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[发明专利]栅极对准接触部及其制造方法-CN201610305963.1有效
发明人： O·戈隆茨卡;S·希瓦库马;C·H·华莱士;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：描述了栅极对准接触部和形成栅极对准接触部的方法。例如，制造半导体结构的方法包括在形成于衬底之上的有源区之上形成多个栅极结构。栅极结构每个均包括栅极电介质层、栅极电极和侧壁间隔体。多个接触插塞被形成，每个接触插塞直接在多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部被形成，每个接触部直接在多个栅极结构的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部和多个栅极结构在形成所述多个接触插塞之后形成。
栅极对准接触及其制造方法

[发明专利]栅极对准接触部及其制造方法-CN201180075764.1有效
发明人： O·戈隆茨卡;S·希瓦库马;C·H·华莱士;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：描述了栅极对准接触部和形成栅极对准接触部的方法。例如，制造半导体结构的方法包括在形成于衬底之上的有源区之上形成多个栅极结构。栅极结构每个均包括栅极电介质层、栅极电极和侧壁间隔体。多个接触插塞被形成，每个接触插塞直接在多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部被形成，每个接触部直接在多个栅极结构的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部和多个栅极结构在形成所述多个接触插塞之后形成。
栅极对准接触及其制造方法

[发明专利]片上系统-CN201510645551.8有效
发明人：白尚训;朴善暎;吴祥奎;金夏永;都桢湖;裴武奎;李昇映 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：所述片上系统(SoC)包括：第一栅极线、第二栅极线和第三栅极线，沿第一方向延伸；栅极隔离区域，切割第一栅极线、第二栅极线和第三栅极线，并且沿横跨第一方向的第二方向延伸；第一栅极接触件，形成在布置于第一栅极线和第三栅极线之间的第二栅极线上，并且电连接切割的第二栅极线；第二栅极接触件，形成在第一栅极线上；第三栅极接触件，形成在第三栅极线上；第一金属线，电连接第二栅极接触件和第三栅极接触件；以及第二金属线，电连接到第一栅极接触件。
系统

[发明专利]具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构-CN202010081594.9在审
发明人： S.苏布拉马尼恩;W.M.哈费茨 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：描述了具有栅极接触部的自对准栅极端帽（SAGE）架构以及制作具有栅极接触部的SAGE架构的方法。在示例中，一种集成电路结构，包括半导体鳍之上的栅极结构。栅极端帽隔离结构与所述栅极结构横向相邻并且相接触。沟槽接触部结构在所述半导体鳍之上，其中所述栅极端帽隔离结构与所述沟槽接触部结构横向相邻并且相接触。本地栅极到接触部互连将所述栅极结构电连接到所述沟槽接触部结构。
具有栅极接触对准 sage 架构

[发明专利]半导体器件-CN201910857746.7在审
发明人：李斗铉;宋炫升;卢永昌;申宪宗;刘素罗;郑涌植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。
半导体器件

[发明专利]栅极接触开口的蚀刻轮廓控制-CN202110637591.3在审
发明人：熊德智;王鹏;林焕哲;吴俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及栅极接触开口的蚀刻轮廓控制。一种方法包括：在半导体衬底之上形成栅极结构；回蚀刻该栅极结构；在经回蚀刻的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；在栅极电介质帽盖之上沉积抗蚀刻层；在抗蚀刻层之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积层间电介质(ILD)层；执行第一蚀刻工艺以形成栅极接触开口，该栅极接触开口延伸穿过ILD层并在到达抗蚀刻层之前终止；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层慢的蚀刻速率来蚀刻抗蚀刻层；以及在经加深的栅极接触开口中形成栅极接触件。
栅极接触开口蚀刻轮廓控制

[发明专利]半导体开关结构-CN201710235870.0有效
发明人：萧锦涛;陈志良;杨超源;余和哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体开关结构的实施例，包含源极接触、漏极接触、栅极与鳍片。接触与栅极沿着第一方向延伸并且在垂直第一方向的第二方向上彼此间隔。栅极散布于接触之间。鳍片位于接触与栅极两者之下。接触柱延伸穿过接触之一，并且未碰触栅极或鳍片。栅极柱延伸穿过栅极之一，并且未碰触接触或鳍片。接触‑栅极柱与接触与栅极碰触，但未与鳍片碰触。
半导体开关结构

[发明专利]晶体管栅极接触件及其形成方法-CN202110813522.3在审
发明人：李凯璇;杨世海;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开总体涉及晶体管栅极接触件及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：源极/漏极区域，该源极/漏极区域与衬底的沟道区域邻接；接触蚀刻停止层，该接触蚀刻停止层位于源极/漏极区域上；第一源极/漏极接触件，该第一源极/漏极接触件延伸穿过接触蚀刻停止层，该第一源极/漏极接触件连接到源极/漏极区域；栅极结构，该栅极结构位于沟道区域上；栅极接触件，该栅极接触件连接到栅极结构；以及接触件间隔件，该接触件间隔件在栅极接触件周围，其中，接触件间隔件、栅极结构、接触蚀刻停止层和衬底共同限定栅极结构和第一源极/漏极接触件之间的空隙。
晶体管栅极接触及其形成方法

[发明专利]使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计-CN201310042100.6有效
发明人： M·拉希德;M·泰拉比;C·阮;D·多曼;J·金;X·齐;S·文卡特桑 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明揭示一种用于提供使用扩散接触结构的基于交叉耦合的设计的方法。实施例包含下列步骤：提供在一衬底上方的第一及第二栅极结构；提供穿越该第一栅极结构的第一栅极截止区，以及穿越该第二栅极结构的第二栅极截止区；提供在该第一栅极结构上方的第一栅极接触件，以及在该第二栅极结构上方的第二栅极接触件；以及提供在该第一及该第二栅极截止区之间以使该第一栅极接触件耦合至该第二栅极接触件的一扩散接触结构。
使用扩散接触结构基于交叉耦合设计

[发明专利]半导体装置-CN201910767617.9在审
发明人：朱中良;陈昱瑞 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，其包括基底、隔离结构、第一栅极结构、第二栅极结构、第一条状接触结构、第一栅极接触结构与第二栅极接触结构。基底包括第一主动区与第二主动区分别沿第一方向延伸。第一栅极结构、第二栅极结构与第一条状接触结构分别沿第二方向延伸。第一栅极接触结构与第二栅极接触结构分别设置于第一条状接触结构于第一方向上的两相对侧，且第一栅极接触结构与第二栅极接触结构于第二方向上设置于第一主动区与第二主动区之间。第一栅极接触结构于第二方向上的长度与第二栅极接触结构于第二方向上的长度小于隔离结构于第二方向上的长度。
半导体装置

[发明专利]一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法-CN202210954988.X在审
发明人：刘欣芳;许淼;刘燕翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底(101)，金属栅极(104)，源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105)，该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方，该栅极接触(105)位于有源区上方，由于在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方覆盖有刻蚀停止层，可以将栅极接触(105)准确打到栅极上，而不会与源极金属沟槽(107)或漏极金属沟槽(108)短接，因此栅极接触(105)可以在金属栅极(104)上延伸至有源区上方，这样栅极接触(105)的长度限制变小，栅极接触(105)的形状可以类似于金属栅极(104)呈长条的形状，增大了栅极接触(105)与金属栅极(104)的接触面积，大大降低了栅极电阻。
一种具有栅极电阻场效应晶体管结构制造方法

[发明专利]一种具有低栅极电阻的场效应晶体管的结构及制造方法-CN201880096780.0有效
发明人：刘欣芳;许淼;刘燕翔 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种场效应晶体管结构，该结构包括：半导体衬底(101)，金属栅极(104)，源极金属沟槽(107)、漏极金属沟槽(108)、刻蚀停止层和栅极接触(105)，该刻蚀停止层覆盖在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方，该栅极接触(105)位于有源区上方，由于在源极金属沟槽(107)和漏极金属沟槽(108)的上方覆盖有刻蚀停止层，可以将栅极接触(105)准确打到栅极上，而不会与源极金属沟槽(107)或漏极金属沟槽(108)短接，因此栅极接触(105)可以在金属栅极(104)上延伸至有源区上方，这样栅极接触(105)的长度限制变小，栅极接触(105)的形状可以类似于金属栅极(104)呈长条的形状，增大了栅极接触(105)与金属栅极(104)的接触面积，大大降低了栅极电阻。
一种具有栅极电阻场效应晶体管结构制造方法

[发明专利]半导体器件及包括其的数据存储系统-CN202211285735.4在审
发明人：金俊亨;李昇珉;韩相凡;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种半导体器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括栅极堆叠区和虚设堆叠区。栅极堆叠区包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。虚设堆叠区包括交替堆叠的虚设绝缘层和虚设水平层。分离结构穿透堆叠结构。垂直存储结构在第一区域中穿透栅极堆叠区。多个栅极接触结构在第二区域中电连接到栅电极。栅电极包括第一栅电极和设置在比第一栅电极的水平高的水平上的第二栅电极。每个栅极接触结构包括栅极接触插塞和第一绝缘间隔物。栅极接触插塞包括第一栅极接触插塞和第二栅极接触插塞，第一栅极接触插塞穿透第二栅电极并接触第一栅电极，第二栅极接触插塞接触第二栅电极。
半导体器件包括数据存储系统

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110492249.9在审
发明人：熊德智;吴俊德;王鹏;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法，包括：在栅极间隔件之间形成栅极结构；回蚀栅极结构以使其低于栅极间隔件的顶端；在经回蚀的栅极结构之上形成栅极电介质帽盖；执行离子注入工艺以在栅极电介质帽盖中形成掺杂区域；在栅极电介质帽盖之上沉积接触蚀刻停止层，并在接触蚀刻停止层之上沉积ILD层；执行第一蚀刻工艺以形成延伸穿过ILD层并在到达栅极电介质帽盖的掺杂区域之前终止的栅极接触件开口；执行第二蚀刻工艺以加深栅极接触件开口，其中，第二蚀刻工艺以比蚀刻接触蚀刻停止层更慢的蚀刻速率来蚀刻栅极电介质帽盖的掺杂区域；以及在经加深的栅极接触件开口中形成栅极接触件。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN202211285125.4在审
发明人：长田尚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上的多个IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、栅极电极、耦合到IGBT的栅极的多个栅极导线，以及耦合到栅极电极和多个栅极导线的栅极电阻器，其中栅极电阻器包括电阻元件、耦合栅极电极和电阻元件的第一接触件、以及多个第二接触件，每个第二接触件对应于多个栅极导线中的每个栅极导线并且分别耦合到电阻元件和对应的栅极导线，并且其中多个第二接触件中的每个第二接触件形成在距第一接触件的不同距离处
半导体器件

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