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[实用新型]半导体装置-CN202320932418.0有效
发明人：张峰铭;张瑞文;张朝渊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本新型公开了一种半导体装置，该半导体装置包含了由多个单元排列而成的阵列。每个单元皆包含：至少一个沿第一方向排列的主动区；至少五个间隔的导电区沿第二方向布置，设置在主动区上方，其中第一至第五导电区中包含一个或多个导体，而该一或多个导体具有沿着第一方向的尺寸。关于沿着第一方向的尺寸，第一或第五导电区中的至少一个导体沿着第一方向的尺寸比第三导电区中的导体沿第一方向的尺寸更大。第二和第四导电区中单一导体的间距(pitch)、第二或第四导电区中多个导体间的间距，以及非第二或第四导电区的下一个最近导电区中的导体间的间距是不一样的。
半导体装置

[实用新型]存储器结构-CN202320948234.3有效
发明人：杨智铨;张朝渊;林士豪;包家豪;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本公开提出一种存储器结构。存储器单元阵列包括存储器单元和在第一方向上延伸的第一N型井。存储器结构还包括形成在存储器结构的外围区中的第二N型井。第二N型井在第二方向上延伸，并且与第一N型井的一个接触。存储器结构还包括形成在第二N型井中的拾取区。拾取区电性耦合至第一N型井的一个。
存储器结构

[实用新型]半导体装置-CN202320160640.3有效
发明人： 张朝渊;张峰铭;张瑞文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体装置包含第一晶体管，位于基底的第一装置类型区中，其中第一晶体管包含第一栅极结构及相邻于第一栅极结构的第一源极/漏极部件。此半导体装置更包含第二晶体管，位于基底的第二装置类型区中，其中第二晶体管包含第二栅极结构及相邻于第二栅极结构的第二源极/漏极部件。第一晶体管包含第一鳍，第一鳍具有与第一源极/漏极部件横向接触的第一数量的半导体通道层，第二晶体管包含第二鳍，第二鳍具有与第二源极/漏极部件横向接触的第二数量的半导体通道层，且其中第二数量的半导体通道层少于第一数量的半导体通道层。
半导体装置

[实用新型]存储器装置-CN202221330476.8有效
发明人：包家豪;林建隆;杨智铨;张瑞文;张朝渊;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：一种存储器装置，包含存储器单元矩阵、预充电电路，以及预充电辅助电路。存储器单元矩阵具有多个存储器单元，多个存储器单元排列在具有多个行及多个列的矩阵中。多个行中的每一行包含连接至第一位元线及第二位元线的第一多个存储器单元。预充电电路连接存储器单元矩阵。预充电电路从第一端预充电第一位元线及第二位元线。预充电辅助电路连接存储器单元矩阵。预充电辅助电路从第二端预充电第一位元线及第二位元线。
存储器装置

[发明专利]存储器单元结构及其制造方法-CN202210841752.5在审
发明人：包家豪;杨智铨;林士豪;陈稚轩;林建隆;张朝渊;张峰铭;洪连嵘;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储器单元结构及其制造方法，基于GAA晶体管的SRAM设计为在微缩的IC技术节点增加晶体管的通道宽度提供灵活性，并且放宽基于FinFET的SRAM对SRAM效能优最佳化的限制。所述基于GAA的SRAM单元具有主动区布局，其中主动区由下拉GAA晶体管和传输闸GAA晶体管共享。相对于与传输闸GAA晶体管对应的共享主动区的宽度，与下拉GAA晶体管对应的共享主动区的宽度扩大。调整宽度的比率以获得大于1的下拉晶体管有效通道宽度与传输闸有效通道宽度的比率，相对于传输闸GAA晶体管的导通电流增加下拉GAA晶体管的导通电流，相对于传输闸GAA晶体管的临界电压降低下拉GAA晶体管的临界电压及/或增加SRAM单元的β比率。
存储器单元结构及其制造方法

[发明专利]存储器结构、存储器器件及其形成方法-CN202011644634.2在审
发明人： 张朝渊;林建隆;陈瑞麟;张峰铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：当前的公开针对具有减小的耦合电容的SRAM位单元。在垂直方向上，SRAM单元的字线“WL”和位线“BL”彼此远离地堆叠以减小WL和BL之间的耦合电容。在一个实施例中，WL通过一个或多个金属化层级与BL垂直地间隔开，WL或BL都不由一个或多个金属化层级形成。提供连接岛结构或跨接线结构以将WL或BL中位于上方的一个连接至SRAM单元的晶体管。本申请的实施例还涉及存储器结构、存储器器件及形成存储器器件的方法。
存储器结构器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202010784574.8在审
发明人：陈瑞麟;张朝渊;王屏薇;杨复凯;方婷;吴以雯;林士豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：半导体器件包括鳍结构。在鳍结构上形成源极/漏极区域。第一栅极结构设置在鳍结构上方。源极/漏极接触件设置在源极/漏极区域上方。源极/漏极接触件具有至少部分地在第一栅极结构上方突出的突出段。源极/漏极接触件将源极/漏极区域和第一栅极结构电耦接在一起。本发明还提供了一种形成半导体器件的方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010265065.4在审
发明人：陈瑞麟;张朝渊;林祐宽;杨昌达;王屏薇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：栅极结构、源极/漏极、设置在栅极结构和源极/漏极上方的第一通孔，并且第一金属线在截面图中具有比第一通孔更高的垂直位置。第一通孔电连接至栅极结构和源极/漏极。第一金属线和第一通孔均沿第一方向延伸。在不同于第一方向的第二方向上，金属线与第一通孔分隔开第一距离。第一金属线包括在第二方向上向外突出的突起部分。本发明实施例还提供了一种半导体器件的制造方法。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010185385.9在审
发明人： 张朝渊;陈瑞麟;林建隆;张峰铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置。静态随机存取存储器元件包括一导通闸晶体管、一下拉晶体管与一上拉晶体管。导通闸晶体管的一第一栅极线以及下拉晶体管以及上拉晶体管的一第二栅极线是沿着一第一方向延伸。导通闸晶体管、下拉晶体管及上拉晶体管的一共用源极/漏极区夹设于第一栅极线与第二栅极线之间。第一接点是从共用源极/漏极区延伸。第二接点是从导通闸晶体管的另一源极/漏极区延伸。一第三接点设置在第二接点之上，并具有在第一方向的一第一宽度且在一第二方向的一第一长度的形状。第二方向垂直于第一方向。第一长度大于第一宽度。
半导体装置

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