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[发明专利]半导体元器件的制造方法及半导体元器件-CN201811123051.8有效
发明人：于绍欣;金兴成;陈晓亮 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体元器件的制造方法及半导体元器件，在浅槽的底面掺杂第一P型杂质，填充浅槽形成浅槽隔离结构，通过在衬底上形成绝缘介质层之后，通过第一次光刻定义出P型界面掺杂区的掺杂窗口，通过掺杂窗口掺杂第二P型杂质，以在衬底内形成第二P型界面掺杂区，然后再在绝缘介质层上形成多晶硅层，刻蚀多晶硅层和绝缘介质层形成栅氧化层和多晶硅栅。形成的P型界面掺杂区仅与半导体元器件的沟道区域有重叠区域，与半导体元器件的N型源区和N型漏区都没有重叠区域，这样不仅可以有效防止半导体元器件的漏电，还保证了器件的开启电压，工作电流和耐压能力。
半导体元器件制造方法

[发明专利]二极管结构及其制备方法-CN201811542384.4有效
发明人：陈晓亮;陈天;钱忠健;金兴成;于绍欣 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请涉及二极管结构及其制备方法，该二极管结构包括半导体衬底；阱区，具有第一导电类型，形成于半导体衬底内；栅区，包括形成于部分阱区上的栅氧层和形成于栅氧层上的多晶硅栅层，多晶硅栅层具有第二导电类型，多晶硅栅层的费米能级与半导体衬底的禁带中心的能带距离小于或等于0.3eV；及N型区和P型区，分别形成于栅区两侧的阱区内。通过控制多晶硅栅层的功函数，使其费米能级位于半导体衬底禁带中心附近，减小多晶硅栅层与其下方阱区的功函数差，降低两者之间的接触电势，可解决漏电流、耐压不稳定等问题。
二极管结构及其制备方法

[发明专利]绝缘体上半导体元器件及其制造方法-CN201811167216.1有效
发明人：陈晓亮;于绍欣;陈天;钱忠健;金兴成 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘体上半导体元器件及其制造方法，通过第三光刻定义出体接触引出区的第三掺杂窗口，通过第三掺杂窗口掺杂第一导电类型杂质。第三掺杂窗口的图形包括条状图形和与条状图形相连的楔形，第三掺杂窗口的数量为至少一个，第三掺杂窗口在绝缘体上半导体衬底上的正投影与光刻窗口在绝缘体上半导体衬底上的正投影相交于楔形的顶点；第三掺杂窗口在绝缘体上半导体衬底上的正投影位于第一掺杂窗口在绝缘体上半导体衬底上的正投影内，上述制造方法是在器件的沟道长度方向设计体接触引出区，在不增加器件设计时的版图面积的情况下，有效降低体接触电阻。并且形成的体接触引出区并没有减少该器件的有效沟道宽度，保证了器件的性能。
绝缘体上半导体元器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202210008052.8在审
发明人：高淑荣;杨晓芳;金兴成 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：MTM下极板；第一介质层，所述第一介质层开有通孔，所述通孔的底部位于所述MTM下极板的顶部；MTM介质层，位于所述通孔的内表面，所述通孔的底部的MTM介质层位于所述MTM下极板上；导电材料，位于所述通孔中，所述MTM介质层将所述导电材料的侧面和底部包围；MTM上极板，设于所述导电材料上，与所述导电材料电性连接。本发明的MTM结构的介质层设于通孔中，介质层的侧壁被第一介质层包覆，因此不会裸露在外，可以避免介质层的侧壁沾污(inline defect)问题，防止inline defect导致的短路，从而实现芯片良率的提升。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202111127890.9在审
发明人：贝帮坤;金兴成;杨晓芳;马凤麟 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：第一介质层，所述第一介质层开有通孔；MTM下极板，设于所述通孔的下部；MTM介质层，设于所述MTM下极板上；MTM上极板，设于所述通孔的上部，且位于所述MTM介质层上。本发明的MTM结构的介质层设于通孔中，介质层的侧壁被第一介质层包覆，因此不会裸露在外，可以避免介质层的侧壁沾污(inline defect)问题，防止inline defect导致的短路，从而实现芯片良率的提升。MTM结构设于通孔中，因此和孔一样大小，不再受加工余量(process margin)的限制，节省了MTM结构的面积，提高了电路集成度。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]刻蚀方法、阶梯孔形成方法及圆台孔形成方法-CN202111136616.8在审
发明人：马凤麟;杨晓芳;金兴成;李玉岱;郭崇永;张建 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种刻蚀方法、阶梯孔形成方法及圆台孔形成方法。所述刻蚀方法包括：获取待刻蚀结构；通过光刻在所述待刻蚀结构上形成露出了刻蚀窗口的光刻胶；在所述刻蚀窗口的侧壁形成掩模增筑结构；以所述光刻胶和掩模增筑结构为刻蚀掩模，对所述待刻蚀结构进行刻蚀。上述刻蚀方法，通过在光刻胶形成的刻蚀窗口侧壁形成掩模增筑结构，使刻蚀窗口的尺寸得到进一步缩小，因此缩小后的刻蚀窗口的尺寸可以小于光刻机光刻的最小线宽，从而得到小于光刻机光刻的最小线宽的半导体结构；同时上述刻蚀方法的工艺流程步骤少，成本较低且生产效率高。
刻蚀方法阶梯形成圆台

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111034239.7在审
发明人：贝帮坤;金兴成;杨晓芳;马凤麟;李玉岱 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件及其制备方法，通过于相邻两个器件区之间的衬底上表面开设第一沟槽，于相邻两个器件区之间的衬底中形成第一阱区且第一阱区位于第一沟槽下方，于第一沟槽中形成第一槽隔离结构，于器件区中形成器件，实现半导体器件的制备。其中，第一阱区借助第一沟槽作为注入通道，有效地加深了注入深度，提高了器件间的隔离效果，同时可以使相邻器件区的扩散距离缩短，耗尽区减小，进一步缩减了器件面积，提高芯片集成度。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]光电二极管光接收窗口的形成方法及一种沟槽形成方法-CN202111031766.2在审
发明人：马凤麟;金兴成;杨晓芳;贝帮坤 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电二极管光接收窗口的形成方法及一种沟槽形成方法，所述光电二极管光接收窗口的形成方法包括：在衬底上形成第一介质层；在第一介质层上形成金属层；对金属层进行图案化处理，得到第一金属层，第一金属层在平面上将光接收窗口区域完全覆盖；在第一金属层上形成第二介质层；对第二介质层进行光刻及第一刻蚀；对所述第一金属层进行第二刻蚀；对第一介质层进行第三刻蚀；在光接收窗口区域，第一、第二及第三刻蚀形成的空间连通在一起从而将衬底的光接收窗口露出。本发明的光接收窗口刻蚀可以获得较佳的片内均匀性，因此晶圆上不同尺寸与位置的光电器件光电流稳定，光电IC电路良率提升。
光电二极管接收窗口形成方法一种沟槽

[发明专利]刻蚀方法和半导体结构-CN202111010653.4在审
发明人：马凤麟;李玉岱;金兴成;杨晓芳 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请涉及刻蚀方法和半导体结构。该刻蚀方法包括获取刻蚀副产物形成的位置，于基层上形成待刻蚀层和牺牲层，牺牲层形成于上述位置下方，于待刻蚀层上形成刻蚀掩膜层，在刻蚀掩膜层的阻挡下刻蚀待刻蚀层，去除刻蚀掩膜层和牺牲层。该刻蚀方法由于在刻蚀副产物形成的位置下方形成牺牲层，使刻蚀副产物与牺牲层直接接触，在去除牺牲层后，由于刻蚀副产物失去了粘附材料，从而使得刻蚀副产物在去除牺牲层后被彻底移除。
刻蚀方法半导体结构

[实用新型]一种波纹管安全阀-CN202222522341.8有效
发明人： 金兴成;谢正本 -专利权人：立特阀门科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： F16K1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种波纹管安全阀，解决波纹管焊接易破损的问题。波纹管自上到下分别包括有上腔套、主管体以及下腔套，上腔套和下腔套分别与主管体一体成型，上腔套、下腔套内分别安装有上衬垫、下衬垫，上腔套、下腔套外围分别安装有上压套、下压环；上腔套夹持于上压套和上衬垫两者之间，上腔套、上压套和上衬垫三者焊接相连；下腔套夹持于下压环和下衬垫两者之间，下腔套、下压环和下衬垫三者焊接相连。波纹管上、下延伸出上腔套、下腔套，再夹持压实上腔套、下腔套后与外部堆焊焊接，避免对波纹管主管体任何位置进行焊接加工，波纹管主管体不易损坏，报废率低，提升了合格率，延长了使用寿命，并且降低焊接难度，焊接操作简单。
一种波纹管安全阀

[发明专利]一种高性能安全阀-CN202211346855.0在审
发明人： 金兴成;谢正本;金温乐 -专利权人：立特阀门科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： F16K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能安全阀，涉及阀门领域，为解决回座反应迟缓、不顺畅、频跳等问题。阀体内具有阀腔，阀腔的一侧具有出口法兰，阀腔的内壁以及至少包括阀腔顶部靠近导向套的内壁形状呈球形或者类似球形的形状，以用于部分介质自阀瓣与阀座之间下冲沿阀腔内壁调整流动方向形成俯冲反冲盘的反冲力，反冲盘的外周方向上设置有台阶，台阶的顶面形成接受介质反冲力压力的冲击平面。介质从阀瓣与阀座之间向斜下方冲出，由于阀腔球形的内壁形状，介质会沿着阀腔内壁向上流动，介质再因阀腔顶部也呈球形向内聚集而向下俯冲，并冲击反冲盘的顶面，冲击平面受到介质反冲力的冲击，实现阀瓣快速回座密封，回座反应迅速且更加稳定，提升安全阀性能。
一种性能安全阀

[发明专利]存储单元及其制备方法-CN202110055699.1在审
发明人：于绍欣;金兴成;陈晓亮;郭崇永 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储单元及其制备方法，存储单元包括：SOI衬底，包括依次层叠设置的背衬底、埋氧层以及顶层硅层；晶体管包括栅极、源区及漏区，所述源区和所述漏区分别形成于所述栅极相对的两侧的所述SOI衬底的所述顶层硅层内；以及电容，位于所述埋氧层内，与所述晶体管的漏区电连接。上述存储单元整体面积最小化，从而提高具备该存储单元的存储电路的集成度。
存储单元及其制备方法

[发明专利]存储单元及其制备方法-CN202110055703.4在审
发明人：于绍欣;金兴成;陈晓亮;郭崇永 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储单元及其制备方法，存储单元，包括：衬底，所述衬底内设有电容沟槽；晶体管，包括栅极、源区及漏区，所述栅极形成于所述衬底上，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极相对的两侧的衬底内；以及电容，位于所述电容沟槽内，且与所述漏区电连接。上述存储单元在衬底内形成有电容沟槽，电容位于该沟槽内，相比于传统技术中的设置于金属层之间的平板电容，即便在存储单元缩小的情况下仍然能够保证电容的极板的面积较大，从而扩大电容容量，提升存储单元的性能。
存储单元及其制备方法

[发明专利]光电二极管单元及光电二极管阵列-CN202011302185.3在审
发明人：马凤麟;于绍欣;李玉岱;贝帮坤;陈天;陈晓亮;金兴成 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电二极管单元及光电二极管阵列，包括：衬底，具有第二导电类型；第一阱区，具有第一导电类型，设于所述衬底内；第二阱区，具有第二导电类型，设于所述第一阱区内；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；红外窗口区，形成于所述第二阱区的上表面；第一电极，位于所述第一阱区的上方，且与所述第一阱区电连接；第二电极，位于所述第二阱区的上方，且与所述第二阱区电连接；其中，所述红外窗口区、所述第一阱区的底面及所述第二阱区的底面均为多边形。上述光电二极管单元可以增大红外窗口区的总面积，使得红外窗口区在光电二极管阵列中的占比增加，从而有效面积增加，光电二极管阵列的效率得以提高。
光电二极管单元阵列

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制作方法-CN202011180484.4在审
发明人：马凤麟;于绍欣;金兴成;王志伟 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及一种浅沟槽隔离结构及其制作方法。其中，浅沟槽隔离结构包括：浅沟槽，位于衬底内；离子注入区，位于衬底内，且位于浅沟槽的底壁外围；隔离材料层和等离子体阻挡层，填充于浅沟槽内，且等离子体阻挡层位于离子注入区与隔离材料层之间。等离子体阻挡层可以有效阻止等离子体继续进入离子注入区，从而对离子注入区进行有效保护。因此，本申请可以有效保障离子注入区对漏电通道的阻断作用，进而防止半导体器件的产品良率随工艺节点减小而降低，从而有利于实现相关产品向更先进工艺节点迈进。
沟槽隔离结构及其制作方法

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