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[发明专利]用于多视图视频流的通用图块编码-CN202010917112.9有效
发明人：端木繁一;E·阿斯邦;周小松;辛军;H-J·吴;J·苏;S·格哈尼;C·弗利克;S·萨胡 -专利权人：苹果公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H04N21/431 文献下载
摘要：本公开涉及用于多视图视频流的通用图块编码。本发明公开了用于对多视图视频进行编码和递送的技术，其中所述视频被表示为标识可供下载的所述视频的多个片段的清单文件。所述多视图视频可以在空间上被划分为多个图块，所述多个图块总体上涵盖所述视频的整个空间区域。所述图块被编码为包含编码视频的片段，所述编码视频表示包含在其相应图块内的内容。可基于所述内容在其相应区域内的显著性来为图块赋予不同的尺寸。这样，感兴趣程度高的图块可以具有相对大的空间区域，这可以导致在存在内容运动的情况下进行有效的编码。
用于视图视频通用编码

[发明专利]一种用于配置涂覆机的方法、设备及系统-CN202210299462.2在审
发明人： S·萨胡 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于配置用于使用涂覆物质对产品表面进行涂覆的涂覆机的方法、设备和系统。一方面，所述方法包括确定与来自与涂覆操作相关联的多个参数中的一个或多个参数相关联的值。此外，所述方法包括使用经训练的机器学习模型基于与所述一个或多个参数相关联的确定的值来预测与能关联于涂覆物质的至少一个属性相关联的值。此外，该方法包括基于与能关联于涂覆物质的至少一个属性相关联的预测值来配置用于使用涂覆物质对表面进行涂覆的涂覆机。此外，所述方法包括在经配置的用于使用涂覆物质对产品表面进行涂覆的涂覆机处发起涂覆操作。
一种用于配置涂覆机方法设备系统

[发明专利]使用单细胞分析的改良的变体调用程序-CN202080082284.7在审
发明人： M·玛尼瓦南;D·金;S·萨胡;S·古拉蒂;王姝 -专利权人：使命生物公司
申请日： 2020-10-02 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G16B30/10 文献下载
摘要：本文描述包括两步过程的改良的变体调用方法，所述两步过程涉及1)通过细胞特异性过程对序列读段中的碱基进行误差校正，和2)使用所述误差校正的序列读段在细胞群体中进行变体调用。通常，第一步误差校正涉及应用第一机器学习模型来鉴别并校正序列读段的碱基。第二步变体调用涉及应用第二机器学习模型来分类碱基。此类改良的变体调用方法可用于鉴别参与生物过程，例如患病生物过程的变体。
使用单细胞分析改良变体调用程序

[发明专利]用于在多租户应用服务器环境中确定分区标识符的系统和方法-CN201580051392.7有效
发明人： S·萨胡;S·赛亚加拉詹 -专利权人：甲骨文国际公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G06F9/46 文献下载
摘要：根据一个实施例，这里描述了一种用于在应用服务器环境中确定分区标识符的系统和方法。一种示例性方法可以开始于在包括在其上执行的应用服务器环境的一台或多台计算机处一同提供：可以在所述应用服务器环境内使用的多项可部署资源；一个或多个分区，其中每一个分区提供域的管理和运行时间细分；以及组件调用情境管理器，所述组件调用情境管理器包括堆栈。所述方法可以设定一个或多个组件调用情境。分区知晓容器可以实施在组件调用情境管理器处登记或查找当前组件调用情境的其中之一。当前组件调用情境可以与当前分区相关联。所述方法和系统可以被利用在多租户以及非多租户应用服务器环境中。
用于租户应用服务器环境确定分区标识符系统方法

[发明专利]数字变焦方法及系统-CN201680008215.5有效
发明人：李锋;范淑飞;S·萨胡;李敏;陈云强;江晓云 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：在一些状况下，常规数字变焦技术可导致低质量图像。揭示用于改进由数字变焦产生的图像的质量的系统及方法。例如，在一些实施例中，利用其中图像同时通过锐化器及2D定向升频器的并行结构。接着对所述经锐化图像执行升频操作。将所述经升频的经锐化图像加总到所述2D定向升频器的输出以产生经增强图像。
数字变焦方法系统

[发明专利]连续扩散可配置标准单元架构-CN201680006551.6有效
发明人： S·萨胡;J·L·帕克特;O·翁;W·J·古多尔三世;B·J·鲍尔斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：具有连续有源区域的至少一个可配置电路单元包括至少一个中央子单元、第一侧子单元和第二侧子单元。每个中央子单元包括第一和第二pMOS晶体管，以及第一和第二nMOS晶体管。该第一pMOS晶体管具有第一pMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第一pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第二pMOS晶体管具有第二pMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第二pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第一pMOS晶体管漏极和该第二pMOS晶体管漏极是同一漏极。该第一nMOS晶体管具有第一nMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第一nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第二nMOS晶体管具有第二nMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第二nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第一nMOS晶体管漏极和该第二nMOS晶体管漏极是同一漏极。
连续扩散配置标准单元架构

[发明专利]用于图像信号处理器调谐的系统和方法-CN201980009535.6在审
发明人： P·K·拜哈提;S·萨胡;N·斯里尼瓦沙穆尔蒂;Y·古普塔;U·K·普蒂佩蒂;S·H·希瓦库马尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本公开的方面涉及用于调谐图像信号处理器ISP的系统和方法。实例装置可包含配置成进行以下操作的一或多个处理器：接收参考图像；基于所述参考图像来确定多个图像质量IQ度量；确定所述参考图像的所述多个IQ度量中的每一个的值；基于所述多个IQ度量的所述值来识别参数数据库中的一或多个现有参数集；和基于所述一或多个现有参数集来确定是否将调整所述参数数据库。
用于图像信号处理器调谐系统方法

[发明专利]用于图像信号处理器调谐的系统和方法-CN201980008873.8在审
发明人： S·萨胡;P·K·拜哈提;A·尚迪莉娅;S·H·希瓦库马尔;N·斯里尼瓦沙穆尔蒂;Y·古普塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本公开的方面涉及用于调谐图像信号处理器ISP的系统和方法。装置可包含一或多个处理器，所述一或多个处理器配置成：接收待由所述ISP处理的图像；确定第一参数值集；在处理所接收图像时基于所述第一参数值集从所述ISP接收第一已处理图像；确定第二参数值集；以及在处理所述所接收图像时基于所述第二参数值集从所述ISP接收第二已处理图像。所述一或多个处理器进一步配置成选择所述第一已处理图像或所述第二已处理图像中的一个作为优选已处理图像。所述一或多个处理器还配置成将对应于所述优选已处理图像的所述参数值集识别为用于处理图像的优选参数值集。
用于图像信号处理器调谐系统方法

[发明专利]具有混合扩散间断隔离沟槽的金属氧化物半导体单元器件架构-CN201780019932.2有效
发明人： X·陈;V·伯纳帕里;S·萨胡;H·利姆;M·库普塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种标准单元IC包括MOS器件的pMOS区(316)中的pMOS晶体管和该MOS器件的nMOS区(318)中的nMOS晶体管。该pMOS区和该nMOS区在第一单元边缘(304a)和第二单元边缘(304b)之间延伸。该标准单元IC进一步包括位于第一单元边缘与第二单元边缘之间的内部区域中的至少一个单扩散间断(312)，其跨该pMOS区和该nMOS区延伸以将该pMOS区分隔成pMOS子区以及将该nMOS区分隔成nMOS子区。该标准单元IC包括第一单元边缘(304a)处的第一双扩散间断部分(314')和第二单元边缘(304b)处的第二双扩散间断部分(314)。
单元边缘标准单元双扩散分隔子区金属氧化物半导体扩散单元器件隔离沟槽内部区域延伸架构

[发明专利]包括扩散势垒层的设备-CN201610157325.X有效
发明人： S·萨胡;M·G·布拉伯;H·布里克纳;T·赵;程宇航;J·C·杜达;T-W·李 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： G11B5/127 文献下载
摘要：公开了包括扩散势垒层的设备，具有空气轴承表面(ABS)，所述设备包括：写入极；近场换能器(NFT)，所述近场换能器包括轴柱和盘，其中，所述轴柱位于所述设备的所述ABS处；散热器，所述散热器位于所述NFT的所述盘的附近；电介质间隔，所述电介质间隔在所述设备的所述ABS处的所述NFT的所述轴柱附近；以及保形扩散势垒层，所述保形扩散势垒层位于所述写入极和所述电介质间隔、所述盘以及所述散热器之间，其中，所述保形扩散势垒层形成不大于135°的至少一个角度。
包括扩散势垒层设备

[发明专利]用于多相机系统的颜色归一化-CN201780056524.4在审
发明人： S·萨胡;C·乔杜里;P·K·拜哈提;A·D·格普特 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G06T3/40 文献下载
摘要：本申请描述技术，其中装置经配置以确定第一图像及第二图像之间的重叠区域，基于包含在所述第一图像中的对应于所述重叠区域的颜色数据而确定第一直方图，及基于包含在所述第二图像中的对应于所述重叠区域的颜色数据而确定第二直方图。处理器进一步经配置以基于所述第一及第二直方图而确定将所述第二直方图基本上映射到所述第一直方图的映射函数，及将所述映射函数应用于所述第二图像以相对于所述第一图像生成归一化第二图像。
直方图图像重叠区域颜色数据映射函数归一化多相机系统图像生成处理器映射配置申请应用

[发明专利]V1和更高层可编程ECO标准单元-CN201780024113.7在审
发明人： S·萨胡;V·古普塔;X·陈;T·拉巴沙利 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：在本公开的一方面，提供了用于降低在芯片设计中使用ECO标准单元库的成本的装置。这一装置是包括若干区域(102、104、106和108)的MOS器件。该MOS器件包括在该器件的第一区域(102)中的第一pMOS晶体管(192)和第一nMOS晶体管(194)，这些晶体管中的每一者具有鳍。第一pMOS晶体管的pMOS晶体管栅极和第一nMOS晶体管的nMOS晶体管栅极由跨该器件在第一方向上延伸的栅极互连(112)形成。该MOS器件包括在该器件的毗邻于第一区域的第二区域(104)中的若干未利用的pMOS和nMOS晶体管。第一区域中的pMOS和nMOS晶体管的鳍与第二区域中的未利用的pMOS和nMOS晶体管的鳍断开连接。
第一区域第二区域标准单元库标准单元断开连接芯片设计可编程晶体管互连毗邻延伸高层

[发明专利]用于立体数据的深度感知增强-CN201580011468.3有效
发明人： S·萨胡;M·比斯瓦斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-02-23 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G06T5/50 文献下载
摘要：本文描述了用于增强图像的系统、方法及装置。在一些方面，装置包括配置为存储左图像和右图像的存储器单元。所述左图像和所述右图像各自描绘来自不同视角的相同场景。所述装置进一步包括配置为从所述存储器单元中检索所述左图像和所述右图像的译码器。所述译码器配置为基于所述左与右图像之间的空间定向差确定深度图。所述装置进一步包括耦合到所述译码器的处理器。所述处理器配置为识别所述左或右图像中由用户选择的一部分。所述处理器进一步配置为基于所述深度图确定在由所述用户选择的所述部分周围的增强区域。所述处理器进一步配置为增强所述增强区域。
用于立体数据深度感知增强

[发明专利]源极分开的单元-CN201680055213.1在审
发明人： S·萨胡;X·陈;V·伯纳帕里;H·B·利姆;M·库普塔;H·康;C·高;R·古塔尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种MOS器件包括第一MOS晶体管，该第一MOS晶体管具有第一MOS晶体管源极、第一MOS晶体管漏极和第一MOS晶体管栅极。该MOS器件还包括第二MOS晶体管，该第二MOS晶体管具有第二MOS晶体管源极、第二MOS晶体管漏极和第二MOS晶体管栅极。第二MOS晶体管源极和第一MOS晶体管源极耦合到第一电压源。该MOS器件包括第三MOS晶体管，该第三MOS晶体管具有第三MOS晶体管栅极，该第三MOS晶体管栅极在第一MOS晶体管源极与第三MOS晶体管源极之间，该第三MOS晶体管进一步具有第三MOS晶体管源极和第三MOS晶体管漏极，该第三MOS晶体管源极耦合到第一MOS晶体管源极，该第三MOS晶体管漏极耦合到第二MOS晶体管源极，该第三MOS晶体管栅极处于浮置。
分开单元

[发明专利]具有增强的性能和改善的加工性的药物组合物-CN201480011462.1有效
发明人： T·A·布吕热尔;T·T·阮;S·萨胡;D·蒂瓦里;宗育达 -专利权人：赫尔克里士公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C08B13/00 文献下载
摘要：本文公开和要求保护的发明构思涉及用于增强药物性能和改善加工性的聚合物。具体地，所述聚合物包含醋酸羟丙基甲基纤维素琥珀酸酯(HPMC‑AS)。在所述HPMC‑AS上，琥珀酰基总取代度的百分比在C6‑OH位置小于12％并且在C3‑OH位置大于53％，并且乙酰基总取代度的百分比在C6‑OH位置大于32％。
具有增强性能改善加工药物组合

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