝光方法-CN202011414133.5有效
发明人：周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光方法。所述光刻曝光方法包括：将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。本申请提供的光刻曝光方法，可以解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期，因光学系统温度不稳定，导致机台对光刻表现的判断的问题。
光刻曝光方法

[发明专利]光刻参数范围的确定方法、装置、存储介质及计算机设备-CN202310621348.1在审
发明人：韦亚一;王嘉硕;苏晓菁;董立松;范泰安;朱奕华;李晨;沈浩 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻参数预算的确定方法、装置、存储介质及计算机设备。其中方法包括：确定光刻系统对应的光刻参数的参数权重，并基于实验参数进行曝光实验得到实验曝光结果；在光刻参数中确定出参数组合，并基于实验参数、实验曝光结果以及参数权重，确定参数组合相对于实验参数的目标加权归一化和；针对目标加权归一化和以及曝光结果建立解析模型，利用目标加权归一化和以及曝光结果对解析模型进行模型拟合，得到拟合模型；计算拟合模型的反函数，基于预设的曝光结果范围以及拟合模型的反函数计算预算加权归一化和的取值范围，并将取值范围确定为光刻系统的光刻参数的取值范围。上述方法能提高光刻参数预算范围的计算精度。
光刻参数范围确定方法装置存储介质计算机设备

[发明专利]曝光方法及曝光设备-CN201310094965.7有效
发明人：黄常刚;吴洪江;王耸;万冀豫;李圭铉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种曝光方法及实现该曝光方法的曝光设备。本发明所提供的曝光方法中，通过将多块涂覆有光刻胶的基板置于一块掩膜板的下方，采用平行曝光光线垂直照射掩膜板，平行曝光光线首先对最上方的基板上的光刻胶进行曝光，透过最上方的基板的平行曝光光线继续对其下方的基板上的光刻胶进行曝光，依次类推，直到完成所有基板上的光刻胶的曝光过程。由于可以同时对多块基板上的光刻胶进行曝光，因此有效的提高了曝光的效率；并且，由于使用的掩膜板数量大大减少，因此在很大程度上降低了曝光成本；同时，由于对同一曝光光线充分利用，因此，减少了能耗，进一步降低了曝光成本
曝光方法设备

[发明专利]曝光方法及设备、太阳能电池和光伏组件-CN202211281545.5在审
发明人：沐俊应;魏俊喆;薛朝伟;方亮;李杰;宋佳文;汤伟;黄戈龙 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了曝光方法及设备、太阳能电池和光伏组件，涉及光刻技术领域。曝光方法包括：在待曝光件的第一表面和与第一表面具有夹角且相互连接的第二表面设置负性光刻胶；夹角大于0°，小于或等于90°；采用光源，对待曝光件的所述第一表面的至少部分区域，和第二表面的负性光刻胶进行曝光本发明实施例中，第二表面是第一表面对应的垂直侧立面，甚至第二表面是第一表面对应的向内凹陷的侧立面，专门采用光源对第二表面的负性光刻胶进行曝光，就是在对第一表面的至少部分区域的负性光刻胶、和第一表面的侧立面的负性光刻胶均进行了曝光，对第一表面的侧立面的负性光刻胶曝光较为充分，从很大程度上减少了待曝光件的侧立面曝光不足的问题。
曝光方法设备太阳能电池组件

[发明专利]光刻图形的形成方法-CN200610029925.4有效
发明人：李建茹;宋铭峰;郑莲晃 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻图形的形成方法，包括：提供一半导体基底；将所述半导体基底移入等离子体刻蚀设备对所述半导体基底表面进行等离子体灰化处理；在所述半导体基底上旋涂光刻胶；将所述带有光刻胶的半导体基底送入曝光机进行曝光；将曝光后的晶片移入显影设备进行显影。
光刻图形形成方法

[发明专利]光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法-CN201310446586.X有效
发明人：张治超;郭总杰;刘正 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种涉及显示技术领域，尤其涉及光刻胶的去除方法、曝光装置以及显示基板的制造方法，以解决现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体，增加了设备投入，提高了生产成本的问题。本发明实施例采用对构图工艺处理后的基板上的光刻胶进行曝光处理；通过显影处理去除曝光处理后的光刻胶；避免了现有技术中，对光刻胶进行剥离处理时，需要配置剥离设备，对光刻胶进行灰化处理时，需要配置高功率设备以及化学气体的问题，节约了设备成本，同时也降低了生产成本。
光刻去除方法曝光装置以及显示制造

[实用新型]光刻设备-CN202121322389.3有效
发明人：林刘恭 -专利权人：光群雷射科技股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开一种光刻设备，用来对设置于一待光刻件的一外表面的一光阻层曝光，并且光刻设备包括一曝光装置、位置邻近于曝光装置的一扩束器、间隔地设置于扩束器相对远离曝光装置的一侧的一光衰减器、间隔地设置于光衰减器相对远离扩束器的一侧的一光栅曝光装置用来投射一光束，扩束器用来供光束通过并使光束的直径扩大。光衰减器用来使光束的功率降低至少50％。光栅用来供光束通过并形成一图案化光束。图案化光束能通过汇聚透镜被汇集，并且被投射于光阻层。光刻设备能使光阻层呈现更加亮丽的颜色与图像，并避免光刻设备照射时碰撞到待光刻件。
光刻设备

[发明专利]光刻曝光设备及曝光前装载晶圆的温度控制方法-CN201810379421.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光刻工艺应用，具体为一种光刻曝光设备及曝光前装载晶圆的温度控制方法。一种光刻曝光设备，包括依次设置的用于暂储晶圆的等待区、用于搬移晶圆的机械手臂与用于曝光晶圆的曝光区，在等待区和曝光区之间设置有供机械手臂通行的过渡区风淋室，过渡区风淋室上方设置有风管组，风管组包括进风口本发明通过对光刻曝光设备的改进，使得晶圆在运输过程中能保持温度波动很小，晶圆自身温度均匀性变好，大大减少了热效应对晶圆表面的影响，使得后续光刻曝光步骤中晶圆叠对误差进一步减少，从而提升了晶圆良率。
晶圆出风口光刻曝光设备等待区风淋室过渡区机械手臂风管组曝光区曝光支管装载热效应半导体光刻工艺温度均匀性光刻曝光晶圆表面曝光设备温度波动依次设置运输过程进风口搬移良率通行改进应用

[发明专利]激光干涉光刻中的曝光光束相位测量方法和光刻系统-CN201911050178.6有效
发明人：王磊杰;朱煜;张鸣;徐继涛;成荣;李鑫;杨开明;胡金春 -专利权人：清华大学;北京华卓精科科技股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于光学仪器仪表设备技术领域，公开了一种激光干涉光刻中的曝光光束相位测量方法，从激光干涉光刻的曝光光束中分离出测量光输入激光相位测量干涉仪对激光干涉光刻的曝光光束进行相位测量，再引入与激光干涉光刻曝光光束同源的参考光束也输入激光相位测量干涉仪，由激光相位测量干涉仪处理形成干涉测量光信号，进行解算得到激光干涉光刻的曝光光束的相位。本发明公开了一种激光干涉光刻系统，包括激光相位测量干涉仪、控制器和相位调制器，采用前述激光干涉光刻中的曝光光束相位测量方法，用激光相位测量干涉仪测量曝光光束相位是否漂移，由控制器控制相位调制器进行相位调制，完成对曝光条纹相位漂移的锁定，实现高精度变周期光栅的制作。
激光干涉光刻中的曝光光束相位测量方法系统

[发明专利]使光刻线条变窄的方法及光刻机-CN202110253880.3有效
发明人：李荣宝 -专利权人：上海大溥实业有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，具体来说是一种使光刻线条变窄的方法及光刻机，进行至少两次曝光，以在所述的至少两次曝光的重叠部分形成所需的光刻部。本发明同现有技术相比，组合结构简单可行，其优点在于：原创性地设计了使光刻线条变窄的方法，通过至少两次的先后曝光，在曝光的重叠部分形成所需的光刻部，其能够克服现有技术的不足满足纳米级的曝光需求，且有助于降低光刻工艺的成本；还设计了实现掩膜版位移的具体方法和设备结构，实现了纳米级和亚纳米级的掩膜版位移。
光刻线条方法

[发明专利]一种直写光刻设备及其标定方法-CN202310408652.8在审
发明人：刘栋;张雷 -专利权人：源卓微纳科技（苏州）股份有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种直写光刻设备及其标定方法，所述直写光刻设备包括工作台、曝光镜头和对位相机，所述工作台的一端固定标定尺，所述标定尺为条状，表面涂覆有感光材料，所述工作台带动标定尺移动至曝光镜头下方，所述曝光镜头在所述标定尺的感光材料上曝光标记，曝光完毕后，所述工件台带动所述标定尺移动至所述直写光刻设备对位相机的捕获范围，所述对位相机捕获所述标定尺上的曝光标记，获得曝光镜头和对位相机之间的位置关系，及曝光镜头之间的位置关系。避免标定过程中多个移动机构之间的误差，同时在降低设计复杂度的基础上，降低生产成本，有利于设备的维护和校准。
一种光刻设备及其标定方法

[实用新型]一种监控系统与曝光机-CN202022435292.5有效
发明人：许在烈 -专利权人：乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H04N7/18 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供了一种监控系统与曝光机，该监控系统包括：用于采集视频数据的一个或多个摄像头，一个或多个摄像头安装在曝光机的腔体中，腔体内设置有对显示器的玻璃基板进行曝光的光刻蚀设备；一个或多个摄像头采集视频数据的范围覆盖光刻蚀设备曝光机外部的技术人员可通过该视频数据观察到曝光机内部是否具有技术人员，在曝光机内部具有技术人员的情况下可观察到曝光机内部技术人员的作业情况，以及，可观察到曝光机内部光刻蚀设备的作业情况。
一种监控系统曝光