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[发明专利]一种光刻机曝光系统及其控制方法-CN200810216174.6有效
发明人：张建国;朱春辉 -专利权人：清溢精密光电（深圳）有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明适用于计算机直接制版技术光刻领域，提供了一种光刻机曝光系统及其控制方法，光刻机曝光系统包括依次连接的光源、光路系统组件、光刻镜头以及基板；光路系统组件将光源发射的光信号进行调制处理后输出，光刻镜头将光路系统组件输出的光信号聚焦到基版上形成第一光斑；还包括：光学装置、控制器以及曝光镜头组合，控制器控制光学装置将光源发射的光信号射出，曝光镜头组合将光学装置射出的光信号聚焦到基版上形成第二光斑；第二光斑的直径大于第一光斑的直径。本发明提供的光刻机曝光系统采用光学装置改变光信号的传播方向，通过曝光镜头组合将光信号在基版上形成大光斑，不影响精细图形曝光的同时对大片空白区进行快速曝光，提高了光刻机的工作效率。
一种光刻曝光系统及其控制方法

[发明专利]光刻工艺流程及光刻缺陷的消除方法-CN201110342171.9无效
发明人：胡林;周迅来;贾文娟 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：光刻工艺流程及光刻缺陷的消除方法。本发明提供了一种在半导体器件制造过程中的光刻工艺流程中接触孔层卫星斑点缺陷消除方法。本发明中的光刻工艺流程包括：涂覆光刻胶步骤、烘烤步骤、曝光步骤、曝光后烘烤步骤、显影步骤以及去水烘烤步骤；其中，本发明的接触孔层卫星斑点缺陷消除方法为所述曝光后烘烤步骤中，调整曝光后烘烤时间。本发明通过优化晶圆曝光后烘烤的时间，使得增大的曝光后烘烤时间让曝光的区域光刻胶的反应更加完全，从而使这一部分曝光过的光刻胶在后面的显影的过程中更加容易去除，由此可以彻底消除接触孔层的卫星斑点缺陷，并且不需要增加原物料的消耗
光刻工艺流程缺陷消除方法

[发明专利]光刻中曝光条件设置方法-CN201110443832.7有效
发明人：黄玮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻中曝光条件设置方法，属于半导体光刻技术领域。该曝光条件设置方法应用于第一工艺平台下初次使用的光刻版的第一次光刻过程中，在设置过程中，至少根据光刻版的供应商信息而对应设置曝光条件中的初始曝光能量。因此，避免了第一次光刻过程中未考虑光刻版的供应商差异因素导致的晶片的CD超出特定的工艺规范的问题，提高了第一次光刻的成品率，也大大降低了光刻的返工率。
光刻曝光条件设置方法

[发明专利]一种光刻方法-CN202011622052.4有效
发明人：张续朋;杨彦伟;邹颜 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻方法，属于芯片加工技术领域。本发明的光刻方法包括晶片，晶片包括第一台面与第二台面，第一台面的高度大于第二台面的高度，所述方法包括：在晶片表面均匀涂覆光刻胶，形成光刻胶膜层；在光刻胶膜层的上方设置第一掩膜版，在第一掩膜版的上方向晶片表面进行第一曝光，第一曝光在第一预设曝光量下进行；去除第一掩膜版；在光刻胶膜层的上方设置第二掩膜版，在第二掩膜版的上方向晶片表面进行第二曝光，第二曝光在第二预设曝光量下进行；其中，第一掩膜版上设置有与第一台面对应的图形本发明的光刻方法可以有效解决高低台式芯片光刻工艺中的曝光不均匀的问题，提高光刻曝光的质量。
一种光刻方法

[发明专利]一种用于无掩模光刻扫描的分布式曝光方法-CN201810253685.9有效
发明人：杨刚;吴晨枫;郑春红;李威威;石峰 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于无掩模光刻扫描的分布式曝光方法，用于有效的提高线路板光刻中基板的曝光处理速度。具体包括以下步骤：1、PC端读取BMP位图，并将读取到的图片发至数字微镜DMD控制设备；2、根据数字微镜DMD个数和分布情况，对BMP位图进行填补处理；3、计算每个DMD曝光停顿的关键点图片坐标信息，并存储至容器；4、将计算后的数据信息发送至DMD控制端；5、根据曝光停顿点位置控制数字微镜DMD移动并实现大面积曝光。本发明采用"盖章式"分布曝光，可以大幅度提高大面积图形曝光的曝光速率，采用HDMI进行图片传输，降低对投影设备内存的要求，节省成本，同时使得曝光时长更容易控制。
曝光读取无掩模光刻数字微镜停顿扫描数据信息发送大面积图形线路板控制设备曝光处理曝光时长投影设备图片传输图片坐标点位置关键点控制端光刻基板微镜盖章内存存储填补移动图片

[发明专利]具有深台面结构的晶圆片的光刻方法-CN202310590000.0在审
发明人：郑婉华;王天财;黄亚军;彭红玲;曹澎;徐传旺;宋春旭 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供一种具有深台面结构的晶圆片的光刻方法，包括：在具有深台面结构的晶圆片表面匀涂光刻胶；对匀涂过光刻胶的晶圆片进行预烘；对预烘的晶圆片依次进行完成第一次曝光、第一次显影、第二次曝光以及第二次显影，以减弱曝光时的边缘衍射效应；其中，第一次曝光和第二次曝光的剂量相同；刻蚀待刻蚀区域；去除光刻胶，完成光刻。本公开经过二次曝光，减弱曝光时的边缘衍射效应，解决晶圆片的深台面边缘处光刻胶较薄的问题；采用稀释后的显影液，抑制显影液的减薄效果，保障深台面边缘处光刻胶的保护性；在预烘过程中，采用先低温恒温减少深台面边缘处光刻胶的收缩，再线性升高温度使得光刻胶粘附性更好的同时也能实现快速挥发。
具有台面结构晶圆片光刻方法

[发明专利]一种测量光刻胶折射率的方法-CN201210499592.7无效
发明人：王银萍;陶春先;赵曼彤;王琦;倪争技;黄元申 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G01N21/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量光刻胶折射率的方法，在空白基底甩上一层厚的均匀的光刻胶并烘干，这样可以使光刻胶在短时间内不被完全曝光，而且测量结果也会更加精确。如需测量曝光后光刻胶的折射率，可在光刻胶被烘干后取出先在相应的波长下进行曝光再测量。用分光光度计分别测量空白基底、曝光或未曝光的光刻胶样品的透过率。将测量数据用Macleod软件用极值法进行分析计算，便可得到光刻胶曝光后的折射率。测试结果精确、而且方便快捷，可以在很宽波段范围内测量光刻胶的折射率，具有重要意义。
一种测量光刻折射率方法

[发明专利]陶瓷基板图形化方法-CN202110941555.6在审
发明人：管鹏飞;贺贤汉;葛荘;王斌 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷基板图形化方法，包括：A、基板表面处理，去除陶瓷基板表面的油污和杂质后，进行酸性微蚀，增加基板表面粗糙度；B、旋转匀胶，滴少量的光刻胶到基板表面，采用2000～2500rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000～4000rpm/40s，并采用4000～4500rpm/10s速度甩边缘液滴；C、软烘，在115±1℃条件下烘干100～150s，去除多余溶液；D、第一面曝光，将第一面向上光刻曝光，曝光图案中设置对位MarK点；光刻时，采用接触式或接近式曝光，光刻能量10‑50mW/cm2，光刻时间1‑20s，提高曝光精度；E、第二面对位曝光，将第二面向上光刻曝光，CCD相机通过承片台开槽识别第一面对位Mark点，对第二面进行对位曝光并进行光刻，开槽的宽度为曝光mark点的1.5‑3倍；F、显影及硬烘。
陶瓷图形方法

[发明专利]一种直写式光刻机中改善能量均匀性的方法-CN201810825655.0有效
发明人：陈海巍 -专利权人：江苏影速集成电路装备股份有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种直写式光刻机中改善能量均匀性的方法，属于印刷线路板技术领域。本发明通过在直写式光刻机中，采用多次曝光扫描技术，并在每一次曝光后，向X方向、或Y方向、或XY方向进行半个曝光场+M*1/2个像素的曝光起始错位作为下一次曝光的起始位置，并且每次曝光分别使用DMD上不同分布位置的微镜，综合DMD整视场内不同位置的不同光均匀效果，使最终曝光效果达到较一致的均匀性。该方法可有效减弱光学均匀性不佳所导致的CDU不合格、解析不佳的状况，在不增加设备硬件成本的情况下，提升设备的制程能力和设备生产良率。
一种直写式光刻改善能量均匀方法

[发明专利]一种平面光栅的制造方法及平面光栅-CN202211468017.0在审
发明人：袁伟;朱煜;张鸣;王磊杰 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：所述平面光栅的制造方法包括：制备光栅衬底；在所述光栅衬底上依次形成硬掩模层、抗反射层和光刻胶层；其中，所述光刻胶层包括多个子区域；对所述光刻胶层的第一子区域进行曝光，对与所述第一子区域相邻的所述子区域进行拼接曝光，其中相邻的所述子区域拼接处的图形形貌特征及指标工艺性能和非拼接处一致；重复拼接曝光工艺直至完成所有子区域的曝光；曝光后的所述光刻胶层包括多个曝光区域和多个未曝光区域；对所述光刻胶层进行负显影工艺，去除所述未曝光区域的光刻胶
一种平面光栅制造方法

[发明专利]一种采用光栅组合的成像干涉光刻方法及其光刻系统-CN200410009403.9无效
发明人：张锦;冯伯儒;刘娟 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2004-08-05 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种采用光栅组合的成像干涉光刻方法及其光刻系统，其特征是使用由一个水平光栅和一个垂直光栅组成的光栅组合和转动光阑相配合，为成像干涉光刻系统中的掩模提供Y方向倾斜照明和X方向倾斜照明，使传统成像干涉光刻在三次曝光之间需调整光路系统的复杂、费时工序得到简化，在整个曝光过程中，只须转动光阑两次，就可完成成像干涉干光刻所需的三次曝光过程，系统光路简单、紧凑，调节光路容易，缩短曝光时间，提高成像干涉光刻曝光效率，有利于成像干涉光刻的实用化。
一种采用光栅组合成像干涉光刻方法及其系统

[发明专利]使用EUV光和电场形成光刻胶图案的方法和装置-CN202110980918.7在审
发明人：奇扶根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了使用EUV光和电场形成光刻胶图案的方法和装置。提供了用于形成光刻胶图案的方法和装置。在用于形成光刻胶图案的方法中，在基层上形成光刻胶层；沿所述光刻胶层的厚度方向对所述光刻胶层施加电场；以及在施加所述电场期间用极紫外(EUV)光对所述光刻胶层的部分进行曝光。一种用于执行形成光刻胶图案的方法的光刻装置可以至少包括曝光部和电场形成部。该曝光部可以被配置为用极紫外(EUV)光对光刻胶层的一部分进行曝光。该电场形成部被配置为对光刻胶层施加电场。
使用 euv 光和电场形成光刻图案方法装置

[发明专利]激光直写光刻机和自动聚焦控制方法-CN202211633554.6在审
发明人：吴春晓;白跃 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光直写光刻机和自动聚焦控制方法，所述激光直写光刻机包括：曝光平台，用于承载待曝光基板；运动机构，运动机构与曝光平台连接；曝光光路机构，曝光光路机构包括成像物镜，曝光光路机构用于在曝光平台移动至曝光位置时对待曝光基板进行曝光处理；高度调节机构包括：高度采集模块，高度采集模块与曝光光路机构连接，用于采集曝光位置处待曝光基板的高度信息；高度调节模块，高度调节模块与成像物镜连接，用于驱动成像物镜沿第一方向移动；控制模块根据目标移动信息控制高度调节模块执行调节动作采用该激光直写光刻机可以对待曝光基板高度起伏进行实时补偿，解决了激光直写光刻机进行曝光时由于待曝光基板高度起伏产生离焦的问题。
激光光刻自动聚焦控制方法

[发明专利]基于机器人的光刻装置和光刻方法-CN202111230123.0在审
发明人：郭登极;王序进;胡作寰;高国利;贾建飞;林建军;刘宇航;尹覃伟 -专利权人：深圳大学;深圳市银宝山新科技股份有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：一种基于机器人的光刻装置和光刻方法，该光刻装置包括机器人、光源和工作台，机器人具有至少两个方向的自由度，且机器人与工作台相对；光源和待曝光工件的其中一者设置于机器人，另一者设置于工作台；机器人用于根据待曝光工件的形状在至少一个方向上运动，以使光源对待曝光工件进行多个区域的曝光。在光刻时，机器人可以带动光源和待曝光工件中的一者相对另一者移动，以使得光源能对待曝光工件的不同区域分别进行曝光，使得具有复杂多变的结构和形状的待曝光工件也可以进行良好的曝光，能实时调整光源和待曝光工件的相对位置，对于复杂结构和外形的工件也能够满足光刻需求。
基于机器人光刻装置方法

[发明专利]超高深宽比图形的光刻工艺方法-CN202110011356.5有效
发明人：程宇;纪明岐;朱至渊;李玉华;吴长明;姚振海;金乐群 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高深宽比图形的光刻工艺方法，对光刻图形采用以双重曝光技术为基础，同时采用单次曝光对焦增强技术对图形进行曝光，最后形成超高深宽比的图形。本发明通过双重曝光技术及单次曝光对焦增强技术的叠加效应，结合强力曝光后烘烤，将两次曝光的投影叠加在一起，最终形成了超高深宽比的光刻图形。
高深图形光刻工艺方法